本发明涉及一种半导体集成电路制造工艺方法，特别是涉及一种接触孔的制造方法。
背景技术：
cmos工艺中，在多晶硅栅形成之后，需要沉积层间膜(ild)，之后再形成接触孔。接触孔形成前，沉积的层间膜的膜层结构依次为sin，高密度等离子化学气相沉积工艺(hdpcvd)形成的氧化硅即hdpoxide，等离子体增强化学气相沉积(pecvd)形成的氧化硅即pecvdoxide。随着cmos工艺特征尺寸不断变小，对接触孔层的曝光工艺能力要求越来越高，并且在接触孔刻蚀过程中容易发生聚合物增加导致的刻蚀停止问题，这将会导致接触孔的接触电阻(rc)偏大或者直接断开(open)；如果刻蚀过程中减小聚合物的产生，则聚合物会减少对接触孔侧壁的保护作用，易发生接触孔和多晶硅栅的击穿。
如图1所示，是现有第一种接触孔的制造方法形成的接触孔的示意图；在所述半导体衬底1上形成多条多晶硅栅2，各所述多晶硅栅2之间具有间隔；层间膜5将所述多晶硅栅2之间的间隔完全填充并覆盖在所述多晶硅栅2的顶部区域和所述多晶硅栅2之间的间隔的顶部区域。现有第一种方法中，接触孔6的开口通过光刻定义后直接对层间膜5进行刻蚀形成，之后在所述接触孔6的开口中填充金属如钨形成所述接触孔6。图1中标出了接触孔6的结构中的各尺寸，尺寸a0为光刻定义的接触孔6的开口的宽度，随着cmos工艺特征尺寸不断变小，尺寸a0需要不断减少，但是尺寸a0减小后，会在接触孔刻蚀过程中容易发生聚合物增加导致的刻蚀停止问题，这将会导致接触孔的接触电阻偏大或者直接断开等技术问题。虚线aa表示所述多晶硅栅2的表面位置，可以看出：尺寸b0表示在所述多晶硅栅2的表面的高度处所述接触孔6的宽度；尺寸c0表示在所述多晶硅栅2的表面的高度处所述接触孔6和所述多晶硅栅2的间距。
如图2所示，是现有第二种接触孔的制造方法形成的接触孔的示意图；为例克服现有第一种方法中在接触孔刻蚀过程中容易发生聚合物增加导致的刻蚀停止问题，现有第二种方法是将接触孔6的开口的光刻定义的尺寸增加，之后直接对层间膜5进行刻蚀形成，之后在所述接触孔6的开口中填充金属如钨形成所述接触孔6。图2中标出了接触孔6的结构中的各尺寸，尺寸a1为光刻定义的接触孔6的开口的宽度，可以看出尺寸a1大于图1中的尺寸a0，这样能防止接触孔的开口刻蚀中发生聚合物增加导致的刻蚀停止问题；虚线aa表示所述多晶硅栅2的表面位置，可以看出：尺寸b1表示在所述多晶硅栅2的表面的高度处所述接触孔6的宽度；尺寸c1表示在所述多晶硅栅2的表面的高度处所述接触孔6和所述多晶硅栅2的间距。可以看出，由于增加了尺寸a1的大小，故尺寸c1会比图1所示的尺寸c0小，较小的尺寸c1又会带来新的技术问题，即容易发生所述接触孔6和所述多晶硅栅2之间的击穿的技术问题。
技术实现要素：
本发明所要解决的技术问题是提供一种接触孔的制造方法，能防止接触孔刻蚀过程中发生刻蚀停止，同时还能防止接触孔和相邻的多晶硅栅之间产生击穿。
为解决上述技术问题，本发明提供的接触孔的制造方法包括如下步骤：
步骤一、提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成多条多晶硅栅，各所述多晶硅栅之间具有间隔；所述多晶硅栅和所述半导体衬底表面之间隔离有栅介质层。
步骤二、在各所述多晶硅栅的侧面形成第一侧墙。
步骤三、形成层间膜，所述层间膜将所述多晶硅栅之间的间隔完全填充并覆盖在所述多晶硅栅的顶部区域和所述多晶硅栅之间的间隔的顶部区域。
步骤四、对所述层间膜进行平坦化。
步骤五、采用光刻工艺定义出接触孔的开口的刻蚀区域，将所述接触孔的开口的刻蚀区域的尺寸扩大用以消除后续所述接触孔的开口的刻蚀过程中产生的刻蚀停止现象。
步骤六、进行所述接触孔的开口的刻蚀区域的所述层间膜的刻蚀并形成所述接触孔的开口。
步骤七、在各所述接触孔的开口的内侧面形成第二侧墙，通过所述第二侧墙缩小所述接触孔的开口的尺寸并增加后续形成的所述接触孔的金属和所述多晶硅栅之间的间距。
步骤八、在所述接触孔的开口中填充金属形成所述接触孔。
进一步的改进是，所述第一侧墙的材料包括氮化硅，所述第一侧墙通过先沉积所述第一氮化硅层再对所述第一氮化硅层进行全面刻蚀形成。
进一步的改进是，组成所述第一侧墙的所述第一氮化硅层呈l型。
进一步的改进是，具有呈l型的所述第一氮化硅层的所述第一侧墙的形成步骤包括：
步骤21、依次沉积第一氮化硅层和第二氧化硅层。
步骤22、依次对所述第二氧化硅层和所述第一氮化硅层进行全面刻蚀形成呈d型结构的所述第一侧墙。
步骤23、去除呈d型结构的所述第一侧墙中的所述第二氧化硅层形成呈l型的所述第一侧墙。
进一步的改进是，步骤22中采用干法刻蚀对所述第二氧化硅层和所述第一氮化硅层进行全面刻蚀。
进一步的改进是，步骤23采用湿法工艺去除呈d型结构的所述第一侧墙中的所述第二氧化硅层。
进一步的改进是，步骤三中所述层间膜的材料为氧化硅。
进一步的改进是，步骤七中，所述第二侧墙的材料包括氮化硅或氧化硅。
进一步的改进是，步骤七中，所述第二侧墙呈d型结构。
进一步的改进是，步骤七中，所述第二侧墙通过先沉积第二氮化硅层或第二氧化硅层，再对所述第二氮化硅层或所述第二氧化硅层进行全面刻蚀形成。
进一步的改进是，采用干法刻蚀对所述第二氮化硅层或所述第二氧化硅层进行全面刻蚀。
进一步的改进是，所述半导体衬底为硅衬底。
进一步的改进是，所述栅介质层为栅氧化层。
进一步的改进是，在所述多晶硅栅的两侧的所述半导体衬底表面上形成和所述多晶硅栅的侧面自对准的源漏区；
进一步的改进是，步骤八中所述接触孔中填充的金属材料包括钨。
本发明通过扩大接触孔的开口的刻蚀区域的尺寸，能够消除接触孔的开口的刻蚀过程中产生的刻蚀停止现象；本发明还在接触孔的开口形成之后在接触孔的开口的内侧面形成第二侧墙，第二侧墙能缩小接触孔的开口的尺寸并增加接触孔的金属和多晶硅栅之间的间距，从而同时还能防止接触孔和相邻的多晶硅栅之间产生击穿。
另外，本发明通过扩大接触孔的开口的刻蚀区域的尺寸，还能增加接触孔的光刻即步骤五的光刻和刻蚀即步骤六的刻蚀的工艺窗口，从而能降低工艺难度和成本。
本发明最终能提高产品的性能和良率。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：
图1是现有第一种接触孔的制造方法形成的接触孔的示意图；
图2是现有第二种接触孔的制造方法形成的接触孔的示意图；
图3是本发明实施例接触孔的制造方法的流程图；
图4a-图4i是本发明实施例方法各步骤中接触孔的结构图。
具体实施方式
如图3所示，是本发明实施例接触孔6的制造方法的流程图；如图4a至图4i所示，是本发明实施例方法各步骤中接触孔6的结构图；本发明实施例接触孔6的制造方法包括如下步骤：
步骤一、如图4a所示，提供一半导体衬底1。如图4b所示，在所述半导体衬底1上形成多条多晶硅栅2，各所述多晶硅栅2之间具有间隔；所述多晶硅栅2和所述半导体衬底1表面之间隔离有栅介质层如栅氧化层。
本发明实施例中，形成所述多晶栅2的步骤包括：
如图4a所示，首先在所述半导体衬底1的表面依次形成栅介质层如栅氧化层和多晶硅层2。
如图4b所示，采用光刻工艺定义出多晶硅栅2的形成区域，对多晶硅栅2的形成区域外的多晶硅层2和栅介质层依次进行刻蚀形成栅极结构对应的多晶硅栅2。
较佳为，所述半导体衬底1为硅衬底。在所述多晶硅栅2形成之后还包括在所述多晶硅栅2两侧的所述半导体衬底1表面上形成和所述多晶硅栅2的侧面自对准的源漏区的步骤，所述源漏区的注入也能放置在形成所述第一侧墙3之后进行。
步骤二、如图4d所示，在各所述多晶硅栅2的侧面形成第一侧墙3。
所述第一侧墙3的材料包括氮化硅，所述第一侧墙3通过先沉积所述第一氮化硅层3再对所述第一氮化硅层3进行全面刻蚀形成。
较佳为，组成所述第一侧墙3的所述第一氮化硅层3呈l型。具有呈l型的所述第一氮化硅层3的所述第一侧墙3的形成步骤包括：
步骤21、如图4c所示，依次沉积第一氮化硅层3和第二氧化硅层4。
步骤22、如图4d所示，依次对所述第二氧化硅层4和所述第一氮化硅层3进行全面刻蚀在所述多晶硅栅2的侧面的呈d型结构的所述第一侧墙。
更优选择为，步骤22中采用干法刻蚀对所述第二氧化硅层4和所述第一氮化硅层3进行全面刻蚀。
步骤23、如图4d所示，去除呈d型结构的所述第一侧墙中的所述第二氧化硅层4形成呈l型的所述第一侧墙。更优选择为，采用湿法刻蚀去除所述第二氧化硅层4。
步骤三、如图4e所示，形成层间膜5，所述层间膜5将所述多晶硅栅2之间的间隔完全填充并覆盖在所述多晶硅栅2的顶部区域和所述多晶硅栅2之间的间隔的顶部区域。
较佳为，步骤三中所述层间膜5的材料为氧化硅。所述层间膜5能采用hdpcvd叠加pecvd工艺形成，其中hdpcvd形成的氧化硅将所述多晶硅栅2之间的间隔完全填充；pecvd形成所述层间膜5的后续氧化硅。
步骤四、如图4e所示，对所述层间膜5进行平坦化。
步骤五、如图4f所示，采用光刻工艺定义出接触孔6的开口6a的刻蚀区域，将所述接触孔6的开口6a的刻蚀区域的尺寸扩大用以消除后续所述接触孔6的开口6a的刻蚀过程中产生的刻蚀停止现象。
步骤六、如图4f所示，进行所述接触孔6的开口6a的刻蚀区域的所述层间膜5的刻蚀并形成所述接触孔6的开口6a。
步骤七、如图4h所示，在各所述接触孔6的开口6a的内侧面形成第二侧墙7，通过所述第二侧墙7缩小所述接触孔6的开口6a的尺寸并增加后续形成的所述接触孔6的金属和所述多晶硅栅2之间的间距。
本发明实施例中，所述第二侧墙7的材料包括氮化硅或氧化硅。所述第二侧墙7呈d型结构。所述第二侧墙7通过先沉积第二氮化硅层或第二氧化硅层，再对所述第二氮化硅层或所述第二氧化硅层进行全面刻蚀形成。较佳为，采用干法刻蚀对所述第二氮化硅层或所述第二氧化硅层进行全面刻蚀。
步骤八、如图4i所示，在所述接触孔6的开口6a中填充金属形成所述接触孔6。所述接触孔6中填充的金属材料包括钨。图4i中标出了本发明实施例方法形成的接触孔6的结构中的各尺寸，尺寸a1为光刻定义的接触孔6的开口的宽度，可以看出尺寸a1大于图1中的尺寸a0，这样能防止接触孔的开口刻蚀中发生聚合物增加导致的刻蚀停止问题；虚线aa表示所述多晶硅栅2的表面位置，可以看出：尺寸c2表示在所述多晶硅栅2的表面的高度处所述接触孔6和所述多晶硅栅2的间距。可以看出，本发明实施例中由于设置了第二侧墙7，能尺寸c2比图2中的尺寸c1要大，所以，本发明实施例方法中的尺寸c2不受到尺寸a1增加的影响，所以本发明实施例能保证尺寸c2具有较大的值，能防止所述接触孔6和所述多晶硅栅2之间发生击穿。
本发明实施例通过扩大接触孔6的开口6a的刻蚀区域的尺寸，能够消除接触孔6的开口6a的刻蚀过程中产生的刻蚀停止现象；本发明实施例还在接触孔6的开口6a形成之后在接触孔6的开口6a的内侧面形成第二侧墙7，第二侧墙7能缩小接触孔6的开口6a的尺寸并增加接触孔6的金属和多晶硅栅2之间的间距，从而同时还能防止接触孔6和相邻的多晶硅栅2之间产生短路。
另外，本发明实施例通过扩大接触孔6的开口6a的刻蚀区域的尺寸，还能增加接触孔6的光刻即步骤五的光刻和刻蚀即步骤六的刻蚀的工艺窗口，从而能降低工艺难度和成本。
以上通过具体实施例对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。