技术特征：
技术总结
本发明公开了一种沟槽型超级结的制造方法，包括步骤：步骤一、提供表面形成有第一外延层的半导体衬底；步骤二、采用光刻工艺定义出具有第一宽度的沟槽的形成区域并进行第一次刻蚀形成多个所述沟槽；通过缩小第一宽度来改善沟槽的结构参数；步骤三、采用牺牲氧化工艺对沟槽进行扩大工艺，在保证步骤二中改善的沟槽的结构参数不变条件下扩大沟槽的宽度；步骤四、采用外延工艺在沟槽中填充第二外延层并形成沟槽型超级结。本发明能改善沟槽的结构参数以及提高沟槽的面内均匀性，能提高沟槽的填充工艺的便利性，能提高器件的击穿电压以及击穿电压的面内均匀性以及提升生产良率。
技术研发人员：李昊
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
技术研发日：2018.08.14
技术公布日：2019.01.01