全光谱LED光源的制作方法

本发明涉及led光源领域，具体涉及一种全光谱led光源。

背景技术：

目前所采用的led光源多为高显白光，高显白光为蓝光晶片加黄绿色荧光粉和红色荧光粉组成，主要发光源是蓝光，激发荧光粉，其光效低，具有蓝光危害。

技术实现要素：

综上所述，为了克服现有技术问题的不足，本发明提供一种全光谱led光源，采用主要发光源为红光，激发蓝绿粉，其低电压、高光效、克服蓝光危害、全光谱、接近太阳自然光。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：

一种全光谱led光源，其中：包括基板，所述的基板上设置光源组件，光源组件与基板连接，光源组件包括led发光晶片及包裹在led发光晶片外的荧光胶，所述的led发光晶片为单色红光晶片或者为蓝光晶片与红光晶片的组合，led发光晶片为单色红光晶片时，包裹在led发光晶片外的荧光胶为蓝绿荧光胶，led发光晶片为蓝光晶片与红光晶片的组合时，包裹在led发光晶片外的荧光胶为绿荧光胶。

进一步，所述的蓝绿荧光胶包括硅胶、环氧树脂及蓝绿荧光粉的混合。

进一步，所述的红光晶片的波长：620-640nm。

进一步，所述的蓝绿荧光粉的波长：495nm，x：0.085；y：0.477。

进一步，所述的绿荧光胶包括硅胶、环氧树脂及绿荧光粉的混合。

进一步，所述的蓝光晶片波长：450-470nm。

进一步，所述的绿荧光粉波长：525nm，x：0.279；y：0.628。

进一步，所述的基板与led发光晶片通过晶圆级csp无封装技术连接。

进一步，所述的led发光晶片为倒装共晶led芯片。

本发明的有益效果为：

1、本发明的结构简单，构思巧妙，led发光晶片为单色红光晶片或者为蓝光晶片与红光晶片的组合，发光芯片发出人造光，其电压低、高光效、克服蓝光危害、全光谱、接近有太阳光，可应用于植物生长灯、高端相机补光灯、手术灯、护眼灯、博物馆照明灯、高端场所照明等对光谱质量要求高的领域。

附图说明

图1为本发明的结构示意图；

图2为本发明实施例二的结构示意图；

图中：基板1；红光晶片2；蓝绿荧光胶3；蓝光晶片4；绿荧光胶5。

具体实施方式

下面结合附图及实施例对本发明作进一步的详细说明。

实施例一

如图1所示，一种全光谱led光源，其中：包括基板1，所述的基板1上设置光源组件，光源组件与基板1连接，所述的基板1与led发光晶片通过晶圆级csp无封装技术连接,所述的led发光晶片为倒装共晶led芯片,光源组件包括led发光晶片及包裹在led发光晶片外的荧光胶，所述的led发光晶片为单色红光晶片2或者为蓝光晶片4与红光晶片2的组合，led发光晶片为单色红光晶片2时，所述的红光晶片2的波长：620-640nm,包裹在led发光晶片外的荧光胶为蓝绿荧光胶3，所述的蓝绿荧光粉的波长：495nm，x：0.085；y：0.477,所述的蓝绿荧光胶3包括硅胶、环氧树脂及蓝绿荧光粉的混合,

在使用时，首先红光晶片2安装在芯片上，发光芯片与基板1通过蓝绿荧光胶3粘接在一起，所述的基板1与led发光晶片通过晶圆级csp无封装技术连接,所述的led发光晶片为倒装共晶led芯片,发光芯片的制作步骤包括固晶、焊线及点荧光胶，首先将固晶就是将led芯片固定在基板1上，在芯片下端焊线连接，最后再led芯片上点荧光胶，将led芯片与基板11固定连接，为led芯片创造一个减震隔离的环境。

实施例二

如图2所示，重复实施例一，有以下不同，当led发光晶片为蓝光晶片4与红光晶片2的组合时，包裹在led发光晶片外的荧光胶为绿荧光胶5,所述的蓝光晶片4波长：450-470nm,所述的绿荧光胶5包括硅胶、环氧树脂及绿荧光粉的混合,所述的绿荧光粉波长：525nm，x：0.279；y：0.628。

要说明的是，以上所述实施例是对本发明技术方案的说明而非限制，所属技术领域普通技术人员的等同替换或者根据现有技术而做的其它修改，只要没超出本发明技术方案的思路和范围，均应包含在本发明所要求的权利范围之内。

技术特征：

技术总结
本发明提供一种全光谱LED光源，包括基板，所述的基板上设置光源组件，光源组件与基板连接，光源组件包括LED发光晶片及包裹在LED发光晶片外的荧光胶，所述的LED发光晶片为单色红光晶片或者为蓝光晶片与红光晶片的组合，LED发光晶片为单色红光晶片时，包裹在LED发光晶片外的荧光胶为蓝绿荧光胶，LED发光晶片为蓝光晶片与红光晶片的组合时，包裹在LED发光晶片外的荧光胶为绿荧光胶。本发明的结构简单，构思巧妙LED发光晶片为单色红光晶片或者为蓝光晶片与红光晶片的组合，LED发光晶片发出人造光，其电压低、高光效、克服蓝光危害、全光谱、接近有太阳光，可应用于植物生长灯、高端相机补光灯、博物馆照明灯、高端场所照明等对光谱质量要求高的领域。

技术研发人员：曹成科;李春雷;刘奇;张小刚
受保护的技术使用者：郑州森源新能源科技有限公司
技术研发日：2018.10.08
技术公布日：2019.01.08