发光模块结构的制作方法

本发明是有关于一种发光模块结构。

背景技术：

发光二极管(light-emittingdiode，led)由于体积小、亮度高、耗能低等优点，近年来已逐渐取代传统光源。发光二极管目前已广泛的应用于背光模块中。现有的直下式背光模块多使用支架型封装，其发光角小且效率差。并且，现有背光模块的光线传递路径较短，因此当发光二极管之间的间距过大时，将导致发光二极管之间出现暗区，造成不良的视觉感受。通过缩小发光二极管之间的间距虽然可以改善上述问题，但缩小间距的同时必须增加发光二极管的数量，因而导致成本提升。

因此，需要一种可以解决上述问题的发光模块结构。

技术实现要素：

根据本发明的各种实施方式，提供一种发光模块结构，包含基板、设置于基板上的多个发光二极管以及覆盖发光二极管的导光层。导光层具有上表面，上述上表面具有多个凹槽，且凹槽位于发光二极管上方。

根据本发明的某些实施方式，发光模块结构还包含设置于基板上的多个抗串扰结构，且抗串扰结构位于发光二极管之间。

根据本发明的某些实施方式，发光模块结构还包含多个散射结构位于基板上，且散射结构配置在两相邻的发光二极管之间，且位于抗串扰结构的相对两侧。

根据本发明的某些实施方式，发光模块结构还包含多个反射结构位于基板上，且反射结构配置在两相邻的发光二极管之间，且位于抗串扰结构的相对两侧。

根据本发明的某些实施方式，发光二极管呈一正六边形排列，且抗串扰结构位于正六边形的中心。

根据本发明的某些实施方式，抗串扰结构包含多个锥体或多个柱体，且抗串扰结构的高度大于或等于发光二极管的高度。

根据本发明的某些实施方式，凹槽具有开口及底部，开口具有宽度，凹槽的底部对准发光二极管，且凹槽底部与对准的发光二极管之间具有垂直距离，开口宽度与垂直距离的比值为0.85-3.5。

根据本发明的某些实施方式，发光模块结构还包含至少一反射结构位于导光层的部分上表面，反射结构具有反射面紧邻上表面，且反射面为散射反射面(scatteringreflection)或镜面反射面。

根据本发明的某些实施方式，凹槽包含锥状凹槽或柱状凹槽。

根据本发明的某些实施方式，凹槽包含沿第一方向延伸的多个第一v型沟渠。

根据本发明的某些实施方式，凹槽还包含沿第二方向延伸的多个第二v型沟渠，第一方向与第二方向不同，第一v型沟渠与第二v型沟渠相交而形成多个交会处。

根据本发明的某些实施方式，发光模块结构还包含荧光粉层或量子点层位于导光层的上表面之上。

根据本发明的某些实施方式，发光模块结构还包含荧光粉层覆盖发光二极管中的至少一个。

根据本发明的某些实施方式，导光层的上表面及凹槽为反射面或折射面。

根据本发明的某些实施方式，发光模块结构还包含凹面结构设置于基板与发光二极管之间。

根据本发明的某些实施方式，发光模块结构还包含透明胶层位于导光层的上表面，并且透明胶层填入凹槽中。

根据本发明的某些实施方式，填入所述多个凹槽中的该透明胶层具有一突出的积胶区域。

根据本发明的某些实施方式，基板具有至少一凹部，且发光二极管中的至少一个对应设置于至少一凹部中，其中，发光二极管为晶片型封装发光二极管。

根据本发明的各种实施方式，提供一种发光模块结构，包含基板、设置于基板上的多个发光二极管以及覆盖发光二极管的导光层。导光层具有上表面，上述上表面具有多个凹槽，且凹槽位于发光二极管之间。

根据本发明的某些实施方式，发光模块结构还包含多个抗串扰结构设置于基板上，且抗串扰结构位于发光二极管之间。

根据本发明的某些实施方式，发光模块结构还包含多个散射结构位于基板上，且散射结构配置在两相邻的发光二极管之间，且位于抗串扰结构的相对两侧。

根据本发明的某些实施方式，发光模块结构还包含多个反射结构位于基板上，且反射结构配置在上述两相邻的发光二极管之间，且位于抗串扰结构的相对两侧。

根据本发明的某些实施方式，发光二极管呈正六边形排列，且抗串扰结构位于正六边形的中心。

根据本发明的某些实施方式，抗串扰结构包含多个锥体或多个柱体，且抗串扰结构的高度大于或等于发光二极管的高度。

根据本发明的某些实施方式，发光模块结构还包含至少一反射结构位于导光层的部分上表面，反射结构具有反射面紧邻上表面，且反射面为散射反射面或镜面反射面。

根据本发明的某些实施方式，凹槽包含沿第一方向延伸的多个第一v型沟渠。

根据本发明的某些实施方式，凹槽还包含沿第二方向延伸的多个第二v型沟渠，第一方向与第二方向不同，第一v型沟渠与第二v型沟渠相交而形成多个交会处。

根据本发明的某些实施方式，发光模块结构还包含透明胶层位于导光层的上表面，并且，透明胶层填入凹槽中。

根据本发明的某些实施方式，填入所述多个凹槽中的该透明胶层具有一突出的积胶区域。

根据本发明的某些实施方式，基板具有至少一凹部，且发光二极管中的至少一个对应设置于至少一凹部中，其中，发光二极管为晶片型封装发光二极管。

附图说明

当读到随附的附图时，从以下详细的叙述可充分了解本揭露的各方面。值得注意的是，根据工业上的标准实务，各种特征不是按比例绘制。事实上，为了清楚的讨论，各种特征的尺寸可任意增加或减少。

图1为根据本发明的各种实施方式绘示的发光模块结构剖面图；

图2a-2b为根据本发明的某些实施方式绘示的发光模块结构的凹槽剖面图；

图3a-3b为根据本发明的某些实施方式绘示的导光层的俯视示意图；

图4a-4b为根据本发明的某些实施方式绘示的发光模块结构的凹槽排列示意图；

图5为根据本发明的某些实施方式绘示的发光模块结构的俯视示意图；

图6为根据本发明的各种实施方式绘示的发光模块结构剖面图；

图7a-7d为根据本发明的某些实施方式的发光模块结构照片；

图8-11为根据本发明的各种实施方式绘示的发光模块结构剖面图；

图12a-12b为根据本发明的某些实施方式绘示的发光模块结构的局部放大示意图；

图13为根据本发明的各种实施方式绘示的发光模块结构剖面图；

图14为根据本发明的各种实施方式绘示的发光模块结构剖面图。

具体实施方式

以下将以附图揭露本发明的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说，在本发明部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化附图起见，一些已知惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式绘示之。

在本文中使用空间相对用语，例如“下方”、“之下”、“上方”、“之上”等，这是为了便于叙述一元件或特征与另一元件或特征之间的相对关系，如图中所绘示。这些空间上的相对用语的真实意义包含其他的方位。例如，当图示上下翻转180度时，一元件与另一元件之间的关系，可能从“下方”、“之下”变成“上方”、“之上”。此外，本文中所使用的空间上的相对叙述也应作同样的解释。

图1为根据本发明的某些实施方式绘示的发光模块结构100的剖面图。请参照图1，发光模块结构100包含基板110、多个发光二极管(例如发光二极管120a、120b)及导光层130。发光二极管120a及120b设置于基板110上。导光层130覆盖发光二极管120a及120b。发光模块结构100还可以包含其他元件，将在以下叙述的。

基板110可以包含任何合适的基板。在某些实施方式中，基板110可以为透明基板或不透明基板。在某些实施方式中，基板110可以为软性基板。因此，发光模块结构100可以应用于高曲面背光形式的发光模块。在其他实施方式中，基板110可以为刚性基板。例如，基板110可以为蓝宝石基板、硅基板、玻璃基板、印刷电路板、金属基板、陶瓷基板，但不限于此。在某些实施方式中，基板110中还可以包含导电结构(未绘示于图1)。在某些实施方式中，基板110可以通过导电结构(未绘示于图1)与发光二极管120a及120b电性连接。

发光二极管120a及120b可以为任何发光波长的发光二极管。在某些实施方式中，发光二极管120a及120b可以为相同的发光二极管。例如，发光二极管120a及120b皆为蓝光发光二极管。在其他实施方式中，发光二极管120a及120b可以为不同的发光二极管。例如，发光二极管120a为蓝光发光二极管，发光二极管120b为紫外光发光二极管。发光二极管120a及120b可以为任何尺寸的发光二极管。在某些实施方式中，发光二极管120a及120b可以为次毫米发光二极管(miniled)。例如，发光二极管120a及120b的尺寸可以分别为约100微米、150微米、200微米、250微米、300微米、350微米或400微米。在其他实施方式中，发光二极管120a及120b可以为微发光二极管(microled)。例如，发光二极管120a及120b的晶粒尺寸可以分别为约30微米、40微米、50微米、60微米、70微米、80微米或90微米。在某些实施方式中，发光二极管120a及120b可以为晶片型封装(chipsizepackage；csp)发光二极管或覆晶式(flipchip)发光二极管。

在某些实施方式中，导光层130包含任何合适的透明胶材。在某些实施方式中，导光层130的折射率为约1.49至约1.6。例如，导光层130可以为硅氧树脂(silicone)，但不限于此。在某些实施方式中，导光层130的上表面132具有凹槽140a、140b，如图1所示。凹槽140a、140b分别位于发光二极管120a及120b的上方。在某些实施方式中，导光层130的上表面132也可以不具有凹槽140a、140b。例如，导光层130的上表面132可以为亮面透明表面。在某些实施方式中，导光层130的上表面132为反射面及/或折射面。导光层130的上表面132可以反射及/或折射发光二极管120发出的光线。

如图1所示，导光层130的上表面132具有凹槽140a、140b，且凹槽140a、140b分别位于发光二极管120a及120b的上方。凹槽140a、140b可以改变光线在导光层130内的全反射角度，使光线均匀分布。凹槽140a具有开口宽度w1a及底部142a，且凹槽140b具有开口宽度w1b及底部142b。在某些实施方式中，凹槽140a的底部142a对准发光二极管120a，凹槽140b的底部142b对准发光二极管120b。在某些实施方式中，凹槽底部142a与发光二极管120a之间具有垂直距离d1a，且开口宽度w1a与垂直距离d1a的比值为0.85-3.5。例如为0.9、1.2、1.5、2.0、2.2、2.5、2.7、3.0或3.2。在某些实施方式中，凹槽底部142b与发光二极管120b之间具有垂直距离d1b，且开口宽度w1b与垂直距离d1b的比值为0.85-3.5。例如为0.9、1.2、1.5、2.0、2.2、2.5、2.7、3.0或3.2。在某些实施方式中，凹槽140a、140b的开口宽度w1a、w1b可以相同或不相同。应了解到，虽然图1中仅绘示两个发光二极管120a及120b及两个凹槽140a、140b，但本发明不限于此，可依需求选择适合数量的发光二极管120及凹槽140a、140b。

请参照图2a-2b。图2a-2b为根据本发明的某些实施方式绘示的发光模块结构的凹槽140a、140b的剖面图。在某些实施方式中，凹槽140a、140b为锥状凹槽(如图2a所示)或柱状凹槽(如图2b所示)，但不限于此。凹槽140a、140b具有底部142a、142b及斜边143a、143b。在某些实施方式中，凹槽140a、140b的底部142a、142b可以为平面，如图2b所示。在其他实施方式中，底部142a、142b也可以为突起或凹陷的弧状(未绘示)。在某些实施方式中，如图2b所示，凹槽140a、140b的顶部宽度w2可以大于凹槽140的底部宽度w3。在某些实施方式中，凹槽140a、140b的斜边143a、143b与垂直底部142a、142b的法线之间具有夹角θ，如图2b所示。在某些实施方式中，夹角θ的范围为44°＜θ＜62°，使光线均匀分布。例如，夹角θ可以是45°、47°、50°、52°、55°、57°或60°。

图3a-3b为根据本发明的某些实施方式绘示的导光层的俯视示意图。在某些实施方式中，凹槽包含沿第一方向d1延伸的多个第一v型沟渠。例如，如图3a所示，发光模块结构包含沿第一方向d1延伸的第一v型沟渠140a、140b、140c及140d。在某些实施方式中，凹槽还包含沿第二方向d2延伸的多个第二v型沟渠，第一方向d1与第二方向d2不同，且第一v型沟渠与第二v型沟渠相交而形成多个交会处。例如，如图3b所示，发光模块结构包含沿第一方向d1延伸的第一v型沟渠140a、140b、140c、140d，以及沿第二方向d2延伸的第二v型沟渠140e、140f、140g、140h。第一v型沟渠140a、140b、140c、140d分别与第二v型沟渠140e、140f、140g、140h相交而形成多个交会处144。在某些实施方式中，多个交会处144可以分别与多个发光二极管120对准。

请参考图4a-4b。图4a-4b为根据本发明的某些实施方式绘示的发光模块结构的凹槽140排列示意图。在某些实施方式中，凹槽140的排列方式可以包含矩阵排列(如图4a所示)或蜂巢排列(如图4b所示)，但不限于此。在某些实施方式中，凹槽140之间的间距s1、s2为2-15mm。

请继续参考图1。在某些实施方式中，发光模块结构100还包含至少一个抗串扰结构150，设置于基板110上。在某些实施方式中，抗串扰结构150位于发光二极管120a及发光二极管120b之间。在某些实施方式中，抗串扰结构150包含二氧化钛、硅氧树脂(silicone)或其组合，但不限于此。抗串扰结构150可散射及/或反射来自于发光二极管120a及发光二极管120b的光线，以避免光线互相干扰。在某些实施方式中，抗串扰结构150包含锥体或柱体，但不限于此。在某些实施方式中，抗串扰结构150的高度h1大于或等于发光二极管120的高度h2。在其他实施方式中，发光模块结构100也可以不具有抗串扰结构150。

图5为根据本发明的某些实施方式绘示的发光模块结构的俯视示意图。在某些实施方式中，发光二极管120可以呈正六边形排列，且抗串扰结构150位于此正六边形的中心。这种排列方式可以使发光模块结构在减少发光二极管120数量的同时，仍具有良好的亮度及均匀度。

请继续参照图1，在某些实施方式中，发光模块结构100还包含至少一个反射结构160，位于导光层130的部分上表面132之上。反射结构160具有反射面162紧邻导光层130的上表面132。在某些实施方式中，反射面162为散射反射面(scatteringreflection)或镜面反射面。在某些实施方式中，反射结构160包含二氧化钛、二氧化硅或其组合，但不限于此。应了解到，图1所示的反射结构160的位置、数量及大小仅为示例，反射结构160可以位于导光层130的上表面132的任意位置上，并且可依需求选择反射结构160的数量及大小。在其他实施方式中，反射结构160也可以被省略。

应了解到，已叙述过的元件连接关系与材料将不再重复赘述，合先叙明。在以下叙述中，将说明其他形式的发光模块结构。

图6为根据本发明的各种实施方式绘示的发光模块结构200剖面图。发光模块结构200与图1所示的发光模块结构100的差异在于，发光模块结构200还包含透明胶层134位于导光层130的上表面132之上。

如图6所示，透明胶层134覆盖导光层130的上表面132并填入凹槽240a、240b中。透明胶层134在凹槽240a、240b中具有突出的积胶区域134a、134b。积胶区域134a、134b可增加发光模块结构200的取光效率，提升发光模块结构200亮度。在某些实施方式中，积胶区域134a、134b具有厚度h3、h4为5-20微米。在某些实施方式中，透明胶层134与导光层130可以由相同的材料组成，并且，透明胶层134的上表面136为反射面或折射面。在这种情况下，导光层130的上表面132也可以不为反射面或折射面。在某些实施方式中，透明胶层134的部分上表面136之上还可以设置有至少一个反射结构160，并且反射结构160的位置、数量及大小并不限于图6中所示。

图7a-7d为根据本发明的某些实施方式的发光模块结构照片。图7a为导光层130的上表面132不具凹槽140的发光模块结构照片。图7b为导光层130的上表面132具有沿第一方向d1延伸的多个第一v型沟渠的发光模块结构照片。图7c为导光层130的上表面132具有沿第一方向d1延伸的多个第一v型沟渠，以及沿第二方向d2延伸的多个第二v型沟渠的发光模块结构照片。图7d为图7c所示的发光模块结构的凹槽中具有积胶区域的发光模块结构照片。由图7a-7d可明显看出，图7d所示的发光模块结构具有最佳的亮度及均匀度。而图7a所示不具凹槽的发光模块结构亮度及均匀度最差。此外，图7c所示的发光模块结构与图7b所示的发光模块结构相比，具有较佳的亮度及均匀度。

图8为根据本发明的某些实施方式绘示的发光模块结构300的剖面图。发光模块结构300与图1所示的发光模块结构100的差异在于，发光模块结构300中的凹槽140并未设置在发光二极管120上方。更明确的说，发光模块结构300的凹槽140可以位于任意两个相邻的发光二极管120之间，但不与发光二极管120重迭。例如，如图8所示，凹槽340b位于发光二极管120a及120b之间，且不与发光二极管120a及120b重迭。应了解到，虽然图8中仅绘示两个发光二极管120a及120b及三个凹槽140a、140b、140c，但本发明不限于此，可依需求选择适合数量的发光二极管120及凹槽140。并且，虽然图8绘示凹槽140b对准抗串扰结构150，但在其他实施方式中，凹槽140b也可以不对准抗串扰结构150。

图9为根据本发明的某些实施方式绘示的发光模块结构400的剖面图。发光模块结构400与图1所示的发光模块结构100的差异在于，发光模块结构400还包含多个底部反射结构152、156及多个底部散射结构154位于基板110上，并设置在两相邻的发光二极管120a及120b之间。

如图9所示，底部散射结构154及底部反射结构152、156设置在两相邻的发光二极管120a及120b之间，并且抗串扰结构150的相对两侧皆具有底部散射结构154及底部反射结构152、156。在某些实施方式中，底部反射结构152邻近发光二极管120a、120b，底部反射结构156邻近抗串扰结构150，并且底部散射结构154位于底部反射结构152及底部反射结构156之间。在某些实施方式中，发光模块结构400可以只具有底部反射结构152或底部反射结构156，但不具有底部散射结构154。在某些实施方式中，发光模块结构400也可以只具有底部散射结构154，但不具有底部反射结构152或底部反射结构156。在某些实施方式中，底部反射结构152、156包含镜面金属材料，例如银、铝，但不限于此。在某些实施方式中，底部散射结构154包含二氧化钛、二氧化硅或其组合，但不限于此。

应了解到，可依需求选择合适的底部散射结构154与底部反射结构152、156的排列、数量及大小，图9仅为示例，并且以下将不再赘述。此外，凹槽的形状、位置及数量可如前文任何实施方式所述，依实际需求而设计，下文将不再赘述。

图10为根据本发明的某些实施方式绘示的发光模块结构500的剖面图。发光模块结构500与图9所示的发光模块结构400的差异在于，发光模块结构500还包含荧光粉层170及荧光粉层172a、172b，荧光粉层170位于导光层130的上表面132上，荧光粉层172a及172b分别位于发光二极管120a及120b上。

如图10所示，荧光粉层170覆盖导光层130的上表面132及凹槽140a、140b，荧光粉层172a覆盖发光二极管120a，荧光粉层172b覆盖发光二极管120b。在某些实施方式中，荧光粉层170可以被量子点层取代。在其他实施方式中，量子点层可以是量子点玻璃管(qdinglasstube)。

在某些实施方式中，荧光粉层172a、172b中的其中一个可以被省略。在其他实施方式中，发光模块结构500也可以只具有荧光粉层170，但不具有荧光粉层172a及172b。在某些实施方式中，荧光粉层170、172a、172b可以分别包含至少一种荧光粉。例如，荧光粉层170可以包含红色、绿色及蓝色荧光粉。在某些实施方式中，荧光粉层172a、172b可以包含不同颜色的荧光粉。例如，荧光粉层172a包含红色荧光粉，荧光粉层172b包含绿色荧光粉。

图11为根据本发明的某些实施方式绘示的发光模块结构600剖面图。请参照图11，发光模块结构600包含基板110、多个发光二极管(例如发光二极管120a、120b)及导光层130发光二极管120a及发光二极管120b设置于基板110上。导光层130设置于基板110上并覆盖发光二极管120a及120b。导光层130的上表面132具有凹槽140a及140b。发光模块结构600还可以包含其他元件，将在以下描述之。

在某些实施方式中，发光模块结构600还包含导电垫112及导电结构118。发光二极管120通过导电垫112与导电结构118电性连接。在某些实施方中，发光模块结构600还包含绝缘材料(未绘示)，位于基板110的下方。图12a-12b为根据本发明的某些实施方式绘示的发光模块结构的局部放大示意图。请参考图12a-12b，在某些实施方式中，基板110与发光二极管120之间具有导电垫112。导电垫112之间具有空腔114，且空腔114中具有凹面结构116。在某些实施方式中，凹面结构116包含镜面金属材料、二氧化钛、二氧化硅或其组合。在某些实施方式中，凹面结构116的截面形状可以为u型(图12a)或v形(图12b)，但不限于此。如图12a-12b所示，发光二极管120发出的光线在凹面结构116的表面处反射，使光线集中向上出光，进而提升发光模块结构的亮度。

请继续参考图11。在某些实施方式中，发光模块结构600还包含多个散射粒子158，散射粒子158可以散布在导光层130中的任意位置上。在某些实施方式中，散射粒子158包含二氧化钛、二氧化硅或其组合，但不限于此。

在某些实施方中，发光模块结构600还包含至少一个反射结构160位于导光层130的部分上表面132之上，且反射结构160具有反射面紧邻导光层130的上表面132。

在某些实施方式中，发光模块结构600还包含抗串扰结构150a及150b、底部反射结构152及底部散射结构154位于基板110上。抗串扰结构150a、150b位于底部反射结构152之上，并且抗串扰结构150a设置于发光二极管120a远离发光二极管120b的一侧，抗串扰结构150b设置于发光二极管120b远离发光二极管120a的一侧。在某些实施方式中，发光模块结构600在发光二极管120a及120b之间还包含至少一抗串扰结构(如图1所示)。在某些实施方式中，底部反射结构152及底部散射结构154设置于发光二极管120a及120b之间、抗串扰结构150a与发光二极管120a之间及抗串扰结构150b与发光二极管120b之间。

如图11所示，在某些实施方式中，光线l1传递至抗串扰结构150a、150b会产生散射及/或反射。因此，光线l1将不会与位于抗串扰结构150a另一侧的发光二极管(未绘示)发出的光线发生串扰(crosstalk)，以进一步提升区域调光(localdimming)的效果。在某些实施方式中，光线l2在导光层130中传递至散射粒子158时会发生散射，使光线更均匀分布。在某些实施方式中，光线l3传递至导光层130上表面132的凹槽140a时发生反射，使得光线l3在导光层130中传递的更远。在某些实施方式中，光线l4在导光层130的上表面132发生反射，将光线l4传递至底部反射结构152，并再次发生反射，使得光线l4可在导光层130中传递更远，借此使发光模块结构在增加发光二极管120之间的间距的同时，仍具有良好的亮度及均匀度，因此可减少发光二极管的使用量。在某些实施方式中，光线l5传递至反射结构160时，反射面162将光线l5反射至底部散射结构154，使光线l5散射，已获得均匀的光线。

图13为根据本发明的某些实施方式绘示的发光模块结构700剖面图。发光模块结构700与图11所示的发光模块结构600的差异在于，发光模块结构700的底部反射结构152及底部散射结构154设置于基板110之下，并且导电结构118设置于基板110中。

在某些实施方式中，发光模块结构700的基板110与导光层130直接接触，且基板110为透明基板。图13所示的发光模块结构700可使发光二极管120发出的光线在透明基板110及导光层130中传递，并被底部反射结构152和/或底部散射结构154反射和/或散射，从而改变光线传递路径，增加光线的传递距离。例如，图13中的光线l4’与图11中的光线l4相比，光线l4’可被传递得更远。

在某些实施方式中，发光模块结构700还包含反射绝缘层180位于底部反射结构152及底部散射结构154之下。在某些实施方式中，反射绝缘层包含二氧化钛、二氧化硅或其组合，但不限于此。

图14为根据本发明的某些实施方式绘示的发光模块结构800剖面图。发光模块结构800与图11所示的发光模块结构600的差异在于，发光模块结构800的基板110具有至少一个凹部(例如凹部190a、190b)，并且发光二极管(例如发光二极管120a、120b)对应设置于凹部中。如图14所示，发光二极管120a、120b分别设置于凹部190a、190b中，并且发光二极管120a、120b通过导电垫112、导电基材192与导电结构118电性连接。需注意的是，为简化附图起见，在图14中省略了抗串扰结构150b、底部反射结构152及底部散射结构154。实际上，发光模块结构800也可以如图11或图13所示设置抗串扰结构150a、150b、底部反射结构152及底部散射结构154。

在某些实施方式中，发光二极管120a、120b可以为晶片型封装(chipsizepackage；csp)发光二极管或覆晶式(flipchip)发光二极管。在某些实施方式中，凹部190具有深度t1，且导电基材192具有高度h5。在某些实施方式中，凹部190的深度t1小于导电基材192的高度h5。在某些实施方式中，发光模块结构800还具有荧光粉层172a、172b分别覆盖发光二极管120a、120b。将图14所示的发光模块结构800应用于背光模块(backlightunit；blu)可以提升模块的白光良率、打件良率、亮度及光角。

如上所述，根据本发明的实施方式，发光模块结构通过导光层与基板的光学设计(例如，导光层上表面的凹槽、反射结构，及基板之上或之下的底部反射结构、底部散射结构及发光二极管之间的抗串扰结构等)，使来自发光二极管的光线可以更均匀地分布，并使光线在导光层中传递的更远。因此，本发明的发光模块结构可减少发光二极管的使用量。并且，本发明的发光模块结构具有较小的光学距离(opticaldistance；od)的效果。

此外，凹槽中具有积胶区域可增加取光效率，进而提升发光模块的亮度。在发光二极管与基板之间的凹面结构具有聚光的作用，可使发光二极管发出的光线集中向上出光，因此可提升发光模块的亮度。

虽然本发明已以实施方式揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟悉此技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视所附的权利要求书所界定的范围为准。