一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置与流程

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置。

背景技术：

有机发光二极管显示装置(organiclightemittingdisplay，oled)具有白发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180度视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。

其中，对比度是oled的一项重要的指标，较高的对比度能够给用户带来良好的视觉体验；显示装置的对比度就是：在暗室中，白色画面(最亮时)下的亮度除以黑色画面(最暗时)下的亮度所得到的值。由此可见，提高最高显示亮度对提高对比度具有重要的意义。

相关技术中的一种oled的阵列基板，如图1所示，包括多个像素，每个像素包括多个子像素，对于每个子像素，沿垂直于阵列基板的厚度方向，子像素包括衬底基板01、绝缘层02、彩色滤光层03、平坦层04以及有机发光单元05。

相关技术中的这种阵列基板，在工作时，有机发光单元05所发出的光需要依次经过平坦层04、彩色滤光层03、绝缘层02(例如图1中所示的钝化层021、层间电介层022以及缓冲层023)等膜层，由于各个膜层对有机发光单元05所发出的光有一定的吸收，造成有机发光单元05所发出的光的亮度衰减，这样对提高oled的显示亮度不利。

技术实现要素：

本发明实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置，用于解决相关技术中的阵列基板中的有机发光单元所发出的光线亮度衰减较大的问题。

为达到上述目的，第一方面，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括多个像素，每个所述像素包括多个子像素，针对每个所述子像素，所述子像素包括衬底基板、绝缘层、彩色滤光层、平坦层以及有机发光单元，所述绝缘层覆盖于所述衬底基板上，所述绝缘层上开设有第一开口，所述彩色滤光层至少有一部分填充于所述第一开口内，所述平坦层覆盖于所述绝缘层上且将所述彩色滤光层的表面覆盖，所述有机发光单元设置于所述平坦层上。

进一步地，所述第一开口贯穿所述绝缘层设置。

进一步地，所述子像素还包括透明刻蚀阻挡层，所述透明刻蚀阻挡层位于所述彩色滤光层与所述衬底基板之间。

进一步地，所述子像素还包括覆盖于所述衬底基板上的遮光层、覆盖于所述衬底基板上且将所述遮光层的表面覆盖的缓冲层、以及设置于所述缓冲层上的顶栅型薄膜晶体管，所述顶栅型薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极；所述子像素还包括像素电容，所述像素电容包括第一导电层和第二导电层；所述第一导电层覆盖于所述衬底基板上且位于所述缓冲层内，并且所述第一导电层通过第一过孔与所述漏极电连接，相邻两个所述子像素的所述第一导电层相绝缘；所述第二导电层与所述漏极覆盖于同一绝缘层上，所述第二导电层与所述栅极电连接。

更进一步地，所述遮光层覆盖于所述第一导电层上且与所述第一导电层电连接，所述遮光层通过所述第一过孔与所述漏极电连接

更进一步地，所述子像素还包括将所述源极、所述漏极、所述第二导电层的表面覆盖的钝化层；所述绝缘层包括所述缓冲层以及所述钝化层，所述平坦层覆盖于所述钝化层上；所述有机发光单元包括至少有一部分覆盖于所述平坦层上的透明电极，所述透明电极通过第二过孔与所述第一导电层电连接，所述透明电极包括第一区域，所述第一区域在所述衬底基板上的正投影与所述第二导电层在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。

更进一步地，所述平坦层上开设有贯穿所述平坦层的第二开口，所述第一区域覆盖于所述钝化层上且位于所述第二开口内。

第二方面，本发明实施例提供了一种显示面板，包括第一方面所述的阵列基板。

第三方面，本发明实施例提供了一种显示装置，包括第二方面中所述的显示面板。

第四方面，本发明实施例提供了一种阵列基板的制备方法，包括以下步骤：提供衬底基板；在所述衬底基板上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成第一开口；形成彩色滤光层，以使至少有一部分所述彩色滤光层填充于所述第一开口内；在所述绝缘层上形成平坦层，以将所述彩色滤光层的表面覆盖；在所述平坦层上形成有机发光单元。

进一步地，在所述衬底基板上形成绝缘层具体包括以下步骤：在所述衬底基板上覆盖导电膜并图形化，以形成第一导电层；其中，位于相邻两个子像素区域内的所述第一导电层相隔设置；在所述衬底基板上覆盖遮光膜并图形化，以形成遮光层；在所述衬底基板上形成缓冲层，以将所述第一导电层、所述遮光层的表面覆盖；在所述缓冲层上形成顶栅型薄膜晶体管；其中，所述顶栅型薄膜晶体管包括源极和漏极，所述漏极通过所述第一过孔与所述第一导电层电连接；在所述源极和所述漏极所覆盖的层间电介层上形成第二导电层，以使所述第二导电层与所述第一导电层形成像素电容；在所述层间电介层上形成钝化层，以将所述源极、所述漏极、所述第二导电层的表面覆盖；其中，所述绝缘层包括所述缓冲层、所述层间电介层以及所述钝化层。

更进一步地，在所述平坦层上形成有机发光单元具体包括以下步骤：形成贯穿所述平坦层、所述钝化层、所述层间电介层并且与所述第一导电层相通的第二过孔；形成至少有一部分位于所述平坦层上的透明电极，以使所述透明电极通过所述第二过孔与所述第一导电层电连接，并且所述透明电极的第一区域在所述衬底基板上的正投影与所述第二导电层在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。

更进一步地，在形成至少有一部分位于所述平坦层上的透明电极具体包括以下步骤：在所述平坦层上形成贯穿所述平坦层的第二开口；形成所述透明电极，以使所述第一区域覆盖于所述钝化层上并且位于所述第二开口内。

本发明实施例提供的阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置，由于绝缘层上开设有第一开口，彩色滤光层至少有一部分填充于第一开口内，这样，在彩色滤光层的厚度一定时，降低了彩色滤光层与衬底基板之间的高度落差，至少使彩色滤光层一部分的厚度与绝缘层相重叠，大大减小了彩色滤光层凸出于绝缘层的高度，那么，为了将凸出于绝缘层表面的彩色滤光层的表面覆盖，平坦层就无需做得太厚，从而可以大大减小平坦层的厚度，而平坦层厚度的减小，可以有效地缩短了有机发光单元所发出光的出光路径，减小了各个膜层对有机发光单元所发出光的吸收，从而有利于提高有机发光单元所发出光的最高亮度，进而有利于提高显示装置的对比度，以使用户获得更佳的视觉体验。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为相关技术中的一种阵列基板中子像素的结构示意图；

图2为本发明实施例中阵列基板中子像素的结构示意图；

图3为本发明实施例中阵列基板的子像素的结构与相关技术中的阵列基板中子像素的结构对比示意图；

图4为本发明实施例中阵列基板制备过程的示意图；

图5为本发明实施例中阵列基板制备过程的流程图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

第一方面，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括多个像素，每个像素包括多个子像素，针对每个子像素，如图2所示，子像素包括衬底基板1、绝缘层2、彩色滤光层3、平坦层4以及有机发光单元5，绝缘层2覆盖于衬底基板1上，绝缘层2上开设有第一开口20，彩色滤光层3(cf层)至少有一部分填充于第一开口20内，平坦层4覆盖于绝缘层2上且将彩色滤光层3的表面覆盖，有机发光单元5设置于平坦层4上。

其中，彩色滤光层3可以部位位于第一开口20内(例如图2所示)，也可以全部位于第一开口20内，在此不做具体限定。

本发明实施例提供的阵列基板，如图2和图3所示，由于绝缘层2上开设有第一开口20，彩色滤光层3至少有一部分填充于第一开口20内，这样，在彩色滤光层3的厚度一定时，降低了彩色滤光层3与衬底基板1之间的高度落差，至少使彩色滤光层3一部分的厚度与绝缘层2相重叠，大大减小了彩色滤光层3凸出于绝缘层2的高度，那么，为了将凸出于绝缘层2表面的彩色滤光层3的表面覆盖，平坦层4就无需做得太厚，从而可以大大减小平坦层4的厚度，而平坦层4厚度的减小，可以有效地缩短了有机发光单元5所发出光的出光路径，减小了各个膜层对有机发光单元5所发出光的吸收，从而有利于提高有机发光单元5所发出光的最高亮度，进而有利于提高显示装置的对比度，以使用户获得更佳的视觉体验。

在上述实施例中，第一开口20的开设方式并不唯一，比如第一开口20可以贯穿绝缘层2设置，例如图2所示，绝缘层2包括覆盖于衬底基板1上的缓冲层21(buffer)、覆盖于缓冲层21上的层间电介层22(ild)以及覆盖于层间电介层22上的钝化层23(pvx)，第一开口20均贯穿缓冲层21、层间电介层22以及钝化层23；另外，第一开口20也可以不贯穿绝缘层2设置，例如第一开口20可以贯穿层间电介层22以及钝化层23。相比不贯穿绝缘层2设置，第一开口20贯穿绝缘层2设置有以下优点：(1)在彩色滤光层3的厚度一定时，贯穿绝缘层2设置可以进一步降低彩色滤光层3与衬底基板1之间的高度落差，进一步减小了彩色滤光层3凸出于绝缘层2的高度，从而可以进一步减小平坦层4的厚度，缩短了有机发光单元5所发出光的出光路径，进而有利于进一步提高有机发光单元5所发出光的最高亮度；(2)减少了有机发光层53所发出的光所穿过的子绝缘层数，例如图2所示有机发光层53所发出的光只需经过平坦层4、彩色滤光层3即可射出，这样就避免了有机发光层53所发出的光经过不同的子绝缘层(例如层间点介层22、缓冲层21、钝化层23)时对光线造成的吸收、折射等，从而可以提高有机发光单元5所发出光的亮度。

为了避免在通过形成第一开口20时刻蚀到衬底基板1，如图2所示，子像素还包括透明刻蚀阻挡层6，透明刻蚀阻挡层6位于彩色滤光层3与衬底基板1之间。这样在对绝缘层2刻蚀(例如干刻工艺)形成第一开口20时，透明刻蚀阻挡层6可以对其覆盖的衬底基板1进行保护，以避免刻蚀到衬底基板1。

其中，透明刻蚀阻挡层6可以为ito层。第一开口20一般通过干刻形成，由于ito层不受干刻的影响，因此，ito层可以起到阻挡刻蚀到衬底基板1的作用。为了减小对有机发光层53所发出的光线的吸收，ito层在满足刻蚀阻挡作用的前提下，其厚度应尽量做得小一些。

如图2所示，子像素还包括覆盖于衬底基板1上的遮光层7(sh层)、覆盖于衬底基板1上且将遮光层7的表面覆盖的缓冲层21、以及设置于缓冲层21上的顶栅型薄膜晶体管9；顶栅型薄膜晶体管9包括栅极91、源极92和漏极93；

子像素还包括像素电容8，像素电容8包括第一导电层81和第二导电层82；其中，第一导电层81和第二导电层82的设置方式也不唯一，比如可以采用以下方式设置：如图2所示，第一导电层81覆盖于衬底基板1上且位于缓冲层21内，并且第一导电层81通过第一过孔83与漏极93电连接，相邻两个子像素的第一导电层81相绝缘；第二导电层82与漏极93覆盖于同一绝缘层(例如图2中所示的层间电介层22)上，第二导电层82与顶栅型薄膜晶体管9的栅极91电连接。另外，可以采用以下方式设置：将有源层94的导体化区域作为第一导电层81，第二导电层82与漏极93覆盖于同一绝缘层2上，并且第二导电层82与顶栅型薄膜晶体管9的栅极91电连接。相比将有源层94的导体化区域作为第一导电层81的实施例，图2中所示的实施例有以下优点：(1)无需将有源层94的导体化区域作为像素电容8极板(vs)和信号导线，降低了有源层94的导体化难度；(2)避免了有源层94导体体化不彻底所造成的第一导电层81寄生电阻较大的问题，从而可以提高像素电容8的存储电荷的性能；(3)减少了有源层94导体化区域的面积，这样就无需在衬底基板1上制作大面积的遮光层7来对有源层94进行遮光，采用较小面积的遮光层7就可以实现遮光，从而在后续的高温工艺(比如有源层94退火工艺)中，较小面积的遮光层7可以减小遮光层7的温升对有源层94的影响，也就是避免有源层94过度退火会导致薄膜晶体管无法关断；同时，较小面积的遮光层7也可以减少将有机发光层53所发出的光反射至有源层94，从而可以减小对薄膜晶体管特性的影响。

其中，遮光层7与第一导电层81的位置关系也不唯一，比如，如图2所示，遮光层7可以覆盖于第一导电层81上且与第一导电层81电连接，遮光层7通过第一过孔83与漏极93电连接。另外，第一导电层81也可以覆盖于遮光层7之上且与遮光层7电连接，第一导电层81直接通过第一过孔83与漏极93电连接。相比第一导电层81覆盖于遮光层7之上的实施例，遮光层7覆盖于第一导电层81上的实施例，这样就可以避免遮光层7与衬底基板1接触，解决了遮光层7和衬底基板1粘附性较差可选材料有限的问题(这是由于遮光层7一般采用金属制成，衬底基板1一般采用玻璃制成，金属层与玻璃基板之间粘附性较差)，从而可以大大扩宽了遮光层7可选材料的范围，拓宽了工艺的容限。

在像素电容8中，第一导电层81可以为ito层，这样，在透明刻蚀阻挡层6为ito层的情况下，第一导电层81、透明刻蚀阻挡层6可以通过一道工艺一体成型，这样可以简化制作工艺，降低制作成本。

如图2所示，顶栅型薄膜晶体管9包括覆盖于缓冲层21上的有源层94，覆盖于有源层94上的栅绝缘层95，覆盖于栅绝缘层95上的栅极91，将有源层94、栅绝缘层95、栅极91的表面均覆盖的层间电介层22，以及均覆盖于层间电介层22上的源极92和漏极93；

如图2所示，子像素还包括将源极92、漏极93、第二导电层82的表面覆盖的钝化层23；绝缘层2包括缓冲层21以及钝化层23，平坦层4覆盖于钝化层23上；

如图2所示，有机发光单元5包括至少有一部分覆盖于平坦层4上的透明电极51，透明电极51通过第二过孔84与第一导电层81电连接，透明电极51包括第一区域511，第一区域511在衬底基板1上的正投影与第二导电层82在衬底基板1上的正投影至少部分重叠。由于透明电极51通过第二过孔84与第一导电层81电连接，这样薄膜晶体管漏极93输出的电信号就可以通过第一过孔83、第一导电层81、第二过孔84传输至透明电极51，以驱动有机发光层53发光；由于第一区域511在衬底基板1上的正投影与第二导电层82在衬底基板1上的正投影至少部分重叠，这样透明电极51的第一区域511与第二导电层82之间形成电容，从而增大了像素电容8的电荷存储能力，从而保证该阵列基板在工作时透明电极51上的电压更加稳定，保证了该显示装置的显示品质。

当然，除了透明电极51可以通过第二过孔84与第一导电层81电连接实现透明电极51与漏极93电连接之外，透明电极51也可以通过第二过孔84直接与漏极93电连接。

透明电极51的第一区域511的设置方式也不唯一，比如，可以采用以下设置方式：如图2所示，平坦层4上开设有贯穿平坦层4的第二开口41，第一区域511覆盖于钝化层23上且位于第二开口41内。另外，可以采用以下设置方式：平坦层4上不开设第二开口41，第一区域511覆盖于平坦层4上。相比第一区域511覆盖于平坦层4上的实施例，第一区域511覆盖于钝化层23上且位于第二开口41内的实施例，可以减小第一区域511与第二导电层82之间的距离，从而可以增大第一区域511与第二导电层82之间电容大小，进一步增大像素电容8的大小，从而进一步增大了像素电容8的电荷存储能力，从而保证该阵列基板在工作时透明电极51上的电压更加稳定。

本发明实施例提供的阵列基板，薄膜晶体管除了可以采用顶栅结构以外，也可以采用底栅结构，在此不做具体限定；薄膜晶体管可以是非晶硅薄膜晶体管、氧化物薄膜晶体管以及低温多晶硅薄膜晶体管等，在此也不做具体限定；其中，在底栅结构中薄膜晶体管可以是背沟道型、刻蚀阻挡型以及共面型等。

本发明实施例提供的阵列基板中，薄膜晶体管的有源层94材料包含a-igzo，znon，izto，a-si，p-si，六噻吩，聚噻吩中任意的一种；阵列基板中的各电极以及走线的材料可以是常用的金属材料，如ag，cu，al，mo等，或多层金属如monb/cu/monb等，或上述金属的合金材料，如alnd、monb等，也可以是金属和透明导电氧化物(如ito、azo等)形成的堆栈结构如mo/alnd/ito、ito/ag/ito等。

本发明实施例提供的阵列基板中，栅绝缘层95、层间电介层22、钝化层23、缓冲层21、平坦层4等绝缘层2的材料可以是常规的如siox、sinx、sion等介质材料，也可以是各种新型的有机绝缘材料，还可以是高介电常数(highk)材料如alox，hfox，taox等；其中，平坦层4的有机绝缘介质材料可以是聚硅氧烷系、亚克力系或聚酰亚胺系材料等。

第二方面，本发明实施例提供了一种显示面板，包括第一方面中所述的阵列基板。

其中，该显示面板可以适用于基于氧化物(oxide)技术、硅技术以及有机物技术制造的底发射的oled显示面板。

本发明实施例提供的显示面板，由于其所包括的阵列基板与第一方面中所述的阵列基板相同，所以也解决了相同的技术问题、取得了相同的技术效果。

至于该显示面板中的其它结构，已为本领域技术人员所公知，在此不再赘述。

第三方面，本发明实施例提供了一种显示装置，包括第二方面中所述的显示面板

本发明实施例提供的显示装置与第一方面中所述的阵列基板解决了相同的技术问题、取得了相同的技术效果。

至于该显示装置中的其它结构，已为本领域技术人员所公知，在此不再赘述。

第四方面，本发明实施例提供了一种阵列基板的制备方法，包括以下步骤：如图5所示，

s1、如图4中(a)所示，提供衬底基板1；

其中，在衬底基板1上形成绝缘层2之前可以对衬底基板1进行清洗，以去除上面的固体颗粒，以免对后续的工艺造成不良影响；衬底基板1可以为玻璃基板、蓝宝石基板、硅基板等。

s2、在衬底基板1上形成绝缘层2；

如图2所示，绝缘层2包括缓冲层21、层间电介层22以及钝化层23；如图4中(c)和(d)所示，绝缘层2成形成工艺可以为：在衬底基板1上形成缓冲层21；在缓冲层21上形成层间电介层22；在层间电介层22上形成钝化层23；

绝缘层2可以直接形成于衬底基板1上，如图4中(d)所示，也可以先在衬底基板1上形成透明刻蚀阻挡层6(例如ito层)，然后在透明刻蚀阻挡层6上形成绝缘层2，以避免在通过形成第一开口20时刻蚀到衬底基板1。

s3、在绝缘层2上形成第一开口20；

其中，当绝缘层2包括多个子绝缘层时，例如，绝缘层2包括缓冲层21、层间电介层22以及钝化层23；

第一开口20可以是在多个子绝缘层形成之后通过一次性刻蚀形成；也可以是在每覆盖一层子绝缘层时，在该子绝缘层上形成子开口，然后多个子绝缘层的子开口对合形成第一开口20，例如图4中(c)和(d)所示，第一开口20可以由以下工艺形成：在衬底基板1上形成缓冲层21，在缓冲层21上形成第一子开口201；在缓冲层21上形成层间电介层22，在层间电介层22上形成第二子开口202；在层间电介层22上形成层间钝化层23，在钝化层23上形成第三子开口203；第一子开口201、第二子开口202和第三子开口203对合形成第一开口20。

s4、如图4中(d)所示，形成彩色滤光层3，以使至少有一部分彩色滤光层3填充于第一开口20内；

其中，彩色滤光层3包括r、g、b三种颜色的彩色滤光层3，每种颜色的彩色滤光层3均至少有一部分对应设置于三个子像素的第一开口20中。

s5、如图4中(d)所示，在绝缘层2上形成平坦层4，以将彩色滤光层3的表面覆盖；

s6、如图4中(e)所示，在平坦层4上形成有机发光单元5；

其中，如图4中(e)所示，有机发光单元5包括透明电极51(阳极)、阴极52以及位于两者之间的有机发光层53；每个子像素中，有机发光单元5的有机发光层53在衬底基板1上的正投影与第一开口20在衬底基板1上的正投影相重叠。

本发明实施例提供的阵列基板的制备方法所解决的技术问题以及取得的技术效果，与第一方面中的阵列基板所解决的技术问题以及取得的技术效果相同，在此不再赘述。

在上述阵列基板的制备方法中，薄膜晶体管的制作过程使其重要的组成部分，下面以氧化物薄膜晶体管为例，来说明一下薄膜晶体管及绝缘层2的制作过程：

s21、如图4中(a)所示,在衬底基板1上覆盖导电膜并图形化，以形成第一导电层81；

其中，位于相邻两个子像素区域内的第一导电层81相隔设置，这样第一发电层就可以将每个子像素中薄膜晶体管漏极93输出的电信号传输至有机发光单元5的透明电极51；

导电膜可以通过溅射的工艺覆盖于衬底基板1上，导电膜的材料可以选用透明导电氧化物，例如ito膜、azo膜等；

导电膜的图形化通过光刻工艺形成；

s22、如图4中(a)和(b)所示，在衬底基板1上覆盖遮光膜并图形化，以形成遮光层7；

其中，遮光层7主要是对有源层94进行遮挡，避免外界的光照射至有源层94上使有源层94产生光生载流子，从而影响薄膜晶体管的性能；遮光层7可以采用不透光的金属或金属合金制成；

在衬底基板1上可以先形成第一导电层81，再形成遮光层7，遮光层7覆盖于第一导电层81上(例如图4中(b)所示)；也可以在衬底基板1上先形成遮光层7，再形成第一导电层81，第一导电层81覆盖于遮光层7上；

s23、如图4中(c)所示，在衬底基板1上形成缓冲层21，以将第一导电层81、遮光层7的表面覆盖；

其中，缓冲层21可以采用sio2单层结构或者sinx/sio2双层结构，在此不做具体限定；

缓冲层21作用是阻挡衬底基板1中的杂质扩散到有源层94中，避免影响薄膜晶体管的电学性能；缓冲层21可以通过pecvd(plasmaenhancedchemicalvapordeposition；等离子体增强化学的气相沉积法)手段形成于衬底基板1上；

s24、如图4中(c)和(d)所示，在缓冲层21上形成顶栅型薄膜晶体管9；其中，顶栅型薄膜晶体管9包括源极92和漏极93；漏极93通过第一过孔83与第一导电层81电连接；

其中，在步骤s24中，顶栅型薄膜晶体管9具体可以由以下步骤形成：如图4中(d)所示，

s241、在缓冲层21上形成有源层94；

s242、在有源层94上形成栅绝缘层95，在栅绝缘层95上形成栅极91；

其中，可以通过自对准工艺(self-aligned)形成栅绝缘层95以及栅极91；

s243、将有源层94中位于沟道区两侧区域上所覆盖的栅绝缘层95、栅极91去除；其中，栅绝缘层95去除可以通过干刻工艺来完成；

s244、通过导体化工艺处理有源层94中位于沟道区两侧的区域，以形成第一导体化区941和第二导体化区942；其中，导体化工艺可以通过干刻等离子体对位于沟道区两侧的区域处理来实现；

s245、形成层间电介层22，以将有源层94、栅绝缘层95、栅极91覆盖；

s246、在层间电介层22上形成第一过孔83、第三过孔96与第四过孔97；在层间电介层22上形成源极92和漏极93，以使源极92通过第三过孔96与第一导体化区941电连接，漏极93通过第四过孔97与第二导体化区942电连接，漏极93通过第一过孔83与第一导电层81电连接；

s25、如图4中(d)所示，在源极92和漏极93所覆盖的层间电介层22上形成第二导电层82，以使第二导电层82与第一导电层81形成像素电容8；

其中，第二导电层82可以与源极92、漏极93同时形成，也就是在层间电介层22上覆盖源漏金属层，然后再通过构图工艺形成源极92、漏极93以及第二导电层82；

s26、如图4中(d)所示，在层间电介层22上形成钝化层23，以将源极92、漏极93、第二导电层82的表面覆盖；。

本发明实施例提供的阵列基板的制备方法，在平坦层4上形成有机发光单元5具体包括以下步骤：

s61、如图4中(c)和(d)所示，形成贯穿平坦层4、钝化层23、层间电介层22并且与第一导电层81相通的第二过孔84；

其中，第二过孔84可以是在缓冲层21、平坦层4、钝化层23、层间电介层22形成之后通过一次性刻蚀形成；如图4中(c)和(d)所示，也可以由以下工艺形成：在衬底基板1上形成缓冲层21，在缓冲层21上形成第一子过孔841，第一子过孔841与第一导电层81相通；在缓冲层21上形成层间电介层22，在层间电介层22上形成第二子过孔842；在层间电介层22上形成层间钝化层23，在钝化层23上形成第三子过孔843；在钝化层23上形成平坦层4，在平坦层4上形成第四子过孔844，第一子过孔841、第二子过孔842、第三子过孔843和第四子过孔844对合形成第二过孔84。

s62、如图4中(e)所示，形成至少有一部分位于平坦层4上的透明电极51，以使透明电极51通过第二过孔84与第一导电层81电连接，并且透明电极51的第一区域511在衬底基板1上的正投影与第二导电层82在衬底基板1上的正投影至少部分重叠。

其中，透明电极51可以为透明导电氧化物，例如ito、azo等。

在步骤s62中在形成至少有一部分位于平坦层4上的透明电极51具体包括以下步骤：

s621、如图4中(d)所示，在平坦层4上形成贯穿平坦层4的第二开口41；

其中，第二开口41可以与第二过孔84相隔开；例如图4中(e)所示，也可以与第二过孔84部分相重叠。

s622、如图4中(e)所示，形成透明电极51，以使第一区域511覆盖于钝化层23上并且位于第二开口41内。

在平坦层4上形成有机发光单元5还包括以下步骤：如图4中(e)所示，

在透明电极51上形成像素界定层54，以形成定义发光区域的开口；

在像素界定层54的开口内形成有机发光层53；

其中，有机发光层53可以通过蒸镀工艺形成，也可以通过喷墨打印工艺形成，在此不做具体限定。

在该阵列基板的制备方法实施例中所出现的与上述阵列基板的产品实施例中相同或相近的特征，具体可参照上述阵列基板的产品实施例中的描述，在此不再赘述。

以上，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。