技术特征：
技术总结
本发明公开了一种具有温差发电机构的III‑V HEMT器件，包括源极、栅极、漏极、第一半导层、第二半导体层、第一金属层、N型热电材料、P型热电材料、第二金属层、第三金属层、电绝缘的热良导体散热层、电阻和二极管；而本发明在器件中引入了温差发电机构，回收了现有器件沟道中被浪费的能量，提高了器件的效率，减小了能量的损失，具有节约能源的优势。
技术研发人员：董志华;蒋俊杰;李仕琦;刘国华;刘杰;程知群
受保护的技术使用者：杭州电子科技大学
技术研发日：2018.06.28
技术公布日：2018.12.18