半导体装置的制作方法

文档序号:15131081发布日期:2018-08-10 05:52阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本发明涉及半导体装置。横向半导体芯片的电极面与基板通过多个第一接合部接合,上述多个第一接合部接合至少包括将形成在电极面的多个电极与基板接合而成的多个接合部。横向半导体芯片的非电极面与散热片通过将它们相互接合的第二接合部接合。在从法线方向观察基板的主面的俯视时,在将多个第一接合部的集合体的概略形状的轮廓内的区域设为第一接合区域,将第二接合部的轮廓内的区域设为第二接合区域的情况下,第一接合区域与第二接合区域的位置、形状以及大小一致。

技术研发人员:谷直树
受保护的技术使用者:株式会社捷太格特
技术研发日:2018.01.29
技术公布日:2018.08.10
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