相变存储器的制作方法

技术特征：

技术总结
一种相变存储器包括具有第一部分和第二部分的L形电阻元件，第一部分在相变材料层与导电过孔的上端部之间延伸，第二部分至少部分地位于导电过孔的上端部上并且可以进一步延伸超过导电过孔的外围边缘。导电过孔的上部被不可能不利地与电阻元件的金属材料发生反应的绝缘材料围绕。

技术研发人员：P·莫林;M·哈蒙德;P·祖里亚尼
受保护的技术使用者：意法半导体（克洛尔2）公司;意法半导体股份有限公司
技术研发日：2018.03.19
技术公布日：2018.11.02