1.一种偏脊结构带有焊线图形的半导体激光器的制备方法，该半导体激光器的衬底及外延层（1）从下至上依次包括衬底、下缓冲层、下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、上限制层、上缓冲层及欧姆接触层，其特征在于，包括如下步骤：
a)利用光刻掩膜版通过曝光、显影及腐蚀的工序在衬底及外延层（1）上刻蚀出两个沟槽ⅰ（5），两个沟槽ⅰ（5）之间形成凸起的脊型结构（4），两个沟槽ⅰ（5）的外侧分别形成肩部ⅰ（2）和肩部ⅱ（3），所述肩部ⅱ（3）的宽度大于肩部ⅰ（2）的宽度；
b)利用光刻掩膜版通过曝光、显影及腐蚀的工序在肩部ⅱ（3）中刻蚀出沟槽ⅱ（8），沟槽ⅱ（8）将肩部ⅱ（3）分割成左右两部分，位于内侧的分割后的肩部ⅱ（3）的宽度与脊型结构（4）的宽度相匹配；
c)在肩部ⅰ（2）、脊型结构（4）以及肩部ⅱ（3）的外表面生长介质膜ⅰ（6），在脊型结构（4）上端面的介质膜ⅰ（6）上通过光刻机腐蚀工艺制备出电流注入窗口（10）；
d)在介质膜ⅰ（6）的表面生长p面电极（7）；
e)在沟槽ⅱ（8）两侧的肩部ⅱ（3）的上端面上制备金丝焊线位置图形（9），将金丝焊线位置图形（9）作为金丝打线的位置；
f)在p面电极（7）上表面上除金丝焊线位置图形（9）之外的区域生长一层介质膜ⅱ（11）。
2.根据权利要求1所述的偏脊结构带有焊线图形的半导体激光器的制备方法，其特征在于：步骤a)中的腐蚀工艺为湿法腐蚀或干法刻蚀。
3.根据权利要求1所述的偏脊结构带有焊线图形的半导体激光器的制备方法，其特征在于：步骤c)中介质膜ⅰ（6）的厚度为1000埃-2000埃。
4.根据权利要求1所述的偏脊结构带有焊线图形的半导体激光器的制备方法，其特征在于：步骤a)中两个沟槽ⅰ（5）的宽度及深度均相等。
5.根据权利要求1所述的偏脊结构带有焊线图形的半导体激光器的制备方法，其特征在于：沟槽ⅱ（8）与脊型结构（4）之间的间距与肩部ⅰ（2）的宽度相等，沟槽ⅱ（8）的宽度与沟槽ⅰ（5）的宽度差小于等于30%。
6.根据权利要求1所述的偏脊结构带有焊线图形的半导体激光器的制备方法，其特征在于：步骤e)中金丝焊线位置图形（9）的宽度大于90um。
7.根据权利要求1所述的偏脊结构带有焊线图形的半导体激光器的制备方法，其特征在于：步骤f)中介质膜ⅱ（11）由