技术特征：
技术总结
本公开涉及包括邻近晶体管的集成结构。该集成结构包括具有覆在第一栅极电介质之上的第一可控栅极区域的第一MOS晶体管以及邻近第一MOS晶体管并且具有覆在第一栅极电介质之上的第二可控栅极区域的第二MOS晶体管。公共传导区域覆在第一栅极区域和第二栅极区域之上并且通过第二栅极电介质与其分离。公共传导区域包括定位在第一栅极区域和第二栅极区域的部分之上的连续元件以及从连续元件朝向衬底向下延伸直到第一栅极电介质的分支。分支被定位在第一栅极区域和第二栅极区域之间。
技术研发人员：M·巴蒂斯塔;F·塔耶特
受保护的技术使用者：意法半导体(鲁塞)公司
技术研发日：2015.03.20
技术公布日：2018.07.13