形成含硅外延层的方法和相关半导体装置结构与流程

技术特征：

技术总结
公开了一种用于形成含硅外延层的方法。所述方法可以包括将衬底加热至小于大约950℃的温度和将所述衬底暴露于包含氢化硅源的第一硅源、第二硅源、掺杂剂源以及卤素源。所述方法还可以包括沉积含硅外延层，其中所述含硅外延层内的掺杂剂浓度大于3×1021个原子/立方厘米。

技术研发人员：N·巴尔加瓦;J·托勒;J·玛格蒂斯;M·古德曼;R·维妮
受保护的技术使用者：ASMIP控股有限公司
技术研发日：2018.04.28
技术公布日：2018.11.23