本发明属于硅片制备技术领域，具体涉及一种iv曲线测试仪扫描方法。
背景技术：
在制备硅晶片时，原料硅片需经历上料、水洗、下料、甩干等一系列工序。值得注意的是，为确保硅晶片制备精度和制备质量，原料硅片从上料开始，需严格根据各工序的工艺参数等相关规定执行。然而，在生产实践中发现，现有的iv曲线测试方法存在缺陷，例如测试结果与环境温度等测试条件关联性较高、测试条件难以满足标准的测试规范等。
技术实现要素：
本发明针对现有技术的状况，克服上述缺陷，提供一种iv曲线测试仪扫描方法。
本发明采用以下技术方案，所述iv曲线测试仪扫描方法包括以下步骤：
步骤s1：太阳光模拟发生装置生成供待质检硅片响应输出实时iv曲线数据的模拟自然光；
步骤s2：光谱测量装置检测并且输出模拟自然光的实时光谱数据；
步骤s3：iv曲线数据采集装置获取待质检硅片在受到模拟自然光照射后的实时iv曲线数据；
步骤s4：iv曲线数据修正装置根据预置的标准光谱数据将实时iv曲线数据修正为校正iv曲线数据；
步骤s5：iv曲线数据判断装置根据预置的标准iv曲线数据判断待质检硅片的校正iv曲线数据是否符合标准iv曲线数据的误差范围，如果符合误差范围则判断待质检硅片质检合格，否则判断待质检硅片之间不合格。
根据上述技术方案，上述实时iv曲线数据包括电流参数、电压参数和温度参数。
本发明专利申请还公开了用于实时上述iv曲线测试仪扫描方法的iv曲线测试仪，包括太阳光模拟发生装置、光谱测量装置、iv曲线数据采集装置和iv曲线数据修正装置，待质检硅片、所述太阳光模拟发生装置、光谱测量装置和iv曲线数据采集装置均位于测试室内部，其中：
所述太阳光模拟发生装置用于生成供待质检硅片响应输出实时iv曲线数据的模拟自然光；
所述光谱测量装置用于检测并且输出上述模拟自然光的实时光谱数据；
所述iv曲线数据采集装置与待质检硅片相连，所述iv曲线数据采集装置用于获取待质检硅片在受到模拟自然光照射后的实时iv曲线数据；
所述iv曲线数据修正装置预置有标准光谱数据，所述iv曲线数据修正装置根据标准光谱数据将上述实时iv曲线数据修正为校正iv曲线数据。
根据上述技术方案，，所述iv曲线测试仪还包括iv曲线数据判断装置，所述iv曲线数据判断装置预置有标准iv曲线数据，所述iv曲线数据判断装置根据上述标准iv曲线数据判断待质检硅片的校正iv曲线数据是否符合标准iv曲线数据的误差范围。
根据上述技术方案，所述iv曲线测试仪还包括硅片固定装置，所述硅片固定装置用于将待质检硅片固定于测试室的特定位置。
根据上述技术方案，所述iv曲线测试仪还包括硅片输送装置，所述硅片输送装置用于将待质检硅片移入测试室或者移出测试室。
根据上述技术方案，所述iv曲线数据采集装置包括电流采集模块、电压采集模块和温度采集模块。
本发明公开的iv曲线测试仪扫描方法，其有益效果在于，通过巧妙设置太阳光模拟发生装置、光谱测量装置、iv曲线数据采集装置和iv曲线数据修正装置，将实时iv曲线数据修正为校正iv曲线数据，以便根据标准iv曲线数据判断待质检硅片是否合格。
具体实施方式
本发明公开了一种iv曲线测试仪扫描方法，下面结合优选实施例，对本发明的具体实施方式作进一步描述。
优选地，所述iv曲线测试仪扫描方法包括以下步骤：
步骤s1：太阳光模拟发生装置生成供待质检硅片响应输出实时iv曲线数据的模拟自然光；
步骤s2：光谱测量装置检测并且输出模拟自然光的实时光谱数据；
步骤s3：iv曲线数据采集装置获取待质检硅片在受到模拟自然光照射后的实时iv曲线数据；
步骤s4：iv曲线数据修正装置根据预置的标准光谱数据将实时iv曲线数据修正为校正iv曲线数据；
步骤s5：iv曲线数据判断装置根据预置的标准iv曲线数据判断待质检硅片的校正iv曲线数据是否符合标准iv曲线数据的误差范围，如果符合误差范围则判断待质检硅片质检合格，否则判断待质检硅片之间不合格。
进一步地，所述iv曲线测试仪扫描方法，上述实时iv曲线数据（校正iv曲线数据、标准iv曲线数据同理）包括电流参数、电压参数和温度参数。
优选地，所述iv曲线测试仪用于获取实时iv曲线数据和用于修正上述实时iv曲线数据的实时光谱数据，所述iv曲线测试仪包括太阳光模拟发生装置、光谱测量装置、iv曲线数据采集装置和iv曲线数据修正装置，待质检硅片、所述太阳光模拟发生装置、光谱测量装置和iv曲线数据采集装置均位于测试室内部，其中：
所述太阳光模拟发生装置用于生成供待质检硅片响应输出实时iv曲线数据的模拟自然光；
所述光谱测量装置用于检测并且输出上述模拟自然光的实时光谱数据；
所述iv曲线数据采集装置与待质检硅片相连，所述iv曲线数据采集装置用于获取待质检硅片在受到模拟自然光照射后的实时iv曲线数据；
所述iv曲线数据修正装置预置有标准光谱数据，所述iv曲线数据修正装置根据标准光谱数据将上述实时iv曲线数据修正为校正iv曲线数据。
进一步地，所述iv曲线测试仪还包括iv曲线数据判断装置，所述iv曲线数据判断装置预置有标准iv曲线数据，所述iv曲线数据判断装置根据上述标准iv曲线数据判断待质检硅片的校正iv曲线数据是否符合标准iv曲线数据的误差范围（如果符合误差范围则判断待质检硅片质检合格，否则判断待质检硅片之间不合格）。
进一步地，所述iv曲线测试仪还包括硅片固定装置，所述硅片固定装置用于将待质检硅片固定于测试室的特定位置。换而言之，由于硅片的响应输出的各参数容易受到照射角度等外部环境影响，必须确保太阳光模拟发生装置、光谱测量装置、iv曲线数据采集装置和每一批次的待质检硅片之间的相对位置均保持一致，才能实现每一批次的待质检硅片的质检过程一致性和可重复性。
进一步地，所述iv曲线测试仪还包括硅片输送装置，所述硅片输送装置用于将待质检硅片移入测试室（并且输送至测试室的特定位置）或者移出测试室。换而言之，当上一批次的待质检硅片之间完毕时，需要硅片输送装置迅速将已测试完毕的硅片移出测试室，同时将下一批次的待质检硅片移入测试室，以便开始下一周期的测试过程。
值得一提的是，本iv曲线测试仪每一批次可测试一片硅片，更为优选的是，本iv曲线测试仪每一批次可同时测试多片硅片，以便进一步提高测试效率，降低测试成本。
其中，上述实时iv曲线数据（校正iv曲线数据、标准iv曲线数据同理）包括电流参数、电压参数和温度参数。
其中，所述iv曲线数据采集装置包括电流采集模块、电压采集模块和温度采集模块，分别用于采集上述电流参数、电压参数和温度参数。
根据上述优选实施例，本发明专利申请公开的iv曲线测试仪扫描方法，其工作原理简介如下。
一般地，在光伏技术领域，用于表征太阳辐射和大气吸收程度的指标主要包括太阳常数和大气质量。其中，太阳常数的定义是，在距离太阳约一个天文单位处的与太阳光方向垂直的单位面积上的单位时间所得到的太阳总辐射能量。然而，在实际测量过程中我们发现，由于地球稠密大气层的影响，硅片的标准性能测试都会不同程度地收到大气干扰。因此，为度量大气对于测试的影响程度，有必要引入大气质量（airmass，am）的概念。
一般地，太阳位于正中央时海平面处被定义成am1，外层空间不通过大气时被定义成am0。为符合生产实际，我们通常将太阳处于特定高度角（41.8°）时定位成am1.5。
因此，在难以保证测试条件为标准条件（测试温度25±2℃，光源的光谱辐照度1000w/m2，并具有标准的am1.5太阳光谱辐照度分布）的情况下，实测数据必须修正为标准测试条件下的数值。
值得一提的是，由于iv曲线响应与入射光的波长直接相关，需要标定在标准测试条件下的短路电流值以及相对或者绝对光谱响应曲线。
对于本领域的技术人员而言，依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或对其中部分技术特征进行等同替换，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围。