晶圆翘曲调整结构及其形成方法与流程

技术特征：

技术总结
本发明涉及一种晶圆翘曲调整结构及其形成方法，所述晶圆翘曲调整结构包括：晶圆，所述晶圆包括相对的正面和背面，所述正面用于形成半导体器件；位于所述晶圆背面的刻蚀结构；填充所述刻蚀结构的应力层。所述晶圆翘曲结构的应力层形成于刻蚀结构中，有利于提高应力作用效果，以利于调整晶圆的翘曲状态。

技术研发人员：宋海;王秉国;刘松
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2018.07.19
技术公布日：2018.10.12