薄膜器件的制作方法

本实用新型涉及具备再布线层(redistribution layer)的薄膜器件，再布线层包含铜电极。

背景技术：

以往，各种实际应用在再布线层上使用了铜(Cu)电极的薄膜器件。例如，在专利文献1的薄膜器件中，在电容器的上表面形成有再布线层，在该再布线层上使用铜的布线电极。另外，在专利文献1的薄膜器件中，除了布线电极的局部之外，还形成有树脂绝缘层，在未被该树脂绝缘层覆盖的位置形成有焊料凸点。

专利文献1：日本特开2007－81325号公报

然而，在专利文献1所记载的薄膜器件中，树脂绝缘层与布线电极的紧贴性较低，树脂绝缘层供水分通过，因此存在焊料凸点的助焊剂等所含的卤素向+极(正极)侧的布线电极聚集，与铜形成化合物这种情况。即，存在铜氧化(腐蚀)的情况。由此，例如，存在布线电极的电阻增高，薄膜器件的功能降低之虞。另外，若从被进行安装的表面侧观察薄膜器件，则+极(正极)侧的布线电极的铜发生变色，因此美观变差。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于，不损坏薄膜器件的功能，抑制从被进行安装的表面侧观察到的美观的恶化。

该实用新型的薄膜器件具备：功能元件，其形成在基板内部或者基板上；再布线层，其形成在基板上；端子电极，其形成在再布线层的与基板相反一侧的表面上；和第1紧贴层。再布线层包含使功能元件与端子电极形成连接的平面薄膜状的布线电极。布线电极具有与再布线层的表面平行的第1主表面和与第1主表面对置的第2主表面，并且布线电极由包含铜的材料形成。端子电极与布线电极的第1主表面的第1区域直接或者间接地连接。第1紧贴层由形成钝化的材料构成。第1紧贴层紧贴于布线电极，并呈将布线电极的第1主表面的与第1区域邻接的第2区域和布线电极的与该第2区域连接的端部连续地覆盖的形状。

在该结构中，布线电极的第1主表面与侧表面被第1紧贴层连续地覆盖。因此，由焊料凸点的助焊剂生成的卤素离子没有到达布线电极，能够抑制生成卤素离子与布线电极的铜的化合物。

另外，在该实用新型的薄膜器件中，优选具备覆盖第1紧贴层与端子电极的侧表面的树脂绝缘层。

在该结构中，保持了绝缘性的再布线层能够廉价且容易地形成，避免布线电极和第1紧贴层受外部的水分影响，可靠性提高。

另外，在该实用新型的薄膜器件中，优选树脂绝缘层覆盖端子电极的表面外缘部。

在该结构中，树脂绝缘层与端子电极的紧贴性提高，能够抑制助焊剂经由了该界面的混入。

另外，在该实用新型的薄膜器件中，优选具备第2紧贴层，上述第2 紧贴层形成于布线电极的第2主表面，并由形成钝化的材料构成，第2紧贴层与第1紧贴层连接。

在该结构中，布线电极的第1主表面、侧表面和第2主表面被树脂绝缘层覆盖，因此能够更加可靠地抑制布线电极的腐蚀。另外，抑制布线电极的腐蚀，由此能够抑制电阻增高。

另外，在该实用新型的薄膜器件中，优选第1紧贴层与第2紧贴层由钛(Ti)、铬(Cr)、镍(Ni)、铝(Al)中的至少1种材料或者含有这些材料中任一种材料的化合物中的至少1种材料形成。

这些材料形成钝化膜，即、氧化物内的氧扩散速度较慢，因此在表面形成较薄的致密的氧化膜，由此利用表面的氧化膜保护原来的金属，具有不易被腐蚀的特征。因此，使用这些材料，由此布线电极的保护效果提高。

另外，在该实用新型的薄膜器件中，优选功能元件是具有电介质层与电容器电极的薄膜电容器，另外，布线电极与电容器电极中的正极侧的电容器电极电连接。

在该结构中，更加可靠地保护布线电极的容易产生腐蚀的位置。另外，抑制布线电极的腐蚀，由此能够抑制电阻增高。

另外，在该实用新型的薄膜器件中，优选布线电极的端部和与电容器电极中的负极侧的电容器电极电连接的其他的布线电极对置。

在该结构中，更加可靠地保护进一步容易产生布线电极的腐蚀的位置。另外，抑制布线电极的腐蚀，由此能够抑制电阻增高。

另外，优选该实用新型的薄膜器件的电介质层是烧结体。

在该结构中，能够增大薄膜器件的电容器容量。

另外，优选该实用新型的薄膜器件的布线电极由导电率比电容器电极高的材料构成。

在该结构中，能够减少传输损耗。

另外，优选该实用新型的薄膜器件的布线电极的厚度比电容器电极厚。

在该结构中，能够减少布线电极的导体电阻。

另外，在该实用新型的薄膜器件的制造方法中，具有接下来的工序。该制造方法具有：在具有功能元件的基板的上表面上形成包含布线电极的再布线层的工序、和在再布线层的与基板相反一侧的表面的第1区域形成端子电极的工序。形成再布线层的工序具有：形成由钝化物构成的第2紧贴层的工序、在第2紧贴层的表面上通过形成由包含铜的材料构成的布线电极而形成在第2紧贴层的表面上形成了布线电极的布线电极形成区域和在第2紧贴层的表面没有形成布线电极的暴露区域的工序、形成与布线电极的和第1区域邻接的第2区域、布线电极的端部及第2紧贴层的暴露区域连续的由钝化物构成的第1紧贴层的工序、和除去与布线电极不接触的部分的第1紧贴层与第2紧贴层的工序。

在该制造方法中，进行一次第1紧贴层与第2紧贴层上的不需要部分的除去，因此能够更加简化制造方法。

根据该实用新型，能够不损坏薄膜器件的功能，抑制从被进行安装的表面侧观察到的美观的恶化。

附图说明

图1是表示本实用新型的第1实施方式的薄膜器件的简要结构的侧剖视图。

图2是表示本实用新型的第1实施方式的薄膜器件的简要结构的放大侧剖视图。

图3是表示本实用新型的第1实施方式的薄膜器件的制造工序的流程图。

图4的(A)、(B)、(C)是表示图3所示的薄膜器件的制造流程的前半部分工序的各工序中的构成的图。

图5的(A)、(B)、(C)是表示图3所示的薄膜器件的制造流程的后半部分工序的各工序中的构成的图。

图6是表示本实用新型的第2实施方式的薄膜器件的简要结构的侧剖视图。

图7是本实用新型的第2实施方式的薄膜器件的简要结构的放大侧剖视图。

图8是本实用新型的第2实施方式的薄膜器件的制造工序的流程图。

图9的(A)、(B)、(C)是表示图8所示的薄膜器件的制造流程的前半部分工序的各工序中的构成的图。

图10的(A)、(B)、(C)是表示图8所示的薄膜器件的制造流程的后半部分工序的各工序中的构成的图。

图11是本实用新型的第3实施方式的薄膜器件的侧剖视图。

图12是表示本实用新型的第4实施方式的薄膜器件的简要结构的放大侧剖视图。

图13是表示本实用新型的实施方式的薄膜器件的衍生结构的放大侧剖视图。

具体实施方式

(第1实施方式)

参照附图对本实用新型的第1实施方式的薄膜器件进行说明。图1是表示本实用新型的第1实施方式的薄膜器件的简要结构的侧剖视图。图2 是表示本实用新型的第1实施方式的薄膜器件的简要结构的放大侧剖视图。图3是表示本实用新型的第1实施方式的薄膜器件的制造工序的流程图。图4的(A)、图4的(B)、图4的(C)是表示图3所示的薄膜器件的制造流程的前半部分工序的各工序中的构成的图。图5的(A)、图5 的(B)、图5的(C)是表示图3所示的薄膜器件的制造流程的后半部分工序的各工序中的构成的图。

如图1所示，薄膜器件10具备：基底基板20、电容器层30、绝缘体层41、42、布线电极51、52、61、62、树脂绝缘层53、树脂绝缘层71、端子电极81、82和第1紧贴层91、92。薄膜器件10是所谓的薄膜电容器的器件，通过薄膜工序在基底基板20之上形成电容器层和上述各构成要素而得。电容器与本实用新型的“功能元件”对应。

基底基板20是半导体基板或者绝缘性基板。基底基板20俯视呈矩形。电容器层30形成于基底基板20的表面。电容器层30具备多个第1电容器电极31、多个第2电容器电极32、多个电介质层33。更具体而言，电容器层30由以下结构构成。在基底基板20的表面形成有作为紧贴层发挥功能的电介质层33。在该紧贴层的表面依次形成有第1电容器电极31、电介质层33和第2电容器电极32。第1电容器电极31与第2电容器电极32隔着电介质层33对置。在第2电容器电极32的表面进一步形成有电介质层33。以下，重复该层构造，由此在层叠方向上并排的多个第1 电容器电极31与多个第2电容器电极32分别隔着电介质层33对置。

此外，电介质层33由BST等烧结体形成。据此，能够增大电介质层 33的电容器容量。另外，在使电介质层33烧结的工序中，第1电容器电极31与第2电容器电极优选为耐氧化性优越的材质(例如，Pt)。

绝缘体层41呈覆盖基底基板20的表面侧的大致整个面的形状。此时，绝缘体层41覆盖电容器层30的表面和侧表面。绝缘体层41作为耐湿性保护膜发挥功能。由此，电容器层30的整个面被绝缘体层41与基底基板 20覆盖，避免受湿度等的外部环境影响。绝缘体层42形成于绝缘体层41 的表面(和与基底基板20抵接的一侧的面相反一侧的面)。功能元件不限定于电容器，可以形成在基底基板20上，也可以形成在基底基板20内。

布线电极51、52呈平面薄膜状，形成于绝缘体层42的表面。布线电极51、52分别为多个。布线电极51凭借形成于绝缘体层41、42的多个接触孔501，与第1电容器电极31连接。布线电极52凭借形成于绝缘体层41、42的多个接触孔502，与第2电容器电极32连接。

树脂绝缘层53由表面部530与侧表面部531构成。表面部530形成于绝缘体层42的表面，侧表面部531形成于绝缘体层42的侧表面和绝缘体层41的侧表面。此时，树脂绝缘层53的表面部530覆盖布线电极51、 52，树脂绝缘层53的表面部530实质上与本实用新型的再布线层对应。即，再布线层形成于基底基板20的上侧。

如图1、图2所示，布线电极61呈平面薄膜状，配置于树脂绝缘层 53的表面。布线电极61凭借形成于树脂绝缘层53的接触孔601，与布线电极51连接。

布线电极62呈平面薄膜状，配置于树脂绝缘层53的表面。布线电极 62凭借形成于树脂绝缘层53的接触孔602，与布线电极52连接。

由布线电极51、52、树脂绝缘层53的靠表面侧的部分、布线电极61、 62和接触孔601、602构成的部位与本实用新型的“再布线层”对应。即，再布线层配置于功能元件的上表面侧。

端子电极81形成于布线电极61的第1主表面(表面)611。

第1紧贴层91连续地形成于布线电极61的第1主表面(表面)611 的除了端子电极81的形成区域之外的区域和布线电极61的与该第1主表面611连接的侧表面613。即，第1紧贴层91的靠第1主表面611侧的部分与靠侧表面613侧的部分连通。

端子电极82形成于布线电极62的第1主表面(表面)621。

第1紧贴层92连续地形成于布线电极62的第1主表面(表面)621 的除了端子电极82的形成区域(第1区域R1)之外的第2区域R2和布线电极62的与该第2区域R2连接的侧表面623。该布线电极62的与布线电极61对置的侧表面623与本实用新型的“布线电极的端部”对应。即，第1紧贴层92的靠第1主表面621侧的部分与靠侧表面623侧的部分连通。此外，布线电极的端部除了侧表面623那样的平面状的形状以外，也可以呈具有凹凸的形状。

如图1所示，在端子电极81形成有焊料凸点81A，在端子电极82形成有焊料凸点82A。

树脂绝缘层71形成为覆盖第1紧贴层91、92的暴露面。

通过形成这样的结构，布线电极61成为被端子电极81、第1紧贴层 91覆盖的构造，成为不与树脂绝缘层71和焊料凸点81A接触的构造。另外，布线电极62成为被端子电极82、第1紧贴层92覆盖的构造，成为不与树脂绝缘层71和焊料凸点82A接触的构造。

布线电极51、52、61、62由铜(Cu)构成。此外，布线电极51、52、 61、62也可以以铜(Cu)为主要成分。第1紧贴层91、92由钛(Ti)构成。此外，第1紧贴层91、92只要为形成钝化的材料即可，优选由钛(Ti)、铬(Cr)、镍(Ni)、铝(Al)中的至少1种材料或者含有这些材料中任一种材料的化合物中的至少1种材料形成。

在这样的结构中，在布线电极62和端子电极82为+极(正极)侧的电极，布线电极61和端子电极81为－极(负极)侧的电极的情况下，存在焊料凸点82A的助焊剂等所含的卤素在与表面的水分反应形成离子化后，与水蒸气一同通过树脂绝缘层71，聚集在布线电极62的第2区域R2 这种情况。然而，如上述那样，利用第1紧贴层92覆盖布线电极62的第 1主表面621的第2区域R2与侧表面623，因此布线电极62的铜与卤素不进行化合。此外，正极侧的布线电极62与正极侧的电容器层30的电极连接。

因此，抑制布线电极62的氧化(腐蚀)。由此，能够抑制布线电极 62的第1主表面621的第2区域R2处的变色，能够抑制美观的恶化。此外，形成第1紧贴层92的材料形成钝化膜，即、氧化物内的氧扩散速度较慢，因此在表面形成较薄的致密的氧化膜，由此通过表面的氧化膜保护原来的金属，具有不易被腐蚀的特征。这样，利用不易被腐蚀的第1紧贴层92覆盖布线电极62，因此布线电极62的保护效果提高。另外，抑制布线电极62的铜的氧化，因此例如布线电极62的电阻不易增高，能够抑制薄膜器件10的功能降低。

另一方面，如上所述，在以往的未形成有第1紧贴层92的结构中，布线电极的铜与卤素进行了化合，布线电极的第2区域R2发生变色。此外，卤素离子具有向+极(正极)侧的电极集中的特性。因此，只要至少在作为+极(正极)侧的电极的布线电极62具有第1紧贴层92即可。

另外，在+极(正极)侧的布线电极62与－极(负极)侧的布线电极61接近的情况下，在这些电极之间产生的电场增强，卤素在+极(正极)侧的布线电极62容易产生，但通过具备上述的结构，不使铜与卤素进行化合，因此能够抑制腐蚀。另外，抑制布线电极62的铜的氧化，因此例如布线电极62的电阻不易增高，能够抑制薄膜器件10的功能降低。

此外，布线电极62能够在形成烧结体后形成，只要仅与树脂绝缘层 71连接的部分具有耐氧化性即可。因此，即使不使用耐氧化性优越的Pt 那样的材质，也能够使用导体电阻比第1电容器电极31、第2电容器电极32小的材质(例如，Cu等)的材料，以紧贴层形式进行覆盖。

另外，作为内层电极的第1电容器电极31、第2电容器电极32优选为了减少内部应力而形成得较薄。然而，布线电极62由于减少应力的必要性较小，因此能够形成得比第1电容器电极31、第2电容器电极32厚。据此，能够减少导体电阻。布线电极62增厚，由此在布线电极62的端部 (侧表面)与第1紧贴层92连接的部分增加。因此，也优选利用第1紧贴层92覆盖布线电极62的端部(侧表面)。

这样的结构的薄膜器件10通过图3、图4的(A)、图4的(B)、图 4的(C)、图5的(A)、图5的(B)、图5的(C)所示的方法进行制造。此外，这里，仅表示布线电极62的周围的制造工序。除此以外的工序能够通过已知的制造方法来实现，省略说明。

首先，如图3、图4的(A)所示，在形成有接触孔602的树脂绝缘层53的表面(和与绝缘体层41抵接的一侧的面相反一侧的面)形成布线电极60A(S101)。布线电极60A由Cu(铜)构成。

接下来，如图3、图4的(B)所示，在布线电极60A的第1主表面 (表面)的第1区域R1形成端子电极82(S102)。端子电极82例如由镀 Ni/Au层构成。

接下来，如图3、图4的(C)所示，局部除去布线电极60A，形成相互分离的布线电极61、布线电极62(S103)。此时，布线电极60A的除去使用选择性蚀刻剂。通过该工序，形成布线电极61的第1主表面(表面)611和侧表面613，相同地，形成布线电极62的第1主表面(表面) 621和侧表面623。而且，与布线电极62的第1主表面(表面)621的第 1区域R1邻接的区域是第2区域R2。

接下来，如图3、图5的(A)所示，形成第1紧贴层90A，以便覆盖布线电极61、62的暴露面(S104)。

形成第1紧贴层90A，由此布线电极62的第1主表面621(与第2 区域R2对应)的除了形成端子电极82的部分(第1区域R1)之外的部分、布线电极62的第2主表面622和布线电极62的侧表面623被第1紧贴层90A覆盖。与布线电极62相同，布线电极61也被第1紧贴层90A 覆盖。

接下来，如图3、图5的(B)所示，除去形成于布线电极61、62之间的第1紧贴层90A(S105)。由此，形成覆盖布线电极61的第1紧贴层91。

接下来，如图3、图5的(C)所示，在第1紧贴层91、92、树脂绝缘层53的暴露面形成树脂绝缘层71(S106)。

使用这样的制造方法，由此能够制造上述的结构的薄膜器件10。

(第2实施方式)

参照附图对本实用新型的第2实施方式的薄膜器件进行说明。图6是表示本实用新型的第2实施方式的薄膜器件的简要结构的侧剖视图。图7 是表示本实用新型的第2实施方式的薄膜器件的简要结构的放大侧剖视图。图8是表示本实用新型的第2实施方式的薄膜器件的制造工序的流程图。图9的(A)、图9的(B)、图9的(C)是表示图8所示的薄膜器件的制造流程的前半部分工序的各工序中的构成的图。图10的(A)、图10 的(B)、图10的(C)是表示图8所示的薄膜器件的制造流程的后半部分工序的各工序中的构成的图。

如图6所示，本实施方式的薄膜器件10A在对于第1实施方式的薄膜器件10追加了第2紧贴层93、94这点上不同。薄膜器件10A的其他结构与薄膜器件10相同，省略相同部位的说明。

如图6、图7所示，布线电极61呈平面薄膜状，相对于树脂绝缘层 53的表面，隔着第2紧贴层93配置。换言之，第2紧贴层93形成于树脂绝缘层53的表面，与布线电极61的第2主表面(背面)612抵接。布线电极61(第2紧贴层93)凭借形成于树脂绝缘层53的接触孔601，与布线电极51连接。

布线电极62呈平面薄膜状，相对于树脂绝缘层53的表面，隔着第2 紧贴层94配置。换言之，第2紧贴层94形成于树脂绝缘层53的表面，与布线电极62的第2主表面(背面)622抵接。布线电极62(第2紧贴层94)凭借形成于树脂绝缘层53的接触孔602，与布线电极52连接。

第1紧贴层91的靠第1主表面611侧的部分与靠侧表面613侧的部分连通。另外，第1紧贴层91与第2紧贴层93连接。

第1紧贴层92的靠第1主表面621侧的部分与靠侧表面623侧的部分连通。另外，第1紧贴层92与第2紧贴层94连接。第1紧贴层92与布线电极62紧贴，也与第2紧贴层94紧贴。

如图6所示，在端子电极81形成有焊料凸点81A，在端子电极82形成有焊料凸点82A。

树脂绝缘层71形成为覆盖第1紧贴层91、92和第2紧贴层93、94 的暴露面。

形成这样的结构，由此布线电极61成为被端子电极81、第1紧贴层 91和第2紧贴层93覆盖的构造，成为不与树脂绝缘层71和焊料凸点81A 接触的构造。另外，布线电极62成为被端子电极82、第1紧贴层92、第 2紧贴层94覆盖的构造，成为不与树脂绝缘层71和焊料凸点82A接触的构造。

与第1实施方式相同，布线电极51、52、61、62由铜(Cu)构成。此外，布线电极51、52、61、62也可以以铜(Cu)为主要成分。第1紧贴层91、92、第2紧贴层93、94由钛(Ti)构成。此外，第1紧贴层91、 92、第2紧贴层93、94只要为形成钝化的材料即可，优选由钛(Ti)、铬 (Cr)、镍(Ni)、铝(Al)中的至少1种材料或者含有上述材料中任一种材料的化合物中的至少1种材料形成。

另外，在+极(正极)侧的布线电极62与－极(负极)侧的布线电极61接近的情况下，在这些电极之间产生的电场增强，在+极(正极) 侧的布线电极62容易产生卤素，但通过具备上述的结构，不使铜与卤素进行化合，因此能够抑制腐蚀。

另外，在本实施方式中，与第1紧贴层92一同具备第2紧贴层94，由此布线电极62不与树脂绝缘层71和树脂绝缘层53双方接触，因此能够更加可靠地抑制布线电极62的氧化(腐蚀)。另外，抑制布线电极62 的铜的氧化，因此例如布线电极62的电阻不易增高，能够抑制薄膜器件 10A的功能降低。

另外，形成第2紧贴层93、94，由此与第1实施方式相比较，抑制向下表面的氧化(腐蚀)，布线电极61、62与树脂绝缘层53的紧贴性提高。

这样结构的薄膜器件10A通过图8、图9的(A)、图9的(B)、图9 的(C)、图10的(A)、图10的(B)、图10的(C)所示的方法进行制造。此外，这里，仅表示布线电极62的周围的制造工序。除此以外的工序能够通过已知的制造方法来实现，省略说明。

首先，如图8、图9的(A)所示，在树脂绝缘层53的形成有接触孔 602的表面(和与绝缘体层41抵接的一侧的面相反一侧的面)形成第2 紧贴层90B(S201)。第2紧贴层90B例如由Ti(钛)构成。而且，在该第2紧贴层90B的表面形成布线电极60A(S202)。布线电极60A由Cu (铜)构成。

接下来，如图8、图9的(B)所示，在布线电极60A的第1主表面 (表面)的第1区域R1形成端子电极82(S203)。端子电极82例如由镀 Ni/Au层构成。

接下来，如图8、图9的(C)所示，局部除去布线电极60A，形成相互分离的布线电极61、布线电极62(S204)。即，在第2紧贴层的表面形成布线电极形成区域与第2紧贴层的暴露区域。此时，布线电极60A的除去使用选择性蚀刻剂，只要使用除去布线电极60A，而不除去第2紧贴层90B的溶剂即可。通过该工序，形成布线电极61的第1主表面(表面) 611、第2主表面(背面)612和侧表面613，相同地，形成布线电极62 的第1主表面(表面)621、第2主表面(背面)622和侧表面623。而且，布线电极62的第1主表面(表面)621的与第1区域R1邻接的区域是第 2区域R2。

接下来，如图8、图10的(A)所示，形成第1紧贴层90A，覆盖布线电极61、62的暴露面与第2紧贴层90B的暴露面(S205)。

形成第1紧贴层90A和第2紧贴层90B，由此布线电极62的第1主表面621(与第2区域R2对应)的除了形成有端子电极82的部分(第1 区域R1)之外的部分、布线电极62的第2主表面622和布线电极62的侧表面623被第1紧贴层90A和第2紧贴层90B覆盖。与布线电极62相同地，布线电极61也被第1紧贴层90A和第2紧贴层90B覆盖。

另外，布线电极61与布线电极62之间的部分成为第1紧贴层90A 和第2紧贴层90B的层叠膜。

接下来，如图8、图10的(B)所示，除去形成于布线电极61、62 之间的第1紧贴层90A和第2紧贴层90B(S206)。由此，形成覆盖布线电极61的第1紧贴层91和第2紧贴层93与覆盖布线电极62的第1紧贴层92和第2紧贴层94。

接下来，如图8、图10的(C)所示，在第1紧贴层91、92、第2 紧贴层93、94、树脂绝缘层53的暴露面形成树脂绝缘层71(S207)。

使用这样的制造方法，由此能够制造上述的结构的薄膜器件10A。另外，将第1紧贴层90A和第2紧贴层90B形成相同的材料，由此能够利用一个工序形成第1紧贴层91、92、第2紧贴层93、94，能够简化制造工序。

(第3实施方式)

接下来，对本实用新型的第3实施方式的薄膜器件进行说明。图11 是本实用新型的第3实施方式的薄膜器件的侧剖视图。

如图11所示，本实施方式的薄膜器件10B在相对于第1实施方式的薄膜器件10追加了第2紧贴层93、94、第3紧贴层95和第4紧贴层96 这点上不同。薄膜器件10B的其他结构与薄膜器件10相同，省略相同部位的说明。

第3紧贴层95覆盖布线电极51。另外，第4紧贴层96覆盖布线电极52。

在布线电极62是+极(正极)侧的布线电极的情况下，可考虑为由焊料凸点81A的助焊剂生成的卤素离子不仅通过树脂绝缘层71，也通过树脂绝缘层53。然而，利用第4紧贴层96覆盖布线电极52，由此布线电极52成为不与树脂绝缘层53接触的构造。因此，布线电极52的铜与卤素不进行化合，能够抑制布线电极52的腐蚀。

另外，抑制布线电极52的铜的氧化，因此例如布线电极52的电阻不易增高，能够抑制薄膜器件10B的功能降低。相同地，能够抑制布线电极 62的铜的氧化，因此例如布线电极62的电阻不易增高，能够抑制薄膜器件10B的功能降低。

根据该结构，薄膜器件10B具有与第1实施方式的薄膜器件10相同的作用效果，也能够抑制再布线层的进一步靠内部的布线电极的腐蚀。

(第4实施方式)

接下来，对本实用新型的第4实施方式的薄膜器件进行说明。图12 是表示本实用新型的第4实施方式的薄膜器件的简要结构的放大侧剖视图。

如图12所示，本实施方式的薄膜器件10C在相对于第1实施方式的薄膜器件10追加了第2紧贴层93、94这点和树脂绝缘层71C的形状这点上不同。薄膜器件10C的其他结构与薄膜器件10相同，省略相同部位的说明。

树脂绝缘层71C覆盖端子电极82的表面(和与布线电极62抵接的一侧的面相反一侧的面)的局部(表面外缘部)。此外，虽未图示，但也覆盖端子电极81的表面的局部(表面外缘部)。

端子电极82的表面的局部(表面外缘部)被树脂绝缘层71C覆盖，由此端子电极82的表面的角部被树脂绝缘层71C覆盖，树脂绝缘层71C 与端子电极82间的紧贴性提高。由此，可靠性提高。另外，端子电极82 的表面的角部被树脂绝缘层71C覆盖，由此抑制水和卤素经由树脂绝缘层 71C与端子电极82间的界面的渗入，能够进一步抑制上述的腐蚀。

另外，树脂绝缘层71C如果仅用于获得本申请的作用效果，则能够省略，但由于能够避免布线电极61、62、第1紧贴层91、92等受外部环境影响，可靠性提高。

另外，在上述的说明中，表示了在布线电极62直接连接有端子电极 82的方式，但也可以如图13所示，端子电极82间接连接于布线电极62。图13是表示本实用新型的实施方式的薄膜器件的衍生结构的放大侧剖视图。如图13所示，薄膜器件10D的端子电极82经由辅助电极820和接触孔610连接于布线电极62。辅助电极820由比布线电极62不易腐蚀的材料构成。即便是这样的结构，也能够实现上述的作用效果。

附图标记的说明

10、10A、10B、10C、10D…薄膜器件；20…基底基板；30…电容器层；31…第1电容器电极；32…第2电容器电极；33…电介质层；41、42…绝缘体层；51、52…布线电极；53…树脂绝缘层；60A、61、62…布线电极；71、71C…树脂绝缘层；81、82…端子电极；81A、82A…焊料凸点； 90A、91、92…第1紧贴层；90B、93、94…第2紧贴层；95…第3紧贴层；96…第4紧贴层；501、502、601、602、610…接触孔；530…表面部； 531…侧表面部；611、621…第1主表面；612、622…第2主表面；613、 623…侧表面；820…辅助电极；R1…第1区域；R2…第2区域。