技术总结
本发明涉及的半导体装置具有：基板；半导体激光器，其设置于基板的上表面，发出激光；波导，其具有第一导电性层和波导层，该第一导电性层设置于基板的上表面，该波导层设置于第一导电性层之上，对激光进行传导；以及掩埋层，其设置于基板的上表面，将半导体激光器和波导包围，在波导的与半导体激光器连接的端部的两侧，通过使掩埋层在波导的波导方向被截断，由此设置使基板从掩埋层露出的露出部，在端部设置第一导电性层在波导方向被截断的截断区域。
技术研发人员：川*和重
受保护的技术使用者：三菱电机株式会社
技术研发日：2017.05.29
技术公布日：2020.01.24