技术特征：
技术总结
本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种高di/dt耐量光控晶闸管。本发明的一光控晶闸管，主要为通过缩小元胞宽度和调整器件结构，来优化器件内部电流均匀分布和温度稳定性，进而提升器件的耐电流上升率。另外，本发明由于自身的优点，可以在光源能覆盖的范围内对版图进行调整。本发明的有益效果为，提供了电流分布均匀、温度稳定性高的窄元胞结构的光控晶闸管设计，解决了传统的光控晶闸管(LTT)由于耐电流上升率低而不能很好适应于脉冲功率应用领域。本发明尤其适用于大脉冲功率应用具有高峰值电流能力和高电流增长能力的光控晶闸管。
技术研发人员：陈万军;邓操;高吴昊;夏云;信亚杰;左慧玲
受保护的技术使用者：电子科技大学
技术研发日：2018.03.08
技术公布日：2018.07.17