技术特征：
技术总结
本发明属于薄膜晶体管制备技术领域，具体为一种基于Al2O3高k介质层的GaxSn1‑xO薄膜晶体管及其制备方法。本发明采用溶液法在硅基片上制备Al2O3高k介质层和GaxSn1‑xO沟道层，源漏电极采用ITO或Al电极，形成具有一定电学功能的底栅结构型TFT器件。本发明将传统的溶液制备Al2O3介质层技术和无铟GaxSn1‑xO双金属氧化物沟道有机结合，实现了高性能的场效应TFT器件，最佳的性能参数为场效应迁移率76.3 cm2V‑1s‑1，饱和迁移率71.6 cm2V‑1s‑1，开关比1.8×107，阈值电压0.67V，亚阈值摆幅76mVdec‑1。
技术研发人员：任锦华;张群;李喜峰;杨建文;林东;李凯文
受保护的技术使用者：复旦大学
技术研发日：2018.02.09
技术公布日：2018.07.27