本发明涉及发光二极管及其制造方法。
本申请基于2011年8月11日在日本提出申请的专利申请2011-175888号要求优先权，在此援引其内容。
背景技术：
以往，作为发出红色、红外光的高辉度的发光二极管(英文简称：led)，例如，已知具有下述发光层的化合物半导体发光二极管，所述发光层为由砷化铝镓(组成式alxga1-xas；0≤x≤1)形成的发光层或由砷化铟镓(组成式inxga1-xas；0≤x≤1)形成的发光层。另一方面，作为发出红色、橙色、黄色或黄绿色的可见光的高辉度的发光二极管，例如，已知具有下述发光层的化合物半导体发光二极管，所述发光层由磷化铝镓铟(组成式(alxga1-x)yin1-yp；0≤x≤1，0＜y≤1)形成。
已知这样的化合物半导体发光二极管，例如是通过以下方法制造的，即：将具有上述那样的发光层的化合物半导体层介由反射率高的金属层(反射层)贴附于si等的基板上，然后，通过除去生长用的生长用基板(例如，gaas基板)而制造。此时作为反射层使用的金属，有au、al、ag等。
但是，这样的使用反射率高的金属的反射层，无法与磷化铝镓铟系的化合物半导体层欧姆接合。
另外，若化合物半导体层和反射层直接接触，则化合物半导体层和反射层发生反应而形成合金层，由此存在发生反射率降低的问题的担心。
因此，为了解决这些问题，有一种方法，即：在化合物半导体层和反射层之间夹入透明膜，且以贯穿该透明膜并与化合物半导体层和反射层接触的方式配置欧姆接触电极(参照专利文献1、2)。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利公开2008-282851号公报
专利文献2：日本专利公开2010-067891号公报
技术实现要素：
专利文献1、2中，在化合物半导体层上成膜透明膜后，通过利用掩模的湿法蚀刻对一部分的透明膜进行蚀刻，从而形成贯穿透明膜的孔，在该孔内蒸镀欧姆接触电极的材料，由此形成在透明膜中贯穿设置的欧姆接触电极。
但是，在这样的制造方法中，在形成贯穿透明膜的孔时，首先，在化合物半导体层上成膜透明膜后，形成具有与欧姆接触电极的形成位置对应的开口部的掩模。然后，利用该掩模进行湿法蚀刻，由此除去开口部下部的透明膜，并形成贯穿透明膜的孔。但是，在湿法蚀刻中，通过侧蚀刻，不仅开口部下部的透明膜，其周边的透明膜也会被除去，实际形成的孔会比掩模的开口部大。这样，在上述的制造方法中，难以高精度地形成成为欧姆接触电极的尺寸的孔。而且，若利用该掩模进行欧姆接触电极的材料的蒸镀，则欧姆接触电极以与掩模的开口部大致相同的大小形成，所以有时在透明膜和欧姆接触电极之间产生间隙。
以下，关于上述问题，参照附图进行具体说明。
图14表示通过以往的方法制造的发光二极管200的欧姆接触电极207及其附近的放大剖面示意图。
在通过以往的方法，形成欧姆接触电极207的情况下，如图14所示，可能会在其与透明膜208之间产生间隙。而且，若这样地产生间隙，则当在欧姆接触电极207和透明膜208上形成反射层206时，反射层206会进入该间隙内，与电流扩散层225直接接触。在直接接触的部位，电流扩散层225和反射层206发生反应而形成合金层m”，在发光层206中发出的光会被该合金层m”吸收，所以反射层206的反射率降低。
图15(a)和(b)是通过以往的制造方法得到的发光二极管200的光学显微镜像。图15(a)中，点状较浓的部分对应于欧姆接触电极。图15(b)是其中的1个欧姆接触电极(直径9μm)的附近的放大像。再者，图15(a)是在欧姆电极211形成后，表面电极(未图示)形成前的阶段观察到的光学显微镜像。
在图15(b)的像中，浓淡度较浓地映现出的部位是照射光被吸收，反射率降低的部位。在欧姆接触电极的上部，也就是说欧姆接触电极和电流扩散层接触的部位，欧姆接触电极和电流扩散层发生反应而形成合金层m’，所以图像的浓淡度较浓地映现。另外可知，即使是欧姆接触电极和透明膜之间的部分，图像的浓淡度也较浓地映现，光被吸收，反射率降低。可以认为这是由于反射层进入到欧姆接触电极和透明膜之间，电流扩散层和反射层接触，形成了合金层m”的缘故。
本发明是鉴于上述情况提出的发明，其目的在于提供一种发光二极管及其制造方法，所述发光二极管通过具有能够防止电流扩散层和反射层直接接触，能够阻止合金层的形成的构成，由此防止反射率的降低，能够实现高辉度发光。
本发明人为了实现上述目的进行锐意研究的结果，完成了以下所示的本发明。
一种发光二极管的制造方法，是在基板上依次具有反射层、间隔地埋设有多个欧姆接触电极的透明膜、和依次包含电流扩散层以及发光层的化合物半导体层的发光二极管的制造方法，其特征在于，依次具有：
在生长用基板上形成依次包含发光层以及电流扩散层的化合物半导体层的工序；
在所述电流扩散层上形成间隔地配置的点状的多个欧姆接触电极的工序；
在所述电流扩散层上，以使所述多个欧姆接触电极的表面之中的周缘部以外露出的方式形成透明膜的工序；
在所述透明膜上及所述欧姆接触电极的露出的部分上形成反射层的工序；
在所述反射层上形成接合层的工序；
在所述接合层上接合基板的工序；和
除去所述生长用基板的工序。
一种发光二极管，是在基板上依次具有反射层、间隔地埋设有点状的多个欧姆接触电极的透明膜、和依次包含电流扩散层以及发光层的化合物半导体层的发光二极管，其特征在于，
所述欧姆接触电极的所述基板侧的表面的周缘部被所述透明膜覆盖，
所述欧姆接触电极与所述反射层以及所述电流扩散层接触。
(1)一种发光二极管的制造方法，是在基板上依次具有反射层、间隔地埋设有多个欧姆接触电极的透明膜、依次包含电流扩散层以及发光层的化合物半导体层的发光二极管的制造方法，其特征在于，依次具有：
在生长用基板上形成依次包含发光层以及电流扩散层的化合物半导体层的工序；
在所述电流扩散层上形成间隔地配置的多个欧姆接触电极的工序；
在所述电流扩散层上，以使所述多个欧姆接触电极的表面之中周缘部以外露出的方式形成透明膜的工序；
在所述透明膜上和所述欧姆接触电极的露出的部分上形成反射层的工序；
在所述反射层上形成接合层的工序；
在所述接合层上接合基板的工序；和
除去所述生长用基板的工序。
(2)根据上述(1)所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，在形成所述透明膜的工序中，以覆盖所述多个欧姆接触电极和所述电流扩散层的方式形成所述透明膜后，除去所述欧姆接触电极的表面之中所述周缘部以外的表面上的所述透明膜。
(3)根据上述(1)所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，在形成所述透明膜的工序中，在所述欧姆接触电极的表面之中所述周缘部以外的表面形成掩模，并以覆盖所述多个欧姆接触电极和所述电流扩散层的方式形成所述透明膜后，除去所述掩模。
(4)一种发光二极管，是在基板上依次具有反射层、间隔地埋设有多个欧姆接触电极的透明膜、和依次包含电流扩散层以及发光层的化合物半导体层的发光二极管，其特征在于，
所述欧姆接触电极的所述基板侧的表面的周缘部被所述透明膜覆盖，
所述欧姆接触电极与所述反射层以及所述电流扩散层接触。
(5)根据上述(4)所述的发光二极管，其特征在于，所述周缘部为距所述欧姆接触电极的周端部1.5μm以内的范围内。
(6)根据上述(4)或(5)所述的发光二极管，其特征在于，所述反射层包含：au、ag、cu、al的任一种，或者，含有从这些元素中选择的一种或两种以上元素的合金的任一种。
(7)根据上述(4)～(6)的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述电流扩散层包含gap、{alxga(1-x)}(1-y)inyp、{alxga(1-x)}(1-y)inyas的任一种。
(8)根据上述(4)～(7)的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述透明膜包含sio2、sin、sion、al2o3、mgf2、tio2、tin、zno、ito、izo的任一种。
(9)根据上述(4)～(8)的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述透明膜的膜厚为0.05～1.00μm。
根据上述的构成，形成为欧姆接触电极被埋设在透明电极膜中、且其基板侧的周缘部也被透明电极膜覆盖的构成，所以，能够防止电流扩散层和反射层直接接触，能够阻止合金层的形成。而且，其结果，能够提供防止反射率的降低、能够实现高辉度发光的发光二极管。
附图说明
图1是作为本发明的一个实施方式的发光二极管的剖面示意图。
图2是图1所示的欧姆接触电极7附近的放大剖面示意图。
图3a是作为本发明的一个实施方式的发光二极管的表面电极的平面示意图。
图3b是作为本发明的一个实施方式的发光二极管的欧姆电极的平面示意图。
图3c是作为本发明的一个实施方式的发光二极管的欧姆接触电极的平面示意图。
图3d是重叠地描绘作为本发明的第一个实施方式的发光二极管的表面电极、欧姆电极、欧姆接触电极的平面示意图。
图4是用于说明本发明的基板的制造工序的金属基板的局部的剖面示意图，(a)表示第1工序，(b)表示第2工序，(c)表示第3工序。
图5是用于说明作为本发明的一个实施方式的发光二极管的制造方法的剖面示意图。
图6是用于说明作为本发明的一个实施方式的发光二极管的制造方法的剖面示意图。
图7是用于说明作为本发明的一个实施方式的发光二极管的制造方法的剖面示意图。
图8是用于说明作为本发明的一个实施方式的发光二极管的制造方法的剖面示意图。
图9是用于说明作为本发明的一个实施方式的发光二极管的制造方法的剖面示意图。
图10是用于说明作为本发明的一个实施方式的发光二极管的制造方法的剖面示意图。
图11是用于说明作为本发明的一个实施方式的发光二极管的制造方法的剖面示意图。
图12是用于说明作为本发明的一个实施方式的发光二极管的制造方法的剖面示意图。
图13是本实施例的发光二极管的光学显微镜像，(a)为平面像，(b)为欧姆接触电极的附近的放大平面像。
图14为以往的发光二极管的欧姆接触电极及其附近的放大剖面示意图。
图15为以往的发光二极管的发光二极管的光学显微镜像，(a)为平面像，(b)为欧姆接触电极的附近的放大平面像。
附图标记说明
1基板
1a、1b金属层
1ba上表面
1bb下表面
2金属保护膜
4接合层
5阻挡层
6反射层
7欧姆接触电极
7a周缘部
7b第1主面
7c第2主面
7d侧面
7aa、7ab、7ba、7bb、7bc、7bd、7ca、7cb点状的导电性部件的群
8透明膜
10化合物半导体层
11欧姆电极
11ba、11bb、11ca、11cb、11cc、11cd线状部位
12表面电极
12a焊盘部
12b线状部
12baa、12bab第1直线部
12bba、12bbb、12bca、12bcb、12bcc、12bcd第2直线部
21半导体基板(生长用基板)
100发光二极管
m合金层
具体实施方式
以下，关于应用了本发明的实施方式的发光二极管及其制造方法，利用附图对其构成进行说明。再者，以下的说明中使用的附图，为了容易理解其特征且为了方便而有放大地表示特征部分的情况，各构成要素的尺寸比率等不一定与实际相同。另外，以下的说明中例示的材料、尺寸等为一例，本发明并不被其限定，能够在不改变其要旨的范围适当变更地进行实施。
图1是表示应用了本发明的一个实施方式的发光二极管的一例的剖面示意图。另外，图2是表示图1中的欧姆接触电极7附近的放大剖面示意图。
本实施方式的发光二极管100，是在基板1上依次具有反射层6、间隔地埋设有多个欧姆接触电极7的透明膜8、和依次包含电流扩散层25以及发光层24的化合物半导体层10的发光二极管，其特征在于，欧姆接触电极7的基板1侧的面的周缘部被透明膜8覆盖，欧姆接触电极7与反射层6以及电流扩散层25接触。
在图1所示的例子中，欧姆接触电极7包含多个点状的导电性部件，在该导电性部件之间填充有透明膜8。另外，在反射层6的基板1侧设有接合层4，在该接合层4和反射层6之间设有阻挡层5。
另外，本实施方式中，在化合物半导体层10的与基板1相反侧10a依次设有欧姆电极11和表面电极12。
＜欧姆接触电极＞
欧姆接触电极7包含俯视为点状的多个导电性部件，且被埋入到后述的透明膜内。
再者，欧姆接触电极7和后述的欧姆电极11都为欧姆性的电极，但为了区别两者，本实施方式中分别对两电极标记不同的名称。
本实施方式的欧姆接触电极7的基板1侧的表面的周缘部7a，如图2所示，被透明膜8覆盖。
具体地说明，如图2所示，欧姆接触电极7的表面之中，化合物半导体层10侧的第1主面7b与电流扩散层25接触，侧面7d与透明膜8接触。而且，基板1侧的第2主面7c之中，包含端部的周缘部7a被透明膜8覆盖，第2主面7c之中的没有被透明膜8覆盖的表面，与后述的反射层6接触。也就是说，欧姆接触电极7的表面之中，第1主面7b与电流扩散层25接触，第2主面7c之中，周缘部7a被透明膜8覆盖，其以外的第2主面7c与反射层6接触。
再者，本实施方式的欧姆接触电极7的周缘部7a，从确保欧姆接触电极7与反射层6的充分的密着(密合)性的观点考虑，优选设为距欧姆接触电极7的周端部5.0μm以内、更优选设为1.5μm以内的范围内。
另外，构成本实施方式中的欧姆接触电极7的点状的导电性部件，如图3d所示，在俯视不与表面电极12的焊盘(pad)部12a重叠的、欧姆电极11的线状部位间的中间位置上，或者，在欧姆电极11的两端的线状部位11ba、11bb的外侧的、距该线状部位11ba、11bb的距离d2与到线状部位间的中间位置的距离d1相同程度的位置上，以呈直线状排列的方式配置。欧姆接触电极7的形状，可以为圆柱状、椭圆柱状、环状、线状等。
到欧姆电极11的线状部位间的中间位置的距离d1、d3、和欧姆电极11的两端的线状部位11ba、11bb的外侧的距该线状部位11ba、11bb的距离d2，优选构成为相等的距离，以使得电流均匀扩散。
构成欧姆接触电极7的点状的导电性部件，例如设为使直径为5～20μm左右的圆柱状部件。
另外，在以直线状排列的点状的导电性部件的群中，相邻的导电性部件间的距离设为例如5～40μm左右。
欧姆接触电极7配置在俯视不与表面电极12的焊盘部12a重叠的位置，这是由于若欧姆接触电极7被配置在与焊盘部12a重叠的位置上，则在焊盘部的正下方发出的光被焊盘部吸收的比例变高，光取出效率降低，因此为了避免这种情况的缘故。
作为欧姆接触电极的材料，能够使用aube、auzn等。
＜透明膜＞
透明膜8以填充于构成多个欧姆接触电极7的点状的导电性部件间的方式形成。
作为透明膜8的材料，能够使用sio2、sin、sion、al2o3、mgf2、tio2、tin、zno、ito、izo等。
另外，本实施方式的透明膜8，如上所述，以覆盖欧姆接触电极7的周缘部7a的方式形成。透明膜8，在预先在电流扩散层25上形成多个欧姆接触电极7之后，以覆盖该多个欧姆接触电极7的周缘部7a和电流扩散层25的方式形成，所以，在欧姆接触电极7和透明膜8之间不会产生间隙，能够成为相互密接的结构。另外，通过使欧姆接触电极7和透明膜8相互之间不产生间隙，能够防止电流扩散层25和反射层6直接接触，能够阻止如以往那样的合金层的形成。
再者，本实施方式的透明膜8的膜厚，优选为0.05～1.00μm。若不足0.05μm，则可能导致成膜不足，该情况下，可能会在欧姆接触电极7和透明膜8之间产生间隙。另一方面，从生产率的观点考虑，优选为1.00μm以下。
＜反射层＞
反射层6，使来自发光层24的光通过反射层6向正面方向f反射，从而能够提高在正面方向f的光取出效率，由此，能够使发光二极管更高辉度化。
作为反射层6的材料，能够使用agpdcu合金(apc)、金、铜、银、铝等的金属以及包含从这些元素选择的一种或两种以上元素的合金等。这些材料的光反射率高，能够使光反射率为90％以上。
本实施方式的反射层6，如图2所示，不与电流扩散层25直接接触，而与透明膜8和欧姆接触电极7接触。也就是说，若在以往，反射层会进入透明膜和欧姆接触电极的间隙，与电流扩散层接触，由此存在形成合金层的担心，但在本实施方式中，由于为防止反射层6和电流扩散层25直接接触的结构，所以能够防止如以往那样的合金层的形成。
＜化合物半导体层＞
化合物半导体层10是将多个外延生长的层层叠而成的包含发光层24的化合物半导体的叠层结构体。
作为化合物半导体层10，例如，能够利用发光效率高、且基板接合技术已被确立的algainp层或algainas层等。algainp层是包含由一般式(alxga1-x)yin1-yp(0≤x≤1，0＜y≤1)表示的材料的层。该组成根据发光二极管的发光波长而决定。制作红和红外发光的发光二极管时所使用的algainas层的情况也同样地，构成材料的组成根据发光二极管的发光波长而决定。
化合物半导体层10为n型或p型的任一种传导类型的化合物半导体，在内部形成有pn结。在algainas中也包括algaas、gaas、gainas等。
再者，化合物半导体层10的表面的极性可以为p型、n型的任一种。
另外，如图1所示，化合物半导体层10，例如包含接触层22c、覆盖层23a和发光层24、覆盖层23b、电流扩散层25。再者，覆盖层23a，也可以设为为了提高光取出率而使表面粗面化(粗糙化)的表面粗面化层和覆盖层的2层结构。
接触层22c是用于降低欧姆(ohmic)电极的接触电阻的层，例如，包含掺杂了si的n型的gaas，载流子浓度设为1×1018cm-3，层厚设为0.05μm。
发光层24，例如，包含无掺杂的(al0.1ga0.9)0.5in0.5p/(al0.5ga0.5)0.5in0.5p的20对的叠层结构，层厚设为0.2μm。
发光层24具有双异质结构(doublehetero：dh)、单量子阱结构(singlequantumwell：sqw)或多量子阱结构(multiquantumwell：mqw)等的结构。在这里，双异质结构是封入担负放射再结合的载流子的结构。另外，量子阱结构是具有阱层和夹着阱层的两个势垒层的结构，sqw的阱层为一个，mqw的阱层为两个以上。作为化合物半导体层10的形成方法，能够使用mocvd法等。
为了能够从发光层24得到单色性优异的发光，作为发光层24，优选使用mqw结构。
覆盖层23b，例如，包含掺杂了mg的p型的al0.5in0.5p，载流子浓度设为8×1017cm-3，层厚设为0.5μm。
电流扩散层25，例如，是掺杂了mg的p型gap层，载流子浓度设为5×1018cm-3，层厚设为2μm。再者，作为电流扩散层25，也可以使用{alxga(1-x)}(1-y)inyp、{alxga(1-x)}(1-y)inyas的任一种。
化合物半导体层10的构成不限于上述记载的结构，例如，也可以具有用于限制元件驱动电流通流的区域的电流阻止层或电流狭窄层等。
(电极结构)
图3a是表示本实施方式的表面电极的一例的平面示意图。图3b是表示本实施方式的欧姆电极的一例的平面示意图。图3c是表示本实施方式的欧姆接触电极的一例的平面示意图。图3d是重叠地描绘表面电极、欧姆电极、欧姆接触电极的平面示意图。
＜表面电极＞
表面电极12包含焊盘部12a和连结于焊盘部12的线状部12b。
本实施方式中，焊盘部12a俯视为圆形，但也可以为圆形以外的其他的形状。
线状部12b，例如，包含：在通过圆形的焊盘部12a的中心的直线上从夹着直径的周端(周端部)12aaa、12aab向相互相反方向延伸的两根第1直线部12baa、12bab、和在相对于第1直线部12baa、12bab正交的方向上延伸的六根第2直线部12bba、12bbb、12bca、12bcb、12bcc、12bcd。
本实施方式的线状部12b，为包含焊盘部和连结于该焊盘部的线状部的构成，但不限于这样的构成，例如，也可以由焊盘部和从该焊盘部向多个方向以放射状延伸的多条线状部构成。
另外，本实施方式的线状部12b，为包含两根第1直线部和六根第2直线部的构成，但不限于该根数。
焊盘部12a的尺寸，在为圆形的情况下，将直径设为例如50～150μm左右。
另外，线状部12b的宽度，为了覆盖欧姆电极11的线状部位而使得成为比其宽度宽，设为例如2～20μm左右。关于全部第1直线部和第2直线部，不需要设为相同的宽度，但从均匀的光取出的观点考虑，优选配置在对称的位置上的直线部的宽度相同。
作为表面电极的材料，能够使用au/ti/au、au/pt/au、au/cr/au、au/ta/au、au/w/au、au/mo/au等。
＜欧姆电极＞
如图3b所示，本实施方式的欧姆电极11，包含六根线状部位11ba、11bb、11ca、11cb、11cc、11cd。
本实施方式的欧姆电极11，为包含六根线状部位的构成，但不限于该根数。欧姆电极11，也可以设为在表面电极的线状部12b下不连续地排列的形状、例如点形状电极的排列。
另外，欧姆电极11的各线状部位，配置于俯视不与表面电极12的焊盘部12a重叠的、被表面电极12的线状部12b的六根第2直线部12bba、12bbb、12bca、12bcb、12bcc、12bcd的各直线部覆盖的位置。
即，较长的两根线状部位11ba、11bb分别配置在第2直线部12bba、12bbb的各自的正下方，较短的四根线状部位11ca、11cb、11cc、11cd分别配置在第2直线部12bca、12bcb、12bcc、12bcd的各自的正下方。
这样，欧姆电极11俯视配置在不与表面电极12的焊盘部12a重叠的位置是由于，若欧姆电极11配置在与焊盘部12a重叠的位置则在焊盘部的正下方发出的光被焊盘部吸收的比例增高，光取出效率降低，是为了避免该情况的缘故。
构成欧姆电极11的线状部位的宽度，以被表面电极12的线状部覆盖的方式变为比线状部的宽度窄，例如设为1～10μm左右。关于全部的线状部位，不需要宽度设为相同，但从能够均匀的光取出的观点考虑，优选配置在对称的位置上的线状部位的宽度相同。
作为欧姆电极的材料，能够使用augeni、auge、aunisi、ausi等。
＜阻挡层＞
阻挡层5能够抑制：后述的基板1中包含的金属扩散并与反射层6发生反应。
作为阻挡层5的材料，能够使用镍、钛、铂、铬、钽、钨、钼等。
阻挡层，通过两种以上的金属的组合、例如铂和钛的组合等，能够提高阻挡的性能。
再者，即使不设置阻挡层，通过在接合层中添加这些材料也能够使接合层具有与阻挡层同样的功能。
＜接合层＞
接合层4是用于将含有发光层24的化合物半导体层10等接合于基板1的层。
作为接合层4的材料，可使用化学性稳定且熔点低的au系的共晶金属等。作为au系的共晶金属，例如，能够列举auge、ausn、ausi、auin等的合金的共晶组成。
＜基板＞
基板1，如图1所示，接合于接合层4的与化合物半导体层10相反侧的面。作为基板1，能够使用金属材料、硅、锗等，但从成本方面、机械强度、散热性的观点考虑，优选使用采用金属材料的金属基板。再者，图1所示的基板1表示采用金属基板的情况。
以下，参照附图说明将本实施方式的基板1设为金属基板的一例。
图4(a)～图4(c)是用于说明金属基板的制造工序的金属基板的局部剖面示意图。
本实施方式的基板1(金属基板)，包括：3层的金属层1a、1b、1a和覆盖其上表面1ba和下表面1bb的、对蚀刻剂具有耐性的金属保护膜2。而且，优选用金属保护膜2覆盖金属基板1的侧面。
金属基板1和化合物半导体层10的接合，是通过在金属基板1的接合面(上表面)1ba介由金属保护膜2接合接合层4而进行的。
作为金属保护膜2的材料，优选是包含下述金属的材料，所述金属含有密着性优异的铬、镍、化学性稳定的铂或金中的至少任一种。
最优选：金属保护膜2包含组合了密着性好的镍和耐化学药品性优异的金的层。
金属保护膜2的厚度，没有特别限制，但从相对于蚀刻剂的耐性和成本的平衡考虑，为0.2～5μm，优选0.5～3μm为合适的范围。在为高价的金的情况下，厚度优选为2μm以下。
金属基板1的厚度优选为50μm以上150μm以下。
在金属基板1的厚度比150μm厚的情况下，发光二极管的制造成本上升而不优选。另外，在金属基板1的厚度比50μm薄的情况下，操作时容易发生裂纹、崩碎、翘曲等，可能降低制造成品率。
作为多个金属层的构成，优选为两种金属层即第1金属层和第2金属层交替层叠而成的结构。
每一枚金属基板的第1金属层和第2金属层的层数，优选合计为3～9层，更优选设为3～5层。
在将第1金属层和第2金属层的层数合计设为2层的情况下，在厚度方向的热膨胀变得不均衡，会发生金属基板1的翘曲。相反地，在使第1金属层和第2金属层的层数合计多于9层的情况下，就需要使第1金属层和第2金属层的层厚分别变薄。使包含第1金属层或第2金属层的单层基板的层厚较薄来制作比较困难，可能导致各层的层厚不均匀，从而使发光二极管的特性发生偏差。而且，由于单层基板的制造困难，所以可能会导致发光二极管的制造成本恶化。
更优选第1金属层和第2金属层的层数合计为奇数(该情况下，最外侧的层为第1金属层)。
尤其是作为3层，优选：夹着一层金属层的两层金属层包含相同的金属材料。该情况下，能够使用相同的蚀刻剂，通过湿式蚀刻将进行夹持的两层金属层的与预定切断线相当的部分除去。
金属基板1的表面，按照上述那样有金属保护膜2，但该金属保护膜2若从金属基板1侧以ni膜、au膜的顺序形成，则在作为接合层使用au-si的情况下为优选。另外，也可以在金属基板1的表面形成芯片接合(管芯连接：diebond)用的共晶金属。能够使芯片接合的接合成为电接触稳定的共晶接合。
在化合物半导体层10上接合金属基板1的方法，除了上述的共晶接合以外，还可以应用扩散接合、粘结剂、常温接合等公知的技术。
＜第1金属层＞
第1金属层，在作为第2金属层使用热膨胀系数比化合物半导体层小的材料的情况下，优选包含热膨胀系数至少比化合物半导体层大的材料。通过设为该构成，作为金属基板整体的热膨胀系数接近于化合物半导体层的热膨胀系数，所以能够抑制接合化合物半导体层和金属基板时的金属基板的翘曲和开裂，能够提高发光二极管的制造成品率。因此，在作为第2金属层使用热膨胀系数比化合物半导体层大的材料的情况下，第1金属层优选包含热膨胀系数至少比化合物半导体层小的材料。
作为第1金属层，优选使用例如银(热膨胀系数＝18.9ppm/k)、铜(热膨胀系数＝16.5ppm/k)、金(热膨胀系数＝14.2ppm/k)、铝(热膨胀系数＝23.1ppm/k)、镍(热膨胀系数＝13.4ppm/k)以及它们的合金等。
第1金属层的层厚，优选为5μm以上50μm以下，更优选为5μm以上20μm以下。
再者，第1金属层的层厚和第2金属层的层厚也可以不同。此外，在金属基板1由多个第1金属层和第2金属层形成的情况下，各层的层厚也可以分别不同。
第1金属层的合计的厚度，优选为金属基板1的厚度的5％以上50％以下，更优选为10％以上30％以下，进一步优选为15％以上25％以下。在第1金属层的合计的厚度低于金属基板1的厚度的5％的情况下，热膨胀系数高的第1金属层的效果变小，热沉功能降低。相反地，在第1金属层的厚度超过金属基板1的厚度的50％的情况下，不能够抑制使金属基板1与化合物半导体层10连接时的热所导致的金属基板1的开裂。也就是说，由于第1金属层和化合物半导体层10之间的较大的热膨胀系数差，发生因热所致的金属基板1的开裂，从而导致发生接合不良的情况。
尤其是，在作为第1金属层使用铜的情况下，铜的合计的厚度优选为金属基板1的厚度的5％以上40％以下，更优选为10％以上30％以下，进一步优选为15％以上25％以下。
第1金属层的层厚优选为5μm以上30μm以下，更优选为5μm以上20μm以下。
＜第2金属层＞
第2金属层，在作为第1金属层使用热膨胀系数比化合物半导体层大的材料的情况下，优选包含其热膨胀系数比化合物半导体层的热膨胀系数小的材料。通过设为该构成，作为金属基板整体的热膨胀系数接近于化合物半导体层的热膨胀系数，所以能够抑制接合化合物半导体层和金属基板时的金属基板的翘曲和开裂，能够提高发光二极管的制造成品率。因此，在作为第1金属层使用热膨胀系数比化合物半导体层小的材料的情况下，第2金属层优选包含其热膨胀系数比化合物半导体层的热膨胀系数大的材料。
例如，在作为化合物半导体层使用algainp层(热膨胀系数＝约5.3ppm/k)的情况下，作为第2金属层优选使用钼(热膨胀系数＝5.1ppm/k)、钨(热膨胀系数＝4.3ppm/k)、铬(热膨胀系数＝4.9ppm/k)以及它们的合金等。
[发光二极管的制造方法]
然后，对本发明的一个实施方式即发光二极管的制造方法进行说明。
本实施方式的发光二极管的制造方法，其特征在于，依次具有：在生长用基板上形成依次包含发光层以及电流扩散层的化合物半导体层的工序；在电流扩散层上形成间隔地配置的多个欧姆接触电极的工序；在电流扩散层上以使多个欧姆接触电极的表面之中的周缘部以外露出的方式形成透明膜的工序；在透明膜上和欧姆接触电极的露出的部分上形成反射层的工序；在反射层上形成接合层的工序；在接合层上接合基板的工序；和除去生长用基板的工序。
＜基板的制造工序＞
作为本实施方式的基板，能够采用金属基板、硅基板、锗基板，但以下对作为基板1使用金属基板的情况进行说明。
图4(a)～图4(c)是用于说明金属基板的制造工序的金属基板的局部剖面示意图。
本实施方式中，采用热膨胀系数比化合物半导体层10的材料大的第1金属层1b和热膨胀系数比化合物半导体层10的材料小的第2金属层1b，进行热压，而形成基板1(金属基板)。
具体地讲，首先，准备两枚大致平板状的第1金属层1b和一枚大致平板状的第2金属层1a。例如，作为第1金属层1b使用厚度10μm的cu，作为第2金属层1a使用厚度75μm的mo。
然后，如图4(a)所示，在两枚第1金属层1b之间插入第2金属层1a并将它们重叠地配置。
然后，将重合的这些金属层配置在规定的加压装置上，在高温下沿箭头方向对第1金属层1b和第2金属层1a施加载荷。由此，如图4(b)所示，形成第1金属层21为cu、第2金属层22为mo、且包含cu(10μm)/mo(75μm)/cu(10μm)这3层的金属基板1。
金属基板1，例如，热膨胀系数为5.7ppm/k，热传导率为220w/m·k。
然后，如图4(c)所示，形成覆盖金属基板1的整个面、即上表面、下表面和侧面的金属保护膜2。此时，金属基板处于为了单片化(个片化)成各发光二极管而被切断前，金属保护膜覆盖的侧面为金属基板(板)的外周侧面。
因此，在用金属保护膜2覆盖单片化后的各发光二极管的金属基板1的侧面的情况下，另行实施用金属保护膜覆盖侧面的工序。
图4(c)表示金属基板(板)的非外周端侧的部位的局部，外周侧面的金属保护膜在图中没有表示。
金属保护膜能够使用公知的膜形成方法，但最优选能够在包含侧面在内的全部面进行膜形成的镀覆法。
例如，对于无电解镀法而言，镀镍之后，镀金，能够制作用镍膜和金膜(金属保护膜)覆盖金属基板的上表面、侧面、下表面的金属基板6。
镀层材质没有特别限制，能够应用铜、银、镍、铬、铂、金等公知的材质，但组合密着性好的镍和耐化学药品性优异的金的层最合适。
镀覆法能够使用公知的技术、药品。不需要电极的无电解镀法因简便而优选。
＜化合物半导体层的形成工序＞
首先，如图5所示，在半导体基板(生长用基板)21的一面21a上，生长多个外延层，形成含有化合物半导体层10的外延叠层体30。
半导体基板21为外延叠层体30形成用基板，例如，是一面21a为从(100)面倾斜了15°的面的、掺杂了si的n型的gaas单晶基板。在作为外延叠层体30使用algainp层或algaas层的情况下，作为形成外延叠层体30的基板，能够使用砷化镓(gaas)单晶基板。
作为化合物半导体层10的形成方法，能够使用有机金属化学气相生长(金属有机化学气相沉积：metalorganicchemicalvapordeposition：mocvd)法、分子束外延(molecularbeamepitaxicy：mbe)法、液相外延(liquidphaseepitaxicy：lpe)法等。
本实施方式中，利用将三甲基铝((ch3)3al)、三甲基镓((ch3)3ga)以及三甲基铟((ch3)3in)用于iii族构成元素的原料的减压mocvd法，使各层外延生长。
再者，mg的掺杂原料中，使用双(环戊二烯基)镁((c5h5)2mg)。另外，在si的掺杂原料中使用乙硅烷(si2h6)。另外，作为v族构成元素的原料，使用膦(ph3)或胂(ash3)。
再者，p型的电流扩散层(gap层)25，例如在750℃使其生长，其他的外延生长层，例如在730℃使其生长。
具体地讲，首先，在半导体基板21的一面21a上，形成包含掺杂了si的n型的gaas的缓冲层22a。作为缓冲层22a，例如，使用掺杂了si的n型的gaas，载流子浓度设为2×1018cm-3，层厚设为0.2μm。
然后，本实施方式中，在缓冲层22a上，形成包含掺杂了si的n型的(al0.5ga0.5)0.5in0.5p的蚀刻停止层22b。
蚀刻停止层22b是用于在将半导体基板蚀刻除去时防止直到覆盖层以及发光层被蚀刻的层，例如，包含掺杂si的(al0.5ga0.5)0.5in0.5p，层厚设为0.5μm。
然后，在蚀刻停止层22b上，形成包含掺杂了si的n型的gaas的接触层22c。
然后，在接触层22c上，形成包含掺杂了si的n型的al0.5in0.5p的覆盖层23a。
再者，覆盖层23a可以设为为了提高光取出而使表面粗面化的表面粗面化层和覆盖层的2层结构。该情况下，在形成覆盖层23a之前，形成表面粗面化层即可，作为表面粗面化层，能够使用掺杂了si的n型的(al0.5ga0.5)0.5in0.5p。
然后，在覆盖层23a上，形成发光层24，所述发光层包含无掺杂的(al0.1ga0.9)0.5in0.5p/(al0.7ga0.3)0.5in0.5p的20对的叠层结构。
然后，在发光层24上，形成包含掺杂了mg的p型的al0.5in0.5p的覆盖层23b。
然后，在覆盖层23b上，形成掺杂了mg的p型的gap层(电流扩散层)25。
然后，将p型的gap层25的与半导体基板21相反侧的表面25a从表面进行镜面研磨到1μm的深度，使表面的粗糙度为例如0.18nm以内。
再者，在覆盖层23a、23b和发光层24之间也可以设置引导层。
＜欧姆接触电极的形成工序＞
下面，如图6所示，在电流扩散层25上形成多个欧姆接触电极7。
首先，在电流扩散层25上形成具有与欧姆接触电极7的形成位置对应的开口部的掩模，利用蒸镀法，在电流扩散层25上形成多个构成欧姆接触电极7的导电性部件、例如aube合金。此时，在以直线状排列的多个欧姆接触电极7的群中，相邻的欧姆接触电极7间的距离设为例如5～40μm。
再者，多个欧姆接触电极7以呈直线状排列的方式形成于俯视不与在后面的工序中形成的表面电极12的焊盘部12a重叠的位置。
作为欧姆接触电极7的形状，例如能够形成为直径设为5～20μm左右的圆柱状部件，但不限于此。
另外，欧姆接触电极7的厚度优选为0.05～1.00μm。
＜透明膜的形成工序＞
然后，如图7所示，在电流扩散层25整个面，以覆盖多个欧姆接触电极7的方式形成构成透明膜8的sio2膜8a。作为形成sio2膜8a的方法，例如有cvd法。再者，作为构成透明膜8的材料，能够使用sio2、sin、sion、al2o3、mgf2、tio2、tin、zno、ito、izo等。
另外，此时的sio2膜8a的膜厚优选为0.05～1.00μm。
然后，如图8所示，利用光刻技术以及蚀刻技术，以使多个欧姆接触电极7的表面之中的周缘部7a以外露出的方式除去sio2膜8a。由此，在电流扩散层25整个面以及欧姆接触电极7的周缘部7a上形成透明膜8。
具体地说明，首先，以覆盖多个欧姆接触电极7的方式形成sio2膜8a后，在sio2膜8a上形成：欧姆接触电极7的表面之中的周缘部7a以外露出那样的光致抗蚀剂图案，利用氢氟酸系的蚀刻剂，除去欧姆接触电极7上的周缘部7a以外的sio2膜8a。由此，能够以覆盖电流扩散层25和欧姆接触电极7的周缘部7a的方式形成透明膜8。
再者，以覆盖电流扩散层25和欧姆接触电极7的周缘部7a的方式形成透明膜8的方法，不限于上述方法，例如，也可以在形成欧姆接触电极7后，在欧姆接触电极7的表面之中的周缘部7a以外的表面形成掩模，然后以覆盖多个欧姆接触电极7和电流扩散层25的方式形成透明膜8。
这样，通过在预先形成欧姆接触电极7后，以覆盖欧姆接触电极7的周缘部7a和电流扩散层25的方式形成透明膜8，能够防止发生：以往的问题即在透明膜和欧姆接触电极之间产生间隙。
＜反射层的形成工序＞
然后，如图9所示，在欧姆接触电极7和透明膜8上形成反射层6。
具体地讲，例如，利用蒸镀法，在欧姆接触电极7和透明膜8上形成包含apc或au的反射层6。此时，在欧姆接触电极7和透明膜8之间没有间隙，为相互密接的状态，所以能够不侵入欧姆接触电极7和透明膜8之间地形成反射层6。
＜阻挡层的形成工序＞
然后，如图9所示，在反射层6上形成阻挡层5。
具体地将，例如，利用蒸镀法，在反射层6上形成包含镍的阻挡层5。
＜接合层的形成工序＞
然后，如图9所示，在阻挡层5上形成接合层4。
具体地讲，例如，利用蒸镀法，在阻挡层5上形成包含作为au系共晶金属的auge的接合层4。
＜基板的接合工序＞
然后，如图10所示，将形成了外延叠层体30、反射层6等的半导体基板21和在基板的制造工序中形成的金属基板1运入减压装置内，进行配置使得其接合层4的接合面4a和金属基板1的接合面1a相对地重合。
然后，将减压装置内排气至3×10-5pa后，将重合了的半导体基板21和金属基板1在加热到400℃的状态下，施加500kg的载荷，对接合层4的接合面4a和金属基板1的接合面1a进行接合，形成接合结构体40。
＜半导体基板和缓冲层除去工序＞
然后，如图11所示，从接合结构体40采用氨系蚀刻剂选择性地除去生长用基板(半导体基板)21和缓冲层22a。
此时，本发明的金属基板被金属保护膜覆盖着，相对于蚀刻剂的耐性高，因此能够防止金属基板品质劣化。
＜蚀刻停止层除去工序＞
然后，利用盐酸系蚀刻剂选择性地除去蚀刻停止层22b。由此，形成包含发光层24的化合物半导体层10。
本发明的金属基板被金属保护膜覆盖着，相对于蚀刻剂的耐性高，因此，能够防止金属基板品质劣化。
＜欧姆电极的形成工序＞
然后，如图12所示，在化合物半导体层10的与欧姆接触电极7相反侧的表面形成欧姆电极11。
具体地讲，例如，利用蒸镀法，在整个面形成厚度0.1μm的augeni合金膜，然后，利用光刻技术和蚀刻技术，对包含augeni合金的膜进行图案化(图案形成)，形成图3b所示那样的包含六根线状部位11ba、11bb、11ca、11cb、11cc、11cd的欧姆电极11。
利用在上述欧姆电极形成工序的图案化中所使用的掩模，利用例如氨水(nh4oh)/过氧化氢(h2o2)/纯水(h2o)混合液，蚀刻除去接触层12c之中的、欧姆电极11下方以外的部分。由此，欧姆电极11和接触层12c的平面形状，如图12所示那样，成为实质上相同的形状。
欧姆电极11的各个线状部位，形成于俯视不与在后述的工序中形成的表面电极12的焊盘部12a重叠的、被表面电极12的线状部12b覆盖的位置。
＜表面电极的形成工序＞
然后，在化合物半导体层10的与欧姆接触电极7相反侧的表面，以覆盖欧姆电极11的方式，形成包含焊盘部12a和连结于该焊盘部的线状部12b的表面电极12。
具体地讲，例如，利用蒸镀法，在整个面上依次形成厚度0.3μm的au层、厚度0.3μm的ti层、厚度1μm的au层，然后，利用光刻技术和蚀刻技术，对au/ti/au膜进行图案化，形成图3a所示那样的包含焊盘部12a和连结于该焊盘部的线状部12b的表面电极12，所述线状部12b包含两根第1直线部12baa、12bab和六根第2直线部12bba、12bbb、12bca、12bcb、12bcc、12bcd。
第2直线部的每一个，形成于覆盖构成欧姆电极11的六根线状部位的各线状部位的位置上。
＜单片化工序＞
然后，将晶片上的发光二极管进行单片化。
除去进行切断的区域的半导体层后，通过激光将包含在以上的工序中形成的基板1的结构体以例如350μm的间隔切断，制作发光二极管100。
＜基板侧面的金属保护膜形成工序＞
已被单片化的各发光二极管100中，在基板1的侧面没有形成金属保护膜，但也可以在与上表面和下表面的金属保护膜的形成条件同样的条件下，在被切断了的基板1的侧面形成金属保护膜。
实施例
以下，基于实施例具体说明本发明。但是本发明不仅限于这些实施例。
(实施例1)
实施例1是图1和图2所示的实施方式的实施例。
实施例1的发光二极管，首先，将厚度75μm的mo层(箔、板)用两枚厚度10μm的cu层(箔、板)夹着，进行加热压接而形成厚度95μm的金属板(单片化的切断前)。对该金属板的上表面和下表面进行研磨，使上表面成为光泽面后，用有机溶剂进行清洗，除去污物。然后，在该金属板的整个面上，通过无电解镀法依次形成作为金属保护膜的2μm的ni层、1μm的au层，从而制作了金属基板(单片化的切断前的金属基板)1。
然后，在由掺杂了si的n型的gaas单晶形成的gaas基板21上依次层叠化合物半导体层，从而制作了发光波长620nm的外延晶片。
gaas基板21，将从(100)面向(0-1-1)方向倾斜了15°的面作为生长面，载流子浓度设为1×1018cm-3。作为化合物半导体层，为：由掺杂了si的gaas形成的n型的缓冲层22a、由掺杂了si的(al0.5ga0.5)0.5in0.5p形成的蚀刻停止层22b、由掺杂了si的gaas形成的n型的接触层22c、由掺杂了si的(al0.5ga0.5)0.5in0.5p形成的n型的表面粗面化层23aa、由掺杂了si的al0.5in0.5p形成的n型的上部覆盖层23ab、由20对的(al0.1ga0.9)0.5in0.5p/(al0.5ga0.5)0.5in0.5p形成的阱层/势垒层的发光层24、由al0.5in0.5p形成的p型的下部覆盖层23b、由掺杂了mg的p型gap形成的电流扩散层25。
本实施例中，利用减压有机金属化学气相沉积装置法(mocvd装置)，在直径50mm、厚度350μm的gaas基板上使化合物半导体层外延生长，形成外延晶片。在使外延生长层生长时，作为iii族构成元素的原料，使用三甲基铝((ch3)3al)，三甲基镓((ch3)3ga)以及三甲基铟((ch3)3in)。另外，作为mg的掺杂原料，使用双(环戊二烯基)镁(bis-(c5h5)2mg)。另外，作为si的掺杂原料，使用乙硅烷(si2h6)。另外，作为v族构成元素的原料，使用膦(ph3)、胂(ash3)。另外，作为各层的生长温度，由p型gap形成的电流扩散层在750℃使其生长。其他的各层在700℃使其生长。
由gaas形成的缓冲层，载流子浓度设为约1×1018cm-3，层厚设为约0.5μm。蚀刻停止层，载流子浓度设为1×1018cm-3，层厚设为约0.5μm。接触层，载流子浓度设为约1×1018cm-3，层厚设为约0.05μm。表面粗面化层，载流子浓度设为1×1018cm-3，层厚设为约3μm。上部覆盖层，载流子浓度设为约2×1018cm-3，层厚设为约0.5μm。阱层，设为无掺杂且层厚为约5nm的(al0.1ga0.9)0.5in0.5p，势垒层设为无掺杂且层厚为约5nm的(al0.5ga0.5)0.5in0.5p。另外，交替层叠了20对的阱层和势垒层。下部覆盖层，载流子浓度设为约8×1017cm-3，层厚设为约0.5μm。由gap形成的电流扩散层，载流子浓度设为约5×1018cm-3，层厚设为约3μm。
然后，将电流扩散层25从表面研磨到约2μm的深度的区域，进行了镜面加工。通过该镜面加工，使电流扩散层的表面的粗糙度为0.18nm。
然后，在电流扩散层25上，形成具有与欧姆接触电极7的形成位置对应的开口部的掩模，利用蒸镀法，形成图3c所示的图案的由aube合金形成的欧姆接触电极7。构成欧姆接触电极7的圆柱状的导电性部件，使其直径为9μm，使直线上相邻的导电性部件的间隔为10μm。
然后，利用cvd法，在电流扩散层25整个面，以覆盖欧姆接触电极7的方式形成了sio2膜8a。此时，sio2膜8a的厚度设为0.3μm。
然后，在sio2膜8a上形成：欧姆接触电极7的表面之中的周缘部7a以外露出那样的光致抗蚀剂图案，利用氢氟酸系的蚀刻剂，除去欧姆接触电极7上的周缘部7a以外的sio2膜8a。由此，以覆盖电流扩散层25和欧姆接触电极7的周缘部7a的方式形成了由sio2形成的透明膜8。
然后，利用蒸镀法，在透明膜8和欧姆接触电极7上形成厚度0.7μm的au膜构成的反射层6。
然后，利用蒸镀法在反射层6上形成厚度0.5μm的ti膜形成的阻挡层5。
然后，利用蒸镀法，在阻挡层5上形成厚度1.0μm的auge形成的接合层4。
然后，将在gaas基板21上形成了化合物半导体层和反射层6等的结构体(参照图9)、和金属基板1以相对重合的方式配置，并运入减压装置内，以在400℃加热了的状态，以500kg重的载荷将它们接合，形成了接合结构体。
然后，利用氨系蚀刻剂从接合结构体选择性地除去化合物半导体层的生长基板即gaas基板21、和缓冲层22a，而且，利用盐酸系蚀刻剂选择性地除去蚀刻停止层22b。
然后，在化合物半导体层10的与欧姆接触电极7相反侧的表面，利用蒸镀法，形成图3b所示的图案的厚度0.1μm的augeni合金形成的欧姆电极11。
六根线状部位的宽度都设为4μm，线状部位11ba、11bb的长度设为270μm，线状部位11ca、11cb、11cc、11cd的长度设为85μm。
然后，在化合物半导体层10的与欧姆接触电极7相反侧的表面，以覆盖欧姆电极11的方式，利用蒸镀法形成图3a所示的图案的厚度1.6μm的包含焊盘部12a和线状部12b的表面电极12。
焊盘部12a的直径设为100μm，关于线状部12b的宽度，第1直线部和第2直线部都设为8μm。
另外，第1直线部12baa、12bab的长度设为43μm，第2直线部12bba、12bbb的长度设为270μm，第2直线部12bca、12bcb、12bcc、12bcd的长度设为100μm。
然后，将用于分离成芯片的预定切断部分从化合物半导体层10除去直到接合层4为止，通过激光切片将金属基板1以350μm间距切断成正方形。
然后，将以上述的方式制作的实施例1的发光二极管芯片安装在装配(mount)基板上，组装了发光二极管灯。
然后，对该发光二极管(发光二极管灯)的特性进行评价。
图13(a)是本实施例的发光二极管的光学显微镜像。再者，另外，图13(b)是图13(a)所示的发光二极管中的欧姆接触电极7和透明膜25的放大像。再者，图13(a)与图15(a)同样地，是在欧姆电极11形成后、表面电极形成前的阶段观察到的光学显微镜像。
已知：在以往的发光二极管的光学显微镜像(参照图15)中，在欧姆接触电极和透明膜的间隙中，电流扩散层和反射层接触，形成了合金层。另一方面已知：在本实施例的发光二极管的光学显微镜(参照图13)中，不会形成电流扩散层与反射层的合金层。因此，本实施例的发光二极管，与以往的发光二极管相比较，反射率提高。
具体而言，在n型和p型欧姆电极间流通了电流的结果，射出了支配波长620nm的红色光。正向地流通20毫安(ma)的电流时的正向电压(vf)为1.91v。将正向电流设为20ma时的发光输出功率为8.2mw，与以往相比提高了约5％。
将20个该灯在温度60℃、湿度90％的高温高湿环境下，实施1000小时的通电试验(30ma通电)。其发光输出功率的残存率的平均值为98％，vf的变动几乎没有，为99％。
产业上的利用可能性
本发明能够应用于发光二极管及其制造方法。