有机发光二极管驱动背板制造方法与流程

本发明是有关于一种背板制造方法，尤其关于一种有机发光二极管(organiclight-emittingdiode,oled)驱动背板制造方法，其可减少所使用的光罩数量，降低光罩成本，进而降低有机发光二极管驱动背板的整体成本。

背景技术：

相较于液晶显示面板，有机发光二极管显示面板具有高饱和度、低耗电、无须背光模组等多种优势，因此逐渐成为显示面板领域的主流技术。

然而，上述有机发光二极管显示面板在制造过程中，其彩色滤光片设置在薄膜晶体管阵列(colorfilteronarray,cof)上的制程需使用至少13道光罩，导致制造成本偏高。

因此，有必要提供一种有机发光二极管驱动背板制造方法，以解决现有技术所存在的成本过高的问题。

技术实现要素：

本发明人有鉴于的现有有机发光二极管驱动背板的制造成本过高的缺点，为改良其不足与缺失，进而创作出一种有机发光二极管驱动背板制造方法。

本发明主要目的在于提供一种有机发光二极管驱动背板制造方法，其可减少所使用的光罩数量，降低光罩成本，进而降低有机发光二极管驱动背板的整体成本。

为达上述目的，本发明提供一种有机发光二极管驱动背板制造方法，包括：

一彩色滤光片设置步骤，包括在一基板上制作一彩色滤光片，其中所述彩色滤光片作为发光区的一部分；

一缓冲层设置步骤，包括沉积一缓冲层在所述基板及所述彩色滤光片上；

一氧化物半导体层设置步骤，包括沉积一氧化物半导体层在所述缓冲层上；

一栅极设置步骤，包括沉积一栅极绝缘层在所述缓冲层和所述氧化物半导体层上，接着沉积一栅极金属层在所述栅极绝缘层上；

一黄光处理步骤，包括设置一光阻层在所述栅极金属层上，利用一道黄光在所述光阻层定义出一图形，并根据所述图形蚀刻所述栅极金属层以及所述栅极绝缘层；

一电浆处理步骤，包括对外露于所述栅极绝缘层和所述栅极金属层之外的氧化物半导体层的部分进行电浆处理以降低其电阻降低，并使所述外露的氧化物半导体层的部分形成一n+导体层以作为一阳极；

一层间绝缘层设置步骤，包括沉积一层间绝缘层到所述n+导体层、所述栅极绝缘层及所述栅极金属层上，并在所述层间绝缘层上形成两接触孔；

一源极漏极金属层设置步骤，包括沉积一源极漏极金属层到所述层间绝缘层上，以所述源极漏极金属层制作一源极以及一漏极，其中所述源极及所述漏极分别位于所述两接触孔内；

一钝化层设置步骤，包括沉积一钝化层到所述层间绝缘层、所述源极及所述漏极上，并蚀刻所述钝化层以形成一主动区，其中所述阳极外露于所述主动区中；

一有机发光二极管设置步骤，包括设置一有机发光二极管到所述主动区中的所述阳极上；以及

一阴极设置步骤，包括设置一阴极到所述主动区上，其中所述阴极覆盖所述有机发光二极管。

藉由上述技术手段，本发明包括下列优点：

1.本发明采用在彩色滤光片上布置薄膜晶体管(thinfilmtransistor(tft)oncolorfilter(cf),toc)的工艺，并利用透明氧化物半导体层直接做为阳极的方式，将光罩减少到8-9张，降低光罩成本的同时，减少了两层有机光阻的使用，有效降低了材料成本。

2.所述阳极可以igzto制造。由于igzto不仅作为有机发光二极管发光的阳极材料，也作为tft的有源层材料，因此省去阳极制作的一道黄光蚀刻工艺。同时，本发明省去了传统工艺平坦化层和像素定义层两道工序，节省了三道光罩，既降低了光罩成本，又降低了材料使用成本。

在本发明一实施例中，所述彩色滤光片设置步骤包括在所述基板上制作一黑色矩阵，所述缓冲层设置步骤包括沉积所述缓冲层在所述基板、所述黑色矩阵及所述彩色滤光片上。

在本发明一实施例中，所述氧化物半导体层包括一金属氧化物半导体层，所述金属氧化物半导体层的材料选自由氧化铟镓锌、氧化铟锌锡及氧化铟镓锌锡构成的群组。

在本发明一实施例中，所述金属氧化物半导体层厚度为

在本发明一实施例中，所述栅极绝缘层以硅氧化物(siox)或硅氮化物(sinx)制造，

在本发明一实施例中，所述栅极绝缘层为一多层薄膜。

在本发明一实施例中，所述栅极绝缘层厚度为

在本发明一实施例中，所述栅极金属层以钼(mo)、铝(al)、铜(cu)、钛(ti)，或其合金制造。

在本发明一实施例中，所述栅极金属层厚度为

在本发明一实施例中，所述层间绝缘层以siox或sinx制造。

在本发明一实施例中，所述层间绝缘层为一多层薄膜。

在本发明一实施例中，所述层间绝缘层厚度为

在本发明一实施例中，所述源极漏极金属层以钼(mo)、铝(al)、铜(cu)、钛(ti)，或其合金制造。

在本发明一实施例中，所述源极漏极金属层厚度为

在本发明一实施例中，所述钝化层以siox或sinx制造。

在本发明一实施例中，所述钝化层厚度为

在本发明一实施例中，所述有机发光二极管是以蒸镀工艺或喷墨列印工艺而设置。

在本发明一实施例中，所述有机发光二极管为一白光有机发光二极管。

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，幷配合所附图式，作详细说明如下：

附图说明

图1为本发明有机发光二极管驱动背板制造方法的彩色滤光片设置步骤所对应的有机发光二极管驱动背板半成品的侧面剖视图。

图2为本发明有机发光二极管驱动背板制造方法的缓冲层设置步骤及氧化物半导体层设置步骤所对应的有机发光二极管驱动背板半成品的侧面剖视图。

图3为本发明有机发光二极管驱动背板制造方法的栅极设置步骤所对应的有机发光二极管驱动背板半成品的侧面剖视图。

图4为本发明有机发光二极管驱动背板制造方法的黄光处理步骤所对应的有机发光二极管驱动背板半成品的侧面剖视图，其中一光阻层设置在所述所述栅极金属层上。

图5为本发明有机发光二极管驱动背板制造方法的黄光处理步骤及电浆处理步骤所对应的有机发光二极管驱动背板半成品的侧面剖视图，其中根据一图形蚀刻所述栅极金属层以及所述栅极绝缘层。

图6为本发明有机发光二极管驱动背板制造方法的层间绝缘层设置步骤所对应的有机发光二极管驱动背板半成品的侧面剖视图。

图7为本发明有机发光二极管驱动背板制造方法的源极漏极金属层设置步骤所对应的有机发光二极管驱动背板半成品的侧面剖视图。

图8为本发明有机发光二极管驱动背板制造方法的钝化层设置步骤所对应的有机发光二极管驱动背板半成品的侧面剖视图。

图9为本发明有机发光二极管驱动背板制造方法的有机发光二极管设置步骤所对应的有机发光二极管驱动背板半成品的侧面剖视图。

图10为本发明有机发光二极管驱动背板制造方法的阴极设置步骤所对应的有机发光二极管驱动背板半成品的侧面剖视图。

图11为本发明有机发光二极管驱动背板制造方法的步骤流程图。

图12为本发明有机发光二极管驱动背板制造方法的步骤流程图，其中的步骤为接续图11之步骤。

具体实施方式

请参照图11及图12，本发明有机发光二极管(organiclight-emittingdiode,oled)驱动背板制造方法包括：一彩色滤光片(colorfilter)设置步骤s01、一缓冲层设置步骤s02、一氧化物半导体层设置步骤s03、一栅极设置步骤s04、一黄光处理步骤s05、一电浆处理步骤s06、一层间绝缘层设置步骤s07、一源极漏极金属层设置步骤s08、一钝化层设置步骤s09、一有机发光二极管设置步骤s10、以及一阴极设置步骤s11。

请参照图1，所述彩色滤光片设置步骤s01包括在一基板sb上制作一彩色滤光片cf，其中所述彩色滤光片cf作为发光区的一部分。所述基板sb为一玻璃基板。于执行所述步骤时，可先清洗所述基板sb才进行彩色滤光片cf的制作。在本发明一实施例中，所述彩色滤光片设置步骤s01包括在所述基板上制作一黑色矩阵(blackmatrix)bm。所述黑色矩阵bm一方面防止彩色滤光片cf漏光和混色，另外一方面可用于为薄膜晶体管(thinfilmtransistor,tft)遮光。

请参照图2，所述缓冲层设置步骤s02包括沉积一缓冲层bf在所述基板sb及所述彩色滤光片cf上。在本发明一实施例中，所述缓冲层设置步骤s02包括沉积所述缓冲层在所述基板、所述黑色矩阵bm及所述彩色滤光片cf上。

所述氧化物半导体层设置步骤s03包括沉积一氧化物半导体层ox在所述缓冲层bf上。

请参照图3，所述栅极设置步骤s04包括沉积一栅极绝缘层gi在所述缓冲层bf和所述氧化物半导体层ox上，接着沉积一栅极金属层ge在所述栅极绝缘层gi上。在本发明一实施例中，所述栅极绝缘层gi以硅氧化物(siox)或硅氮化物(sinx)制造。或者，所述栅极绝缘层gi为一多层薄膜。所述栅极绝缘层gi厚度为在本发明一实施例中，所述栅极金属层ge以钼(mo)、铝(al)、铜(cu)、钛(ti)，或其合金制造。所述栅极金属层ge厚度为

请参照图4及图5，所述黄光处理步骤s05包括设置一光阻层pr在所述栅极金属层ge上，利用一道黄光在所述光阻层pr定义出一图形，并根据所述图形蚀刻所述栅极金属层ge以及所述栅极绝缘层gi。

所述电浆处理步骤s06包括对外露于所述栅极绝缘层gi和所述栅极金属层ge之外的氧化物半导体层ox的部分进行电浆处理以降低其电阻，并使所述外露的氧化物半导体层ox的部分形成一n+导体层n以作为一阳极。位于所述栅极绝缘层gi下方的阳极的部分未被电浆处理而保持半导体特性，且作为一tft通道。此外，所述氧化物半导体层ox包括一金属氧化物半导体层，所述金属氧化物半导体层的材料选自由氧化铟镓锌、氧化铟锌锡及氧化铟镓锌锡构成的群组。所述金属氧化物半导体层ox厚度为

请参照图6，所述层间绝缘层设置步骤s07包括沉积一层间绝缘层il(interlayerdielectric,ild)到所述n+导体层n、所述栅极绝缘层gi及所述栅极金属层ge上，并在所述层间绝缘层il上形成两接触孔h。在本发明一实施例中，所述层间绝缘层il以硅氧化物(siox)或硅氮化物(sinx)制造。或者，所述层间绝缘层il为一多层薄膜。所述层间绝缘层il厚度为

请参照图7，所述源极漏极金属层设置步骤s08包括沉积一源极漏极金属层到所述层间绝缘层il上，以所述源极漏极金属层制作一源极(sourceelectrode)s以及一漏极(drainelectrode)d，其中所述源极s及所述漏极d分别位于所述两接触孔h内。在本发明一实施例中，所述源极漏极金属层以钼(mo)、铝(al)、铜(cu)、钛(ti)，或其合金制造。所述源极漏极金属层厚度为

请参照图8，所述钝化层设置步骤s09包括沉积一钝化(passivation,pv)层pv到所述层间绝缘层(interlayerdielectric)il、所述源极s及所述漏极d上，并蚀刻所述钝化层pv以形成一主动区(activearea)，其中所述阳极外露于所述主动区中。在本发明一实施例中，所述钝化层pv以硅氧化物(siox)或硅氮化物(sinx)制造。所述钝化层pv厚度为

请参照图9，所述有机发光二极管设置步骤s10包括设置一有机发光二极管ol到所述主动区中的所述阳极上。

请参照图10，所述阴极设置步骤s11包括设置一阴极ca到所述主动区上，其中所述阴极ca覆盖所述有机发光二极管ol。所述有机发光二极管ol可为一白光有机发光二极管ol。此外，所述有机发光二极管ol可以蒸镀工艺或喷墨列印工艺而设置。

藉由上述技术手段，本发明包括下列优点：

1.本发明采用在彩色滤光片cf上布置薄膜晶体管(thinfilmtransistor(tft)oncolorfilter(cf),toc)的工艺，并利用透明氧化物半导体层ox直接做为阳极的方式，将光罩减少到8-9张，降低光罩成本的同时，减少了两层有机光阻的使用，有效降低了材料成本。

2.所述阳极可以igzto制造，由于igzto不仅作为有机发光二极管ol发光的阳极材料，也作为tft的有源层材料，因此省去阳极制作的一道黄光蚀刻工艺。同时，本发明省去了传统工艺平坦化层和像素定义层两道工序，节省了三道光罩，既降低了光罩成本，又降低了材料使用成本。

3.在设置黑色矩阵bm的实施例中，所述黑色矩阵bm既起到了隔绝彩色滤光片cf漏光问题，亦同时作为tft的遮光层，减少了遮光层(lightshieldinglayer)的制作。