本发明涉及电子器件制造。
背景技术：
许多现代电子器件制造工艺包括产生等离子体，从该等离子体衍生离子和/或自由基成分以用于直接或间接影响暴露于等离子体的衬底表面上的变化。例如，可以使用各种基于等离子体的工艺来从衬底表面蚀刻材料、将材料沉积到衬底表面上、或者修改已经存在于衬底表面上的材料。在一些情况下，衬底是诸如玻璃、蓝宝石等之类的绝缘体衬底。绝缘体衬底在暴露于等离子体期间牢固地保持在支撑结构上。在一些情况下，因为绝缘体衬底不导电，所以使用位于绝缘体衬底的外围边缘上方的机械夹持装置将绝缘体衬底保持在支撑结构上。这些机械夹持装置与绝缘体衬底的顶表面接触的位置不可用于制造电子器件。因此，使用机械夹紧装置会不利地影响来自给定绝缘体衬底的器件产量。而且，机械夹持装置和绝缘体衬底之间的物理接触可能增加损坏绝缘体衬底或其上形成的材料的可能性。因此，在不使用机械夹持装置的情况下，具有在绝缘体衬底的等离子体处理期间将绝缘体衬底固定到支撑结构的方式是有意义的。正是在这种情况下产生了本发明。
技术实现要素：
在示例实施方式中，公开了一种用于控制施加到衬底支撑结构以保持绝缘体型衬底的钳位电压的方法。该方法包括将绝缘体型衬底放置在衬底支撑结构的支撑表面上。该方法还包括向衬底支撑结构内的电极施加初始钳位电压，以在支撑表面上快速积累足够的电荷以保持绝缘体型衬底。该方法还包括产生暴露于绝缘体型衬底的等离子体。该方法还包括使背面冷却气体流入绝缘体型衬底和衬底支撑结构之间的区域。该方法还包括监测来自绝缘体型衬底和衬底支撑结构之间的区域的背面冷却气体的泄漏率。该方法还包括在确定背面冷却气体的泄漏率小于最大容许泄漏率时，将减小的钳位电压施加到衬底支撑结构内的电极。
在示例实施方式中，公开了一种用于控制施加到衬底支撑结构以保持绝缘体型衬底的钳位电压的方法。该方法包括将绝缘体型衬底放置在衬底支撑结构的支撑表面上。该方法还包括向衬底支撑结构内的电极施加初始钳位电压，以在支撑表面上快速积累足够的电荷以保持绝缘体型衬底。该方法还包括产生暴露于绝缘体型衬底的等离子体。该方法还包括向衬底支撑结构内的电极施加脉冲钳位电压。脉冲钳位电压在设定脉冲电压和关断状态电压之间转换。
在一个示例性实施方式中，公开了一种用于保持暴露于等离子体的绝缘体型衬底的系统。该系统包括衬底支撑结构，该衬底支撑结构具有被配置为接收绝缘体型衬底的支撑表面。衬底支撑结构包括电极。衬底支撑结构还包括在电极和支撑表面之间形成的上部导电区域。上部导电区域形成为陶瓷材料，所述陶瓷材料包括一定量的导电掺杂剂材料，所述导电掺杂剂材料被限定为使上部导电区域的rc时间常数小于或等于约20秒。该系统还包括连接到衬底支撑结构的电极的电源。电源配置为向电极提供钳位电压。该系统还包括控制系统，该控制系统被配置成引导电源以步进方式或脉冲方式向电极提供钳位电压，以在衬底支撑结构的支撑表面上积累和保持恰好足以牢固地保持暴露于等离子体的绝缘体型衬底的电荷。
具体而言，本发明的一些方面可以阐述如下：
1.一种用于控制施加到衬底支撑结构以保持绝缘体型衬底的钳位电压的方法，其包括：
将所述绝缘体型衬底定位在所述衬底支撑结构的支撑表面上；
将初始钳位电压施加到所述衬底支撑结构内的电极以在所述支撑表面上积聚足够的电荷以保持所述绝缘体型衬底；
产生暴露于所述绝缘体型衬底的等离子体；
使背面冷却气体流入所述绝缘体型衬底与所述衬底支撑结构之间的区域；
监测来自所述绝缘体型衬底和所述衬底支撑结构之间的所述区域的所述背面冷却气体的泄漏率；以及
在确定所述背面冷却气体的所述泄漏率小于最大容许泄漏率时，向所述衬底支撑结构内的所述电极施加减小的钳位电压。
2.根据条款1所述的方法，其中所述初始钳位电压具有高达约20000伏的绝对值。
3.根据条款1所述的方法，其中所述最大容许泄漏率对应于将所述绝缘体型衬底牢固地保持在所述支撑表面上所需的最小静电力。
4.根据条款1所述的方法，其中所述减小的钳位电压的绝对值比现有钳位电压的绝对值小约1％至约50％。
5.根据条款1所述的方法，其还包括：
(a)维持将所述减小的钳位电压施加到所述衬底支撑结构内的所述电极持续设定时间段；
(b)在所述设定时间段到期后，如果所述背面冷却气体的所述泄漏率小于所述最大容许泄漏率，则向所述衬底支撑结构内的所述电极施加进一步减小的钳位电压；以及
(c)重复操作(a)、(b)和(c)。
6.根据条款5所述的方法，其还包括：
在确定所述背面冷却气体的所述泄漏率不小于所述最大容许泄漏率时，向所述衬底支撑结构内的所述电极施加增大的钳位电压，直到所述背面冷却气体的所述泄漏率减小到小于所述最大容许泄漏率。
7.根据条款6所述的方法，其还包括：
停止产生暴露于所述绝缘体型衬底的所述等离子体；以及
将释放电压施加到所述衬底支撑结构内的所述电极，所述释放电压具有与施加的所述钳位电压的极性相反的极性。
8.一种用于控制施加到衬底支撑结构以保持绝缘体型衬底的钳位电压的方法，其包括：
将所述绝缘体型衬底定位在所述衬底支撑结构的支撑表面上；
向所述衬底支撑结构内的电极施加初始钳位电压以在所述支撑表面上快速积累足够的电荷以保持所述绝缘体型衬底；
产生暴露于所述绝缘体型衬底的等离子体；以及
向所述衬底支撑结构内的所述电极施加脉冲钳位电压，所述脉冲钳位电压在设定脉冲电压和关断状态电压之间转变。
9.根据条款8所述的方法，其中，所述设定脉冲电压下的所述钳位电压的给定脉冲的持续时间在从约1秒延伸到约60秒的范围内。
10.根据条款8所述的方法，其中，所述钳位电压的连续脉冲之间的所述关断状态电压的持续时间在从约3秒延伸到约20秒的范围内。
11.根据条款8所述的方法，其还包括：
在施加所述初始钳位电压之后且在施加所述脉冲钳位电压之前，将恒定电压施加到所述衬底支撑结构内的所述电极持续一段时间，其中所述一段时间是延伸达约300秒的非零时间量。
12.根据条款11所述的方法，其中所述恒定电压等于所述设定脉冲电压。
13.根据条款8所述的方法，其还包括：
使背面冷却气体流入所述绝缘体型衬底与所述衬底支撑结构之间的区域；
监测来自所述绝缘体型衬底和所述衬底支撑结构之间的所述区域的所述背面冷却气体的泄漏率；以及
在确定所述背面冷却气体的所述泄漏率小于最大容许泄漏率时，调整施加到所述衬底支撑结构内的所述电极的所述脉冲钳位电压，以减少所述衬底支撑结构的所述支撑表面上的电荷积累。
14.根据条款13所述的方法，其中调整所述脉冲钳位电压以减少所述支撑表面上的电荷积累包括以下中的一个或多个：缩短所述设定脉冲电压下的所述钳位电压的给定脉冲的持续时间、延长在所述钳位电压的连续脉冲之间的关断状态电压的持续时间、以及减小所述设定脉冲电压。
15.根据条款14所述的方法，其中减小所述设定脉冲电压对应于将现有设定脉冲电压的绝对值减小约1％至约50％。
16.根据条款14所述的方法，其中延长在所述钳位电压的连续脉冲之间的所述关断状态电压的所述持续时间对应于将所述关断状态电压的现有持续时间增加约1％至约50％。
17.根据条款14所述的方法，其中缩短所述设定脉冲电压下的所述钳位电压的所述给定脉冲的所述持续时间对应于将所述设定脉冲电压下的所述钳位电压的所述给定脉冲的现有持续时间减少约1％到约50％。
18.根据条款13所述的方法，其还包括：
在确定所述背面冷却气体的所述泄漏率大于所述最大容许泄漏率时，调整施加到所述衬底支撑结构内的所述电极的所述脉冲钳位电压以增加所述衬底支撑结构的所述支撑表面上的电荷积累。
19.根据条款18所述的方法，其中调整所述脉冲钳位电压以增加所述支撑表面上的电荷积累包括以下一项或多项：延长所述设定脉冲电压下所述钳位电压的所述给定脉冲的所述持续时间、缩短所述钳位电压的连续脉冲之间的所述关断状态电压的所述持续时间、以及增大所述设定脉冲电压。
20.一种用于保持暴露于等离子体的绝缘体型衬底的系统，其包括：
衬底支撑结构，其具有被配置为接收所述绝缘体型衬底的支撑表面，所述衬底支撑结构包括电极，所述衬底支撑结构包括形成在所述电极和所述支撑表面之间的上部导电区域，所述上部导电区域形成为陶瓷材料，所述陶瓷材料包括一定量的导电掺杂剂材料，所述导电掺杂剂材料被限定为使得所述上部导电区域的rc时间常数为小于或等于约20秒；
连接到所述衬底支撑结构的所述电极的电源，所述电源被配置为向所述电极提供钳位电压；和
控制系统，所述控制系统配置成引导所述电源以步进方式或脉冲方式向所述电极提供所述钳位电压，以在所述衬底支撑结构的所述支撑表面上积累和保持恰好足以牢固地保持暴露于所述等离子体的所述绝缘体型衬底的电荷。
通过以下以举例的方式说明本发明的结合附图的详细描述，本发明的其它方面和优点将变得更加显而易见。
附图说明
图1示出了根据本发明的一些实施方式的等离子体处理室的示例性竖直横截面图。
图2a示出了根据本发明的一些实施方式的衬底支撑结构的示例性竖直横截面图。
图2b根据本发明的一些实施方式示出了图2a的衬底支撑结构的竖直横截面图，其中衬底存在于顶部支撑表面上且具有施加到钳位电极的负电压。
图2c根据本发明的一些实施方式示出了图2b中的其上存在衬底的衬底支撑结构的竖直横截面图，其中负电压施加到钳位电极，并且在暴露于衬底的情况下产生等离子体。
图3根据本发明的一些实施方式示出了用于控制以步进方式施加到静电型衬底支撑结构的钳位电压以保持绝缘体型衬底的方法。
图4根据本发明的一些实施方式示出了在应用图3的方法的等离子体处理期间的背面冷却气体泄漏率、背面冷却气体压力和钳位电压的示例图表。
图5根据本发明的一些实施方式示出了用于控制以脉冲方式施加到静电型衬底支撑结构的钳位电压以保持绝缘体型衬底的方法。
图6根据本发明的一些实施方式示出了在应用图5的方法的等离子体处理期间的背面冷却气体泄漏率、背面冷却气体压力和脉冲钳位电压的示例图表。
图7根据本发明的一些实施方式示出了用于保持暴露于等离子体的绝缘体型衬底的系统。
具体实施方式
在以下描述中，阐述了许多具体细节以便提供对本发明的透彻理解。然而，对于本领域技术人员显而易见的是，可以在没有这些具体细节中的一些或全部的情况下实践本发明。在其他情况下，众所周知的处理操作没有被详细描述以免不必要地模糊本发明。
在半导体工业中，半导体衬底可以在诸如电容耦合等离子体(ccp)处理室和电感耦合等离子体(icp)处理室之类的各种类型的等离子体室中进行制造操作。图1示出了根据本发明的一些实施方式的等离子体处理室101的示例性竖直横截面图。等离子体处理室101限定处理体积102，在处理体积102内，在暴露于衬底105的情况下产生等离子体123，从而以受控的方式影响衬底105的变化。在各种制造工艺中，对衬底105的改变可以是对衬底105上的材料或表面状况的改变。例如，在各种制造工艺中，对衬底105的改变可以包括以下中的一个或多个：从衬底105蚀刻材料、在衬底105上沉积材料、或者修改衬底105上存在的材料105。
在这里公开的实施方式中，衬底105是经历制造程序的绝缘体型衬底105。应该理解，衬底105可以基本上是经受基于等离子体的制造工艺的任何类型的绝缘体型衬底105。例如，在一些实施方式中，衬底105可以指由蓝宝石、gan、gaas或sic或其他衬底材料形成的衬底，并且可以包括玻璃面板/基板、聚合物材料等。而且，在各种实施方式中，这里所指的衬底105可以在形式、形状和/或尺寸上变化。例如，在一些实施方式中，这里提及的衬底105可以是具有200mm(毫米)直径、300mm直径或450mm直径的晶片。而且，在一些实施方式中，本文中提及的衬底105可以对应于非圆形衬底，诸如用于平板显示器的矩形衬底等以及其它形状。
在各种实施方式中，等离子体处理室101通过使一种或多种处理气体流入处理体积102中以及通过向一种或多种处理气体施加射频功率以将一种或多种处理气体转化为暴露于衬底105的等离子体123来操作，以便影响衬底105上的材料或表面状况的变化。等离子体处理室101包括衬底支撑结构103，衬底105在处理操作期间定位和支撑在衬底支撑结构103上。
在一些实施方式中，衬底支撑结构103是静电型衬底支撑结构103，其包括一个或多个钳位电极107，该一个或多个钳位电极107被供电以产生用于将衬底105保持在衬底支撑结构103上的静电场。在一些实施方式中，一个或多个钳位电极107由钨形成。然而，在其他实施方式中，一个或多个钳位电极107可以由另一种类型的导电材料形成，该导电材料在被供应直流功率和/或射频功率时适合于产生静电场。在一些实施方式中，一个或多个钳位电极107可以被连接以经由相应阻抗匹配电路113从直流(dc)钳位电源109和/或从射频(rf)钳位电源111接收电功率。阻抗匹配电路113包括电容器和/或电感器的布置，该电容器和/或电感器被配置为确保由射频钳位电源111所遇到的阻抗足够接近射频钳位电源111设计为针对其进行操作的负载阻抗，使得由射频钳位电源111产生并发射的射频信号将以有效的方式传输而没有不可接受的反射。应该理解的是，直流钳位电源109和射频钳位电源111都被配置为在一个或多个钳位电极107上产生电压，其进而产生用于将衬底105保持在衬底支撑结构103上的静电场。在各种实施方式中，在一个或多个钳位电极107上产生的电压可以是正电压或负电压，具体取决于在等离子体处理操作期间需要哪种极性来吸引衬底105。
图2a示出了根据本发明一些实施方式的衬底支撑结构103的示例性竖直横截面图。在一些实施方式中，衬底支撑结构103由陶瓷材料形成并且包括形成在衬底支撑结构103的顶部支撑表面203和钳位电极107之间的上部导电区域201。上部导电区域201可以被称为陶瓷导电层。在一些实施方式中，上部导电区域201内的陶瓷材料掺杂有可用作电荷载流子的材料，例如金属材料。因此，可以设计和控制上部导电区域201的电阻，以获得特定的电性能，例如上部导电区域201内特定的电荷复合速率，其可以进而提供对等离子体处理完成后从衬底支撑结构103释放衬底105所需的时间的控制。例如，在一些实施方式中，上部导电区域201可以用导电掺杂剂材料更重地掺杂，以在等离子体处理完成时提供更快速的电荷复合以及相应地更快速地从衬底支撑结构103释放衬底105。
在衬底支撑结构103内在钳位电极107和顶部支撑表面203之间形成上部导电区域201的情况下，衬底支撑结构103被配置为根据所谓的johnsen-rahbek效应来操作。更具体地说，通过向钳位电极107施加电压，在衬底支撑结构103的顶部支撑表面203上感应出电荷。在顶部支撑表面203上感应的电荷的极性被控制为与在衬底105暴露于等离子体123期间积累在衬底105中的电荷的极性相反，这导致衬底105与顶部支撑表面203之间的静电吸引，并相应地在衬底105与顶部支撑表面203之间建立保持力。
图2b根据本发明的一些实施方式示出了图2a的衬底支撑结构103的竖直横截面图，其中衬底105存在于顶部支撑表面203上，并且负电压被施加到钳位电极107。图2c根据本发明的一些实施方式示出了图2b的其上存在衬底105的衬底支撑结构103的竖直横截面图，其中负电压被施加到钳位电极107并且等离子体123在暴露于衬底105时产生。向钳位电极107施加负电压导致在上部导电区域201的顶部支撑表面203上形成正电荷。此外，由于衬底105是绝缘体型衬底105，所以将衬底105暴露于等离子体123将随着等离子体处理的进行而导致衬底105内的电荷(在该示例中为负电荷)的积累。带负电的衬底105和带正电的顶部支撑表面203之间的静电引力建立了衬底105和顶部支撑表面203之间的保持力。应当理解，在具有适当掺杂的上部导电区域201的情况下，即使在低温等离子体处理操作期间正电荷也可以建立在顶部支撑表面203上。
而且，在衬底105在等离子体处理期间积累正电荷的一些实施方式中，正电压可施加到钳位电极107以在顶部支撑表面203上建立负电荷。在这些实施方式中，衬底105和顶部支撑表面203上的互补电荷将建立衬底105和顶部支撑表面203之间的保持力。在一些实施方式中，向钳位电极107提供正电压可能需要供应更高的电压。因此，在向钳位电极107供应正电压时，要考虑在衬底支撑结构103内发生电击穿的可能性，特别是在上部导电区域201内发生电击穿的可能性。
应该理解的是，因为衬底105由电绝缘材料形成，所以一旦等离子体处理完成，衬底105将自然保持其电荷。因此，不能依靠衬底105来快速释放其电荷以从衬底支撑结构103的顶部支撑表面203及时释放衬底105。已经进行了一些尝试以在衬底105经受等离子体处理之前，通过在衬底105的与衬底支撑结构103的顶部支撑表面203接触的背面上沉积导电材料来实现衬底105的放电。然而，应该认识到，这种在衬底105的背面上的导电材料的沉积增加了电子器件制造工艺的成本和复杂性。而且，在一些情况下，导电材料在衬底105的背面上的沉积会不利地影响形成在衬底105上的电子器件的发光效率，这在制造发光二极管器件或者类似类型的依赖于发光的电子器件时可能是特别有问题的。
另外，作为在衬底105的背面上沉积导电材料的替代方案，已经进行了一些尝试，以通过将衬底支撑结构103的温度升高到非常高的温度(例如，大约500℃或更高)来减少从顶部支撑表面203释放衬底105所需的时间，以增强电荷耗散和复合。然而，应该认识到许多电子器件和衬底105特征不能承受暴露于这种高温。此外，即使存在非常高的温度，从顶部支撑表面203安全地释放衬底105所需的时间也可能大约几分钟，这对于制造产量可能明显具有不利影响。除了施加高温之外，用于加速衬底105的释放的一些其他方法涉及向钳位电极107施加极性相反(即，施加与钳位电压极性相反的极性)的极高电压。然而，极性相反的极高电压的施加可能会损坏在衬底105上形成的电子器件和/或衬底支撑结构103。
鉴于上述情况，应该理解，依靠绝缘衬底105的放电以获得衬底105从衬底支撑结构103的顶部支撑表面203的释放可能是低效的、成本高且有问题的。在完成等离子体处理之后，从顶部支撑表面203释放衬底105所需的时间主要由上部导电区域201的rc常数决定，rc常数是上部导电区域201内的掺杂剂浓度(即电荷载流子浓度)的函数。在一些实施方式中，顶部支撑表面203上存在的电荷通过上部导电区域201耗散和/或复合以释放衬底105会花费几分钟的时间。因此，关于静电型衬底支撑结构103的使用，应该认识到，绝缘体型衬底105的粘着问题主要由衬底支撑结构103内的电荷耗散和/或复合所需的时间来驱动。
因为无论何时将电压施加到钳位电极107上，电荷将积累在顶部支撑表面103处，所以在整个等离子体处理期间向钳位电极107施加恒定电压导致在整个等离子体处理期间顶部支撑表面203上的电荷积累到顶部支撑表面203上的电荷远大于将衬底105牢固地保持到顶部支撑表面203所需电荷的点。在这种情况下，在等离子体处理结束时顶部支撑表面203上的过量电荷不必要地延长了电荷耗散和/或复合以允许从顶部支撑表面203释放衬底105所需的时间。
本文公开的实施方式用于通过控制顶部支撑表面203上的电荷积累量恰好足够用于在衬底105和顶部支撑表面203之间建立并保持足够的保持力来减少从衬底支撑结构103的顶部支撑表面203释放衬底105所需的时间。该方法用于减少并且最小化在完成等离子体处理时释放衬底105所需要的通过上部导电区域201的电荷耗散和/或复合的量。
图3示出了根据本发明的一些实施方式的用于控制以步进方式(step-wisemanner)施加到静电型衬底支撑结构的钳位电压以保持绝缘体型衬底的方法。图3的方法包括以步进方式减小所施加的钳位电压，以最小化在完成等离子体处理时所需的通过衬底支撑结构103的上部导电区域201的电荷耗散和/或复合的量，以获得衬底105从顶部支撑表面203的更快的释放。在等离子体处理完成时为了获得衬底105从顶部支撑表面203的释放所需的通过衬底支撑结构103的上部导电区域201的电荷耗散和/或复合的量可以被称为“电荷分离距离”。由此，图3的方法用于最小化电荷分离距离，以在完成等离子体处理时提供衬底105的更快速的释放，即去除夹持。换句话说，图3的方法用于将衬底支撑结构103的顶部支撑表面203上的电荷积累保持在刚好足以在衬底105和顶部支撑表面203之间提供最小所需保持力的水平，以最小化释放衬底105所需的时间。
该方法包括用于将绝缘体型衬底105定位在静电型衬底支撑结构103上的操作301。该方法还包括操作303，操作303用于将第一钳位电压施加到衬底支撑结构103内的钳位电极107持续第一时间段。第一钳位电压被设定为快速地在衬底支撑结构103的顶部支撑表面203处建立最小所需保持力。第一钳位电压被设定为在顶部支撑表面203处快速积累电荷。而且，第一时间段被设定为确保在顶部支撑表面203处快速积累的电荷量不显著超过在顶部支撑表面203处建立最小所需保持力所需的电荷量。
在一些实施方式中，第一钳位电压被设定在从约-100v(伏特)至约-10000v的范围内。在一些实施方式中，第一钳位电压被设定在从约+100v至约+10000v的范围内。在一些实施方式中，第一钳位电压被设置在从大约-1000v到大约-10000v的范围内。在一些实施方式中，第一钳位电压被设置在从大约+1000v到大约+10000v的范围内。在一些实施方式中，第一钳位电压被设定在从0v延伸到约-6000v的范围内。在一些实施方式中，第一钳位电压被设定在从0v延伸到约+6000v的范围内。在一些实施方式中，第一钳位电压具有高达20000v的绝对值。在一些实施方式中，第一钳位电压被设定为约-20000v。在一些实施方式中，第一钳位电压被设定为大约+20000v。如本文所用，短语“约”给定值意味着与给定值相差正负10％之内。
该方法还包括用于产生暴露于衬底105的等离子体123的操作305。在各种实施方式中，等离子体123将使电荷积聚在绝缘体型衬底105中。出于讨论目的，我们将考虑在衬底105暴露于等离子体123的同时，负电荷积累在衬底105中。该方法还包括用于使背面冷却气体流向衬底105和衬底支撑结构103之间的区域的操作307。在一些实施方式中，背面冷却气体是氦气。然而，在其他实施方式中，背面冷却气体可以基本上是适合于冷却衬底105并且与等离子体处理和暴露于背面冷却气体的材料化学相容的任何类型的气体。在一些实施方式中，在从约1托到约20托的范围内的压强下施加背面冷却气体。在一些实施方式中，背面冷却气体以大于约20托的压强施加。在一些实施方式中，背面冷却气体以从约0.5sccm(标准立方厘米每分钟)至约50sccm的范围内的流速施加。在一些实施方式中，背面冷却气体以小于约0.5sccm的流速施加。在一些实施方式中，背面冷却气体以大于约20sccm的流速施加。
应该理解的是，在各种实施方式中，操作301至307中的任一个可以以不同的顺序和/或同时执行。该方法还包括操作309，操作309用于连续监测来自衬底105和衬底支撑结构103之间的区域的背面冷却气体的泄漏率。更具体地，随着等离子体处理的执行，背面冷却气体的泄漏率被连续监测。该方法包括操作311，操作311用于确定所监测的背面冷却气体的泄漏率是否小于最大容许泄漏率。应该理解的是，最大容许泄漏率表示衬底105被充分地夹持到衬底支撑结构103的顶部支撑表面203。因此，超过最大容许泄漏率的背面冷却气体的泄漏率表明衬底105没有充分地固定到衬底支撑结构103的顶部支撑表面203。在一些示例实施方式中，最大容许泄漏率是大约10sccm。然而，在其他实施方式中，最大容许泄漏率可以大于或小于约10sccm。
如果操作311确定监测到的背面冷却气体的泄漏率小于最大容许泄漏率，则该方法进行操作313以减小施加到钳位电极107的钳位电压持续下一时间段。在一些实施方式中，操作313中钳位电压减小的量可以在执行操作313时存在的先前施加的钳位电压的约1％至约50％的范围内。在一些实施方式中，在操作313中钳位电压减小的量可以在执行操作313时存在的先前施加的钳位电压的约10％至约20％的范围内。而且，在各种实施方式中，随着背面冷却气体的监测到的泄漏率更接近最大容许泄漏率，操作313中钳位电压减小的量可以减小，从而可以更精细地调整钳位电压并相应地更精细地调整存在于衬底支撑结构103的顶部支撑表面203上的电荷。自操作313后，该方法继续进行操作317，以确定下一时间段(在操作313中施加减小的钳位电压持续的时间段)已经到期。如果操作317确定下一时间段已经到期，则该方法返回到311。
此外，返回参考操作311，如果确定背面冷却气体的监测到的泄漏率不小于最大容许泄漏率，则该方法继续进行操作315以增大施加到钳位电极107的钳位电压持续下一时间段。在一些实施方式中，操作315中增大钳位电压的量可以在执行操作315时存在的先前施加的钳位电压的约1％至约50％的范围内。在一些实施方式中，在操作315中增大钳位电压的量可以在执行操作315时存在的先前施加的钳位电压的约10％至约20％的范围内。而且，在各种实施方式中，操作315中的钳位电压增大的量可取决于背面冷却气体的监测到的泄漏率超过最大容许泄漏率的程度。例如，与背面冷却气体的监测到的泄漏率远超出最大容许泄漏率的情况相比，如果背面冷却气体的监测到的泄漏率较接近最大容许泄漏率，则在操作313中钳位电压增大的量较小。自操作315后，该方法继续进行操作317，以确定下一时间段(在操作315中施加增大的钳位电压持续的时间段)是否已经到期。再次，如果操作317确定下一时间段已经到期，则该方法回到311。在一些实施方式中，针对操作313的钳位电压减小时间表(电压减小量和下一时间段的持续时间)和针对操作315的钳位电压增大时间表(电压增大量和下一时间段的持续时间)可以是配方参数，即，被设置为等离子体处理配方的一部分。
在一些实施方式中，图3的方法可以包括用于在完成等离子体处理时向钳位电极107施加反极性的释放电压的操作。例如，如果钳位电压为负极性，则在完成等离子体处理时，可以向钳位电极107施加正极性的释放电压，以加速衬底105从衬底支撑结构103的顶部支撑表面203释放。应当认识到，通过使用由图3的方法提供的钳位电压的步进式调整，可以减少从衬底支撑结构103的顶部支撑表面203释放衬底105所需的时间量，这直接对应于施加反极性的释放电压的时间量的减少。而且，应该理解的是，通过使用由图3的方法提供的钳位电压的步进式调整，可以减小施加的反极性的释放电压的绝对值，以加速衬底105从衬底支撑结构103的顶部支撑表面203释放，这有助于减小由于施加反极性释放电压而对在衬底105上形成的电子器件和/或衬底支撑结构103造成损害的可能性。
图4示出了根据本发明的一些实施方式的在应用图3的方法的等离子体处理期间的背面冷却气体泄漏率、背面冷却气体压强和钳位电压的示例图表。该图表示出了在执行操作303时，将钳位电压-1400v施加到钳位电极107持续第一时间段。然后，该图表示出，在执行操作313时，钳位电压减小了约15％至-1200v。在该特定示例中，当施加-1200v的钳位电压时，背面冷却气体泄漏率保持基本稳定在约8.5sccm。类似地，当施加-1200v的钳位电压时，背面冷却压强保持基本稳定在约8托。而且，在这个特定的示例中，用于施加-1200v的钳位电压的下一时间段延长至等离子体处理结束。另外，该图表示出大约+3000v的反极性的释放电压被施加到钳位电极107以释放衬底105。应当理解的是，如图4的示例图表所示的背面冷却气体泄漏率、背面冷却气体压强、钳位电压和释放电压是以示例的方式提供的，而绝不是限制性的。
图3的方法表明，通过实施钳位电压的步进式调整，可以快速建立衬底105保持力。然后，在等离子体处理的其余阶段期间，达到并维持顶部支撑表面203上的电荷的最小积累，使得衬底105不会无意中从衬底支撑结构103的顶部支撑表面203释放。因此，应该理解，图3的方法提供了1)在衬底支撑结构103的顶部支撑表面203处快速积累电荷，以及2)避免在衬底支撑结构103的顶部支撑表面203处积累比将衬底105固定到顶部支撑表面203上所需要的电荷更多的电荷。换句话说，图3的方法用于建立和保持允许满足最大容许背面冷却气体泄漏率标准的尽可能低的钳位电压。因此，图3的方法在等离子体处理期间有效地建立并维持存在于衬底支撑结构103的顶部支撑表面203处的电荷的上限，这使得在等离子体处理完成时从顶部支撑表面203释放衬底105所需的通过衬底支撑结构103的上部导电区域201的电荷耗散和/或复合的量最小化。另外，作为额外的益处，建立并维持存在于衬底支撑结构103的顶部支撑表面203处的电荷的上限有助于保护衬底支撑结构103和钳位电源免受过量电荷积聚造成的损害。
图5示出了根据本发明的一些实施方式的用于控制以脉冲方式施加到静电型衬底支撑结构以用于保持绝缘体型衬底的钳位电压的方法。图5的方法包括以脉冲方式代替恒定方式施加钳位电压。更具体地说，在图5的方法中，钳位电压在设定脉冲电压和“关断”状态电压之间脉冲。根据等离子体处理期间衬底105上的电荷的极性，设定脉冲电压的极性可以是负的或正的，使得设定脉冲电压的极性在衬底支撑结构103的顶部支撑表面203上感应出相对于在等离子体处理期间积聚在衬底105上的电荷具有相反的极性的电荷。当钳位电压为零时，没有电荷积聚在衬底支撑结构103的顶部支撑表面203上，并且允许先前积聚在顶部支撑表面203上的电荷穿过衬底支撑结构103的上部导电区域201耗散并且复合。因此，在钳位电压的脉冲期间钳位电压处于“关断”状态(即为零或接近零)的总时间用于使得在等离子体处理完成时从顶部支撑表面203释放衬底105所需的通过衬底支撑结构103的上部导电区域201的电荷耗散和/或复合的量最小化。
图5的方法以用于将绝缘体型衬底105定位在静电型衬底支撑结构103上的操作501开始。该方法还包括操作503，操作503用于将第一钳位电压施加到衬底支撑结构103内的钳位电极107持续第一时间段。第一钳位电压被设定为快速地在衬底支撑结构103的顶部支撑表面203处建立最小所需保持力。第一钳位电压被设定为在顶部支撑表面203处快速积累电荷。而且，第一时间段被设定为确保在顶部支撑表面203处快速积累的电荷量不显著超过在顶部支撑表面203处建立最小所需保持力所需要的电荷量。
在一些实施方式中，第一钳位电压被设置在从大约-100v到大约-10000v的范围内。在一些实施方式中，第一钳位电压被设置在从大约+100v到大约+10000v的范围内。在一些实施方式中，第一钳位电压被设置在从大约-1000v到大约-10000v的范围内。在一些实施方式中，第一钳位电压被设置在从大约+1000v到大约+10000v的范围内。在一些实施方式中，第一钳位电压被设定在从0v延伸到约-6000v的范围内。在一些实施方式中，第一钳位电压被设定在从0v延伸到约+6000v的范围内。在一些实施方式中，第一钳位电压具有高达20000v的绝对值。在一些实施方式中，第一钳位电压被设定为约-20000v。在一些实施方式中，第一钳位电压被设定为大约+20000v。在一些实施方式中，第一钳位电压被设定为约-700v。在一些实施方式中，第一钳位电压被设定为大约+700v。
该方法还包括用于生成暴露于衬底105的等离子体123的操作505。在各种实施方式中，等离子体123将使电荷积聚在绝缘体型衬底105中。为了讨论的目的，在此公开的一些示例实施方式考虑到，在衬底105暴露于等离子体123的同时，负电荷积累在衬底105中。然而，应当理解的是，在一些实施方式中，衬底105和等离子体123的状态可以导致正电荷在衬底105中积累。
该方法还包括用于使背面冷却气体流动到衬底105和衬底支撑结构103之间的区域的操作507。在一些实施方式中，背面冷却气体是氦气。然而，在其他实施方式中，背面冷却气体可以基本上是适合于冷却衬底105并且与等离子体处理和暴露于背面冷却气体的材料化学相容的任何类型的气体。在一些实施方式中，背面冷却气体在约1托到约20托的范围内的压强下施加。在一些实施方式中，背面冷却气体在大于约20托的压强下施加。在一些实施方式中，背面冷却气体以在约0.5sccm至约50sccm范围内的流速施加。在一些实施方式中，背面冷却气体以小于约0.5sccm的流速施加。在一些实施方式中，背面冷却气体以大于约20sccm的流速施加。应该理解，在各种实施方式中，操作501至507中的任一个可以以不同的顺序和/或同时执行。
该方法还包括操作509，操作509用于在操作503中施加第一钳位电压的第一时间段完成之后，在设定脉冲电压与“关断”状态电压之间对钳位电压施以脉冲。在一些实施方式中，钳位电压的“关断”状态为零。在一些实施方式中，钳位电压的“关断”状态可以具有小的非零绝对值。在一些实施方式中，操作509中的对钳位电压施以脉冲可以在第二时间段之前，在该第二时间段期间，钳位电压保持在设定脉冲电压。例如，在一些实施方式中，在开始对钳位电压施以脉冲之前钳位电压保持在设定脉冲电压的第二时间段可以是延伸到约300秒的非零时间。在一些实施方式中，在开始对钳位电压施以脉冲之前钳位电压保持在设定脉冲电压的第二时间段约为10秒。在一些实施方式中，在开始对钳位电压施以脉冲之前钳位电压保持在设定脉冲电压的第二时间段可以是电荷在衬底105和/或衬底支撑结构103的顶部支撑表面203上积累的速率的函数。例如，在一些实施方式中，在开始对钳位电压施以脉冲之前钳位电压保持在设定脉冲电压的第二时间段可以是等离子体处理配方步骤时间的百分比。
一旦操作509开始，钳位电压就在设定脉冲电压和“关断”状态电压之间脉冲。在钳位电压的脉冲期间，在设定脉冲电压下的给定脉冲的持续时间可以作为工艺参数被控制并随时间调整。例如，在一些实施方式中，设定脉冲电压下的给定脉冲的持续时间可以在从约1秒延伸到约60秒的范围内。而且，在一些实施方式中，在设定脉冲电压下的给定脉冲的持续时间可以作为等离子体处理配方步骤的持续时间的百分比来控制。例如，如果等离子体处理配方步骤的持续时间是5秒，那么在设定脉冲电压下的给定脉冲的持续时间可以是大约1秒。在另一个示例中，如果等离子体处理配方步骤的持续时间是20秒，则在设定脉冲电压下给定脉冲的持续时间可以是大约4秒。在另一个示例中，如果等离子体处理配方步骤的持续时间是10分钟，则在设定脉冲电压下的给定脉冲的持续时间可以在从约5秒延伸到约50秒的范围内。应该理解，在其他实施方式中，设定脉冲电压下的给定脉冲的持续时间可以不同于上面提供的示例。
而且，在钳位电压的脉冲期间，钳位电压处于连续脉冲之间的“关断”状态电压的持续时间可以作为工艺参数被控制并随时间调整。例如，在一些实施方式中，钳位电压处于连续脉冲之间的“关断”状态电压的持续时间可被控制在从大约3秒延伸到大约20秒的范围内。然而，应该理解，在其他实施方式中，钳位电压处于连续脉冲之间的“关断”状态电压的持续时间可以小于3秒或大于20秒。
此外，可以将设定脉冲电压作为工艺参数进行控制并随时间调整。而且，代表“关断”状态的钳位电压可以作为工艺参数进行控制并随时间进行调整。例如，在一些实施方式中，表示“关断”状态的钳位电压在一些实施方式中可以为零。并且，在其他实施方式中，表示“关断”状态的钳位电压在一些实施方式中可以是非零的。
存在于衬底105上的不同类型的膜和材料可以影响衬底105如何积聚和/或保持电荷，这又继而可以影响在操作509中如何控制钳位电压的脉冲。在一些实施方式中，在操作509中用于控制钳位电压的脉冲的工艺参数的设置可以取决于等离子体处理期间衬底105的状况，并且因此可以根据在衬底105上执行的等离子体处理配方来控制。
该方法还包括操作511，操作511用于连续监测来自衬底105和衬底支撑结构103之间的区域的背面冷却气体的泄漏率。更具体地，随着等离子体处理的执行，背面冷却气体的泄漏率被连续监测。该方法还包括用于确定背面冷却气体的监测到的泄漏率是否小于最大容许泄漏率的操作513。应该理解的是，最大容许泄漏率表示衬底105被充分地夹持到衬底支撑结构103的顶部支撑表面203。因此，超过最大容许泄漏率的背面冷却气体的泄漏率表明衬底105没有充分地固定到衬底支撑结构103的顶部支撑表面203。在一些示例实施方式中，最大容许泄漏率是大约10sccm。然而，在其他实施方式中，最大容许泄漏率可以大于或小于约10sccm。
如果操作513确定所监测的背面冷却气体的泄漏率小于最大容许泄漏率，则该方法继续进行操作515以调整钳位电压的脉冲，从而减少衬底支撑结构103的顶部支撑表面203上的电荷积聚。在各种实施方式中，操作515可以包括以下中的一个或多个：设定脉冲电压的电平的减小、脉冲持续时间的缩短和/或连续脉冲之间的时间的延长。在一些实施方式中，在操作515中设定脉冲电压的电平减小的量可以在设定脉冲电压的先前施加电平的约1％至约50％的范围内。在一些实施方式中，在操作515中设定脉冲电压的电平减小的量可以在设定脉冲电压的先前施加电平的约10％至约20％的范围内。而且，在一些实施方式中，在操作515中脉冲持续时间被缩短的量可以在先前施加的脉冲持续时间的约1％到约50％的范围内。在一些实施方式中，在操作515中脉冲持续时间被缩短的量可以在之前施加的脉冲持续时间的约5％至约20％的范围内。而且，在各种实施方式中，在操作515中连续脉冲之间的时间长度被延长的量可以在连续脉冲之间的先前施加的时间长度的约1％至约50％的范围内。在一些实施方式中，在操作515中连续脉冲之间的时间长度被延长的量可以在连续脉冲之间的先前施加的时间长度的约5％至约20％的范围内。
同样，返回参考操作513，如果确定背面冷却气体的监测到的泄漏率不小于最大容许泄漏率，则该方法进行操作517以调整钳位电压的脉冲，从而增加衬底支撑结构的顶部支撑表面上的电荷积聚。在各种实施方式中，操作517可以包括以下中的一个或多个：设定脉冲电压的电平的增大、脉冲持续时间的延长和/或连续脉冲之间的时间的缩短。在一些实施方式中，在操作517中设定脉冲电压的电平增大的量可以在设定脉冲电压的先前施加电平的约1％至约50％的范围内。在一些实施方式中，在操作517中设定脉冲电压的电平增大的量可以在设定脉冲电压的先前施加电平的约10％至约20％的范围内。而且，在一些实施方式中，在操作517中延长的脉冲持续时间的量可以在先前施加的脉冲持续时间的约1％至约50％的范围内。在一些实施方式中，在操作517中延长的脉冲持续时间的量可以在先前施加的脉冲持续时间的约5％至约20％的范围内。而且，在一些实施方式中，在操作517中连续脉冲之间的时间长度被缩短的量可以在连续脉冲之间的先前施加的时间长度的大约1％到大约50％的范围内。在一些实施方式中，在操作517中连续脉冲之间的时间长度被缩短的量可以在连续脉冲之间的先前施加的时间长度的大约5％到大约20％的范围内。在一些实施方式中，在操作515和517中对钳位电压的脉冲的调整可以是配方参数，即等离子体处理配方的一部分。
而且，在一些实施方式中，图5的方法可以包括用于在完成等离子体处理时向钳位电极107施加反极性释放电压的操作。例如，如果钳位电压为负极性，则在完成等离子体处理时可以向钳位电极107施加正极性的释放电压，以加速衬底105从衬底支撑结构103的顶部支撑表面203释放。在示例性实施方式中，如果钳位电压为负极性，则可以在等离子体处理完成时向钳位电极107施加大约+3000v的正极性的释放电压以加速衬底105从衬底支撑结构103的顶部支撑表面203释放。应当理解的是，在其他实施方式中，施加到钳位电极107以加速衬底105的释放的反极性释放电压可以具有小于或大于3000v的绝对值。
应该理解的是，通过在图5的方法中使用脉冲的钳位电压，可以减少从衬底支撑结构103的顶部支撑表面203释放衬底105所需的时间量，这直接对应于施加反极性的释放电压的时间量的减少。而且，应该理解的是，通过在图5的方法中使用脉冲的钳位电压，可以减小被施加以加速衬底105从衬底支撑结构103的顶部支撑表面203释放的反极性释放电压的绝对值。
在等离子体处理期间，来自等离子体的电子一直在绝缘体衬底105中积聚。因为衬底支撑结构103的上部导电区域201是高电阻导电层，所以衬底支撑结构103的顶部支撑表面203上的电荷将不会立即在上部导电区域201内复合。这意味着积聚在衬底支撑结构103的顶部支撑表面203上的电荷将趋于持续。因此，钳位电压处于“关断”状态的时间越长，顶部支撑表面203上积累的电荷在衬底支撑结构103的上部导电区域201内耗散并复合的时间就越长，该耗散并复合的时间作为上部导电区域201的rc常数的函数。鉴于上述情况，应该认识到，通过在图5的方法中对钳位电压施以脉冲，提供钳位电压的更多“关断”时间以允许顶部支撑表面203上的积累电荷耗散和/或复合，这用于在完成等离子体处理时减少从顶部支撑表面203释放衬底105所需的时间。
在等离子体处理完成时用于释放衬底105的来自顶部支撑表面203的电荷耗散和复合所需的时间可以部分地通过控制在开始在操作509中对钳位电压施以脉冲之前将钳位电压保持在设定脉冲电压下的时间段来控制。在开始对钳位电压施以脉冲之前将钳位电压保持在设定脉冲电压下的该时间段允许衬底105积聚来自等离子体的一些电荷，这确保了在对钳位电压施以脉冲时当钳位电压变为“关断”状态时衬底105被良好地固定到顶部支撑表面203。而且，如前所述，在完成等离子体处理时，用于释放衬底105的来自顶部支撑表面203的电荷耗散和复合所需的时间也可以部分地通过在操作515中调整钳位电压脉冲参数来控制，例如通过调整设定脉冲电压的电平、调整脉冲持续时间、和/或调整连续脉冲之间的时间来控制。
图6示出了根据本发明的一些实施方式的在应用图5的方法的等离子体处理期间的背面冷却气体泄漏率、背面冷却气体压强和脉冲钳位电压的示例图表。该图示出在执行操作503时，将-700v的钳位电压施加到钳位电极107持续第一时间段。然后，该图示出在执行操作509时，设定脉冲钳位电压保持在约-400v持续第二时间段。然后，在该第二时间段之后，在等离子体处理期间，钳位电压在-400v和大约零之间脉冲。在这个示例中，钳位电压在-400v的设定脉冲电压电平下的每个脉冲的持续时间约为4秒。而且，在这个示例中，钳位电压的连续脉冲之间的时间约为4秒。在该特定示例中，在钳位电压的脉冲期间，背面冷却气体泄漏率基本保持稳定。类似地，在钳位电压的脉冲期间，背面冷却气体压强基本保持稳定。另外，该图表示出大约+3000v的反极性的释放电压被施加到钳位电极107以释放衬底105。应当理解的是，图6的示例图中所示的背面冷却气体泄漏率、背面冷却气体压强、钳位电压脉冲调度和释放电压是以示例的方式提供的并且决不是限制性的。
在一些实施方式中，衬底支撑结构103的上部导电区域201的导电材料掺杂特性(以及由此电阻)可以被优化用于与图3和5的方法一起使用以提供来自衬底支撑结构103的顶部支撑表面203的电荷耗散和复合的优化。在一些实施方式中，衬底支撑结构103的上部导电区域201的用于从顶部支撑表面203释放衬底105的rc时间常数为约20秒。然而，在一些实施方式中，随着上部导电区域201的导电材料掺杂的增加，衬底支撑结构103的上部导电区域201的用于从顶部支撑表面203释放衬底105的rc时间常数可以减小到约5秒，甚至更少。图3和5的方法允许从顶部支撑表面203释放衬底105所需的时间与衬底支撑结构103的上部导电区域201的rc时间常数更接近。因此，通过增加上部导电区域201的导电材料掺杂以及以步进方式(图3)或脉冲方式(图5)控制钳位电压，可以显著减少从静电型衬底支撑结构103的顶部支撑表面203释放绝缘体型衬底105所需的时间。
如本文所公开的，绝缘体型衬底105从静电型衬底支撑结构103的顶部支撑表面203快速释放可以通过在多个工艺步骤中逐步减小钳位电压(例如在图3的方法中)和/或通过对钳位电压施以脉冲以避免在衬底支撑结构103的顶部支撑表面203上积累过量电荷(例如在图5的方法中)来实现，同时仅使用等离子体来耗散来自绝缘体型衬底105的电荷。应当理解的是，本文所公开的方法可应用于绝缘体型衬底105，而不管绝缘体型衬底105上具有或不具有导电膜并且不管绝缘体型衬底105是图案化的还是有覆盖层的(blanket)。
图7示出了根据本发明的一些实施方式的用于保持暴露于等离子体123的绝缘体型衬底105的系统。该系统包括具有顶部支撑表面203的衬底支撑结构103，顶部支撑表面203被配置为接收绝缘体型衬底105。衬底支撑结构103还包括一个或多个电极107。衬底支撑结构103包括形成在电极107和顶部支撑表面203之间的上部导电区域201。上部导电区域201形成为陶瓷材料，其包括一定量的导电掺杂剂材料，该导电掺杂剂材料被限定为使得上部导电区域201的rc时间常数小于或等于约20秒。在一些实施方式中，上部导电区域201被形成为陶瓷材料，其包括一定量的导电掺杂剂材料，该导电掺杂剂材料被限定为使得上部导电区域201的rc时间常数小于或等于约5秒。
图7的系统还包括连接到衬底支撑结构103的电极107的电源701。电源701被配置为向电极107提供钳位电压。在一些实施方式中，电源701被配置为向电极107提供直流功率。并且，在一些实施方式中，电源701被配置为通过适当配置的阻抗匹配电路向电极107提供射频功率。
图7的系统还包括控制系统703，该控制系统703被配置为引导电源701以步进方式(诸如关于图3的方法所描述的)或脉冲方式(例如关于图5的方法所描述的)向电极107提供钳位电压以在衬底支撑结构103的顶部支撑表面203上积累并保持恰好足够的电荷，从而牢固地保持暴露于等离子体123的绝缘体型衬底105。在一些实施方式中，控制系统703被配置和连接以接收关于在绝缘体型衬底105和顶部支撑表面203之间施加的背面冷却气体的监测到的泄漏率的输入。在这些实施方式中，控制系统703被配置为引导电源701调整供给到电极107的钳位电压，以便将所监测的背面冷却气体的泄漏率保持在恰好低于背面冷却气体的最大容许泄漏率的水平。
对需要夹紧和松开绝缘体型衬底(例如，蓝宝石和玻璃等)的诸如led芯片之类的固态器件和等离子体处理技术有很高的需求。本文公开的用于控制钳位电压并且因此用于控制将衬底105从衬底支撑结构103释放所需的时间的方法考虑到在绝缘体型衬底105上制造电器件，而没有在衬底105的背面上沉积导电材料的额外成本，并且没有因暴露于过高温度而导致的来自衬底105的器件产量效率的损失，并且没有由于使用机械夹持装置导致衬底105边缘处的器件产量的损失。因此，这里公开的用于在等离子体处理期间控制施加到用于保持绝缘体型衬底105的静电型衬底支撑结构103的钳位电压的方法用于降低电子器件制造成本并增加每个衬底的电子器件产量。
尽管为了清楚理解的目的已经相当详细地描述了前述的发明，但显而易见的是，在所附权利要求的范围内可以实施某些改变和修改。因此，本发明的实施方式被认为是说明性的而非限制性的，并且本发明不限于在此给出的细节，而是可以在所描述的实施方式的范围和等同方案内进行修改。