技术特征：
技术总结
一种装置(100)包含形成于衬底(302)上的晶体管。所述晶体管包含n型漏极接触层(312)、n型漏极层(314)、氧化物层(332)、p型主体区域(324)、p型端子区域(322)、主体沟槽(110)及端子沟槽(122)。所述n型漏极接触层在所述衬底的底部表面(306)附近。所述n型漏极层定位于所述n型漏极接触层上。所述氧化物层外接晶体管区域(102)。所述p型主体区域定位于所述晶体管区域内。所述p型端子区域从所述氧化物层下方延伸到所述晶体管区域的边缘，借此与所述p型主体区域形成连续的结。所述主体沟槽在所述晶体管区域内且与所述p型主体区域交插，然而所述端子沟槽在所述晶体管区域外侧且与所述p型端子区域交插。
技术研发人员：河原秀明;C·B·科措恩;赛特拉曼·西达尔;西蒙·约翰·莫洛伊;铃木惠
受保护的技术使用者：德州仪器公司
技术研发日：2018.01.30
技术公布日：2018.08.14