具有分层荧光粉胶体的发光二极管封装结构的制作方法

本发明涉及一种发光二极管封装结构，特别是涉及一种具有分层荧光粉胶体的发光二极管封装结构。
背景技术：
：随着发光二极管(lightemittingdiode，简称led)相关技术的发展，其应用的层面也越来越广泛与多元化，且为了能更良好地配合不同应用场合的需求，对于发光二极管的出光效率、演色性以及耐用性等规格条件的要求也越来越高。为了调整发光二极管发出的光线波长，萤光材料被广泛使用于发光二极管封装产业，用以将蓝光发光二极管芯片或紫外光发光二极管芯片等各种规格的芯片所发出的光转换成白光或各种色光。现有技术中，多半是根据所需要的最终出光的色坐标，选取一种或数种荧光粉材料相互混合在封装胶体中，再以混合有前述荧光粉材料的封装胶体封装发光二极管芯片，进而使发光二极管芯片所发出的光线在通过封装胶体时，能够被荧光粉材料吸收，并转换成不同波长的光线后放出。现有的做法中，荧光粉材料是散布在封装胶体中，发出的光线可能在底部先被第一种激发光谱的荧光粉材料吸收，经过一次波长转换后被放出，之后被第二种激发光谱的荧光粉材料吸收，再经过波长转换后又被放出。至此，仍属于理想的状况。然而，经过两次波长转换的光线，在封装胶体中还可能一而再、再而三地被荧光粉材料吸收以及放出，反复地进行波长转换。而光线的能量在反复被吸收及放出的过程中便会逐渐被耗损，因此难有理想的出光效率。因此，如何减少能量在反复被吸收及放出的过程所发生的耗损，以提高出光效率，提高显色指数，提高亮度，已成为本领域所欲解决的重要课题之一。技术实现要素：本发明所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足，提供一种具有分层荧光粉胶体的发光二极管封装结构，能将混合有不同激发波长的荧光粉体分层设置，减少能量在反复被吸收及放出的过程所发生的耗损，进而能够提高出光效率，提高显色指数，提高亮度。为了解决上述的技术问题，本发明所采用的其中一技术方案是，提供一种具有分层荧光粉胶体的发光二极管封装结构，其特征在于，所述发光二极管封装结构包括一发光二极管芯片、一第一封装胶体层以及一第二封装胶体层。所述第一封装胶体层覆盖所述发光二极管芯片，其混合有一第一类荧光粉体，所述第一类荧光粉体受激发的发射峰值波长在一第一波长范围内；所述第二封装胶体层覆盖所述第一封装胶体层，其混合有一第二类荧光粉体，所述第二类荧光粉体受激发的发射峰值波长在一第二波长范围内，所述第二波长范围与所述第一波长范围相异。其中，所述第一类荧光粉体及所述第二类荧光粉体的至少其中之一，是以底部浓度高于顶部浓度的状态分布在对应的所述第一封装胶体层或所述第二封装胶体层中。本发明的有益效果在于，本发明所提供的具有分层荧光粉胶体的发光二极管封装结构，其能通过“所述发光二极管封装结构包括所述第一封装胶体层以及所述第二封装胶体层”及“所述第一类荧光粉体及所述第二类荧光粉体的至少其中之一，是以底部浓度高于顶部浓度的状态分布在对应的所述第一封装胶体层或所述第二封装胶体层中”的技术方案，以减少能量在反复被吸收及放出的过程所发生的耗损，进而能够提高出光效率，提高显色指数，提高亮度。为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而所提供的附图仅用于提供参考与说明，并非用来对本发明加以限制。附图说明图1为本发明第一实施例的发光二极管封装结构的剖面示意图。图2为本发明第二实施例的发光二极管封装结构的剖面示意图。图3为图2的iii部分的放大示意图。图4为本发明第二实施例的两种态样的相对光谱能量分布曲线与现有技术的相对光谱能量分布曲线的比较示意图。具体实施方式以下是通过特定的具体实例来说明本发明所公开有关“具有分层荧光粉胶体的发光二极管封装结构”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本发明的优点与效果。本发明可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不悖离本发明的构思下进行各种修改与变更。另外事先声明，本发明的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘。以下的实施方式将进一步详细说明本发明的相关技术内容，但所公开的内容并非用以限制本发明的保护范围。应理解，虽然本文中可能使用术语第一、第二、第三等来描述各种组件或者信号，但这些组件或者信号不应受这些术语的限制。这些术语主要是用以区分一组件与另一组件，或者一信号与另一信号。另外，本文中所使用的术语“或”，应视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的组合。第一实施例首先，请参阅图1所示，图1为本发明第一实施例的发光二极管封装结构z的剖面示意图。在本发明第一实施例中，发光二极管封装结构z包括发光二极管芯片1、第一封装胶体层2、第二封装胶体层3以及导电层4。发光二极管芯片1与导电层4电性连接，以通过导电层4获得发出光线所需要的电能。在本实施例中，第一封装胶体层2覆盖发光二极管芯片1以及导电层4，第二封装胶体层3则是覆盖第一封装胶体层2。第一封装胶体层2混合有第一类荧光粉体21，第一类荧光粉体21受激发的发射峰值波长在第一波长范围内；第二封装胶体层3混合有第二类荧光粉体31，第二类荧光粉体31受激发的发射峰值波长在第二波长范围内，第二波长范围与第一波长范围相异。实际应用上，可以使第一波长范围介于600nm至660nm之间，而第二波长范围介于500nm至575nm之间；反过来说，也可以使第一波长范围介于500nm至575nm之间，而第二波长范围介于600nm至660nm之间；此外，也可以根据实际需要的出光效果(例如根据应用上的需要，采取不同的色温)，选用其他波长范围的荧光粉体，只要使第一波长范围与使第二波长范围相异，即符合本发明的精神。以第一波长范围介于600nm至660nm之间的实施方式为例，本发明的第一类荧光粉体21可以包含发射峰值波长在第一波长范围内的一种或多种荧光粉体材料。举例来说，可以单独选用发射峰值波长为625nm的氮化物荧光粉、发射峰值波长为651nm的氮化物荧光粉、发射峰值波长为615nm的氮化物荧光粉或发射峰值波长介于600nm至660nm之间的氮化物或其他成分的荧光粉，也可以从上述荧光粉中选用其中的两种以上，将其混合成本发明的第一类荧光粉体21，甚至，预先将两种成分的氮化物荧光粉依照预定比例混合成发射峰值波长为635nm的氮化物荧光粉混合物，并将其做为本发明的第一类荧光粉体21。只要在符合本发明限制条件的前提下，根据实际应用上的产品需求以及材料来源与成本因素，综合考虑并选用的一种或多种荧光粉体材料，都可以认为是这里所称的第一类荧光粉体21。再以第二波长范围介于500nm至575nm之间的实施方式为例，本发明的第二类荧光粉体31可以包含发射峰值波长在第二波长范围内的一种或多种荧光粉体材料。举例来说，可以根据所需要的色温单独选用发射峰值波长为520nm的铝酸盐荧光粉、发射峰值波长为530nm的铝酸盐荧光粉或发射峰值波长介于500nm至575nm之间的铝酸盐或其他成分的荧光粉，也可以从上述荧光粉中选用其中的两种以上，将其混合成本发明的第二类荧光粉体31，其他细节与第一类荧光粉体21类同，不重复描述。请再参阅图1所示，在本发明的优选实施例中，第一类荧光粉体21以及第二类荧光粉体31都是以底部浓度高于顶部浓度的状态分布在对应的第一封装胶体层2或第二封装胶体层3中。但是需要特别说明的是，本发明的实际应用并不以此为限，也可以只有第一类荧光粉体21以底部浓度高于顶部浓度的状态分布在第一封装胶体层2中，或是只有第二类荧光粉体31以底部浓度高于顶部浓度的状态分布在第二封装胶体层3中，只要其中之一符合“荧光粉体以底部浓度高于顶部浓度的状态分布在封装胶体层中”的条件即可。从图1可以看出，在本实施例中，第一类荧光粉体21在第一封装胶体层2中的浓度，自第一封装胶体层2底部向第一封装胶体层2顶部递减；同样地，第二类荧光粉体31在第二封装胶体层3中的浓度，也是自第二封装胶体层3底部向第二封装胶体层3顶部递减。由于第一封装胶体层2顶部的第一类荧光粉体21浓度较稀薄，而第一封装胶体层2顶部又与第二封装胶体层3底部相连接，且第二封装胶体层3底部的第二类荧光粉体31浓度较高，因此，在外观上会形成第二类荧光粉体31积聚在第一封装胶体层2与第二封装胶体层3交界面的现象。值得特别一提的是，虽然在本实施例中，第一封装胶体层2与第二封装胶体层3之间形成一个下凹状的交界面，而第二封装胶体层3的顶面形成一个平面，但本发明并不需要特别限定第一封装胶体层2与第二封装胶体层3两者之间交界面的形状，也不限定第二封装胶体层3顶面的形状，根据实际量测的结果，本发明无论应用在第一封装胶体层2与第二封装胶体层3两者之间的交界面为下凹、平面或突起的产品中，或是搭配第二封装胶体层3的顶面为下凹、平面或突起的产品中，都能够获得良好的功效。有关浓度梯度的形成方式，可以采用泥浆法(slurrymethod)制备含有不同浓度荧光粉体材料的封装胶体溶液，搭配喷雾披覆(spraycoating)或浸泡披覆(dippingcoating)一次次施用在led表面或下层(第一封装胶体层2)的表面上；或者，也可以采用电泳沉积法(electrophoresisdeposition，简称epd)使得荧光粉体材料在装胶体层底部形成高填充密度的萤光层体；此外，也可以先将荧光粉体材料悬浮在封装胶体溶液中，通过自然沉淀或离心沉淀等方式使得荧光粉体材料在封装胶体溶液中形成梯度，本发明不具体限制用以形成浓度梯度时所采取的作法。由于在本发明的优选实施例中，第一类荧光粉体21是以底部浓度高于顶部浓度的状态分布在第一封装胶体层2中(或者第二类荧光粉体31是以底部浓度高于顶部浓度的状态分布在第二封装胶体层3中)，因此，在光线通过第一封装胶体层2(或第二封装胶体层3)底部时，就能够被高效率地进行波长转换；此外，已经在第一封装胶体层2(或第二封装胶体层3)底部被转换过波长的光线，从第一封装胶体层2(或第二封装胶体层3)底部向上行进的过程中，再次被第一类荧光粉体21(或者第二类荧光粉体31)吸收的机率会越来越低，因此能有效避免能量在反复被吸收及被放出的过程中逐渐耗损。据此，本发明能够使发光二极管芯片1发出的光线能量都有效率地被运用，因此能够提高出光效率。此外，由于本发明将第一类荧光粉体21与第二类荧光粉体31分别封装在第一封装胶体层2以及第二封装胶体层3中，且第二封装胶体层3覆盖在第一封装胶体层2的外侧(上方)，而能够确保经过第二类荧光粉体31转换波长的光线，不会再次被第一类荧光粉体21吸收并转换波长，因此，不但能够更进一步地避免光线能量在反复的转换下无谓的耗损，除此之外，还可以有效提高显色指数。第二实施例接下来，请参阅图2至图4所示，图2为本发明第二实施例的发光二极管封装结构的剖面示意图；图3为图2的iii部分的放大示意图；图4为本发明第二实施例的两种态样的相对光谱能量分布曲线与现有技术的相对光谱能量分布曲线的比较示意图。如同先前所说，无论在第一封装胶体层2与第二封装胶体层3两者之间的交界面为下凹、平面或突起的产品中，或是第二封装胶体层3的顶面为下凹、平面或突起的产品中，本发明在实际应用时都能够发挥良好的功效。从图2可以看出，本发明第二实施例采用的是第一封装胶体层2与第二封装胶体层3两者之间的交界面以及第二封装胶体层3的顶面都是平面的实施方式。相较于本发明的第一实施例，本发明第二实施例的第一类荧光粉体21以及第二类荧光粉体31更集中于对应的第一封装胶体层2以及第二封装胶体层3底部。更具体来说，请一并参阅图2以及图3所示，本实施例中的第一封装胶体层2高度为h1，第二封装胶体层3的高度为h2，而绝大多数的第一类荧光粉体21以及第二类荧光粉体31都集中在第一封装胶体层2以及第二封装胶体层3的底部。以第一封装胶体层2为例，其整体高度为h1，而绝大多数的第一类荧光粉体21集中在第一封装胶体层2下方高度h1的范围内。在本实施例中，将高度h1的范围设定为第一封装胶体层2整体高度h1的3/10(即自第一封装胶体层2底部向上30％的高度范围内)，在此范围内的第一类荧光粉体21占第一类荧光粉体21总量的50％以上。换句话说，超过高度h1的高度范围，第一类荧光粉体21的量仅仅只有第一类荧光粉体21的总量的50％以下。在实际应用上，可能使第一封装胶体层2底部向上30％的高度范围内的第一类荧光粉体21占第一类荧光粉体21总量的55％、70％、85％甚至99％以上，甚至使第一类荧光粉体21更集中于底部，例如使第一封装胶体层2底部向上20％、10％甚至5％的高度范围内的第一类荧光粉体21即占第一类荧光粉体21总量的55％、70％、85％甚至99％以上，以使绝大多数的光线可以在邻近底部的范围内就完成波长转换。值得特别一提的是，在第一封装胶体层2底部，第一类荧光粉体21除了会覆盖在发光二极管芯片1的表面，而能够对发光二极管芯片1发出的光线进行波长转换之外，第一类荧光粉体21还会覆盖到发光二极管芯片1以外的部分。虽然覆盖在发光二极管芯片1的表面以外的第一类荧光粉体21在波长的转换上较没有发挥到作用，然而这些第一类荧光粉体21并非完全没有任何功效。具体来说，本实施例中沉积于第一封装胶体层2底部的第一类荧光粉体21还会覆盖导电层4，且第一类荧光粉体21会形成覆盖导电层4的热屏蔽层。更进一步来说，在发光二极管芯片1运作的过程中容易产生大量的热，假如没有适当的散热方案，可能会因为局部热能的累积，导致封装胶体的局部被过度加热而破裂甚至燃烧。本实施例的第一类荧光粉体21形成覆盖导电层4的热屏蔽层，可以使导电层4的热均匀散布到第一类荧光粉体21中，且使热能更容易被传导回用以设置发光二极管芯片1以及导电层4的基板，而能够避免第一封装胶体层2的局部被过度加热。请再参阅图2所示，如同上面针对第一类荧光粉体21的说明，在本实施例中，第二类荧光粉体31绝大多数的集中于第二封装胶体层3底部。具体来说，自第二封装胶体层3底部向上30％的高度范围内的第二类荧光粉体31的浓度，占第二类荧光粉体31总量的50％以上。其范围的高度比例关系可参考有关第一类荧光粉体21的说明，这里不另外以放大图示说明。将第二类荧光粉体31集中于第二封装胶体层3底部的好处是，无论是直接来自发光二极管芯片1的光线，或是已经被第一封装胶体层2中的第一类荧光粉体21转换过波长的光线，在经过第一封装胶体层2与第二封装胶体层3两者之间的交界面时，就能够大致上完成波长转换，而从第二封装胶体层3底部向上行进的过程中，再次被第二类荧光粉体31吸收的机率会越来越低，因此能有效避免能量在反复被吸收及被放出的过程中逐渐耗损。据此，本发明能够使通过第一封装胶体层2与第二封装胶体层3交界面的光线，在前述交界面处高效率地进行波长转换，且能减少能量耗损，进而能提高出光效率。虽然本实施例将第二封装胶体层3底部向上30％的高度范围内的第二类荧光粉体31的浓度，设定成第二类荧光粉体31总量的50％以上，但是，在实际应用上，可以根据对产品性能以及成本的要求，通过涂覆方式或沉积条件的调整，将前述高度范围改变为20％、10％甚至5％，或者将前述比例改变为55％、70％、85％、95％甚至99％以上，以确保更高比例的光线可以在第一封装胶体层2与第二封装胶体层3两者之间的交界面完成波长转换。第二实施例两种实施态样的出光光谱特征如同前面所说，本发明的第一类荧光粉体21受激发的发射峰值波长在第一波长范围内，第二类荧光粉体31受激发的发射峰值波长则在第二波长范围内，且第一波长范围与第二波长范围相异。此外，本发明并不限定第一波长范围与第二波长范围相比较的高低关系。换句话说，在实际应用上本发明的第二实施例可以包含多种态样，以下仅举其中两种实施态样与现有技术(将各色荧光粉共同混合于封装胶体中的做法)做比较，以便说明本发明的发光二极管封装结构z，其所发出的光线的相对光谱能量分布曲线(relativespectralenergydistributioncurve)所具备的技术特性。请参阅图4所示，其中，l1为现有技术的相对光谱能量分布曲线，l2为本发明第二实施例的第一种态样的相对光谱能量分布曲线，而l3为本发明第二实施例的第二种态样的相对光谱能量分布曲线。其中，在本发明第二实施例的第一种态样中，对应于第一类荧光粉体21的第一波长范围介于600nm至660nm，而对应于第一类荧光粉体31的第二波长范围则是介于500nm至575nm。换句话说，第一种态样的第一封装胶体层2中，混合的是能发出偏红色光谱的氮化物荧光粉或其他类似性质的荧光粉的混合物，而第二封装胶体层3中，混合的则是能发出偏绿色或黄绿色光谱的铝酸盐荧光粉或其他类似性质的荧光粉的混合物。反之，在本发明第二实施例的第二种态样中，对应于第一类荧光粉体21的第一波长范围介于500nm至575nm，而对应于第一类荧光粉体31的第二波长范围则是介于600nm至660nm。换句话说，其上下配置关系恰与第一种态样相反，下层(第一封装胶体层2)混合的是能发出偏绿色或黄绿色光谱的铝酸盐荧光粉或其他类似性质的荧光粉的混合物，而上层(第二封装胶体层3)混合的则是能发出偏红色光谱的氮化物荧光粉或其他类似性质的荧光粉的混合物。接下来请参阅图4所示，以下将在前述基础上，根据各曲线l1、l2以及l3说明本发明的发光二极管封装结构z的光谱特性。首先，将实际检测现有技术出光效率所获得的部分参数摘录表列如下。现有技术l1wl(nm)spectrum(w/nm)5100.0005165110.0005225320.000622(大约最大值一半)5330.000631(大约最大值一半)5850.0010355860.0010476170.0012606180.001263(最大值)6190.0012626780.000633(大约最大值一半)6790.000618(大约最大值一半)其中，可以看出现有技术的最大光谱辐照度出现在波长为618nm处，其最大光谱辐照度数值约为0.001263w/nm(即图4中曲线l1的最高点)，以此推算其最大光谱辐照度的一半约为0.000632w/nm左右，对应的波长分别是533nm以及678nm左右。换句话说，现有技术所照射出的光线光谱，其光谱辐射强度超过0.5的最小波长在535nm以下，且光谱辐射强度超过0.5的最大波长(约680nm左右)与光谱辐射强度超过0.5的最小波长的差值(如图4标示w1所示)大于140nm。这所代表的意义是，现有技术所照射出的光线，其光谱辐射强度超过0.5的光线能量，被分散在较广的波长范围，因此出光的波长不是很集中，在相同演色性条件下，可能需要提供更多能量才能够在目标波长提供足够的照度。另一方面，根据实际量测的结果，现有技术所照射出的光线光谱，从510nm至511nm处的光谱辐照度变化量为0.000006nm，而从585nm至586nm处的光谱辐照度变化量为0.000012nm，变化率仅仅大约2左右，从曲线l1也可以明显看出在这个区间的斜率没有明显的变化。这所代表的意义是，现有技术所照射出的光线，其不同波长的光线是以一个较平缓的变化趋势相混成，没有将不同色光明显区分开的趋势，因此，在演色性能上比较不容易有优异的表现。接下来，将实际检测本发明第二实施例的第一种态样出光效率所获得的部分参数摘录表列如下。第一种态样l2(下红上绿)wl(nm)spectrum(w/nm)5110.0005935120.0005955410.000686(大约最大值一半)5850.0011085860.0011266130.0013706140.001374(最大值)6150.0013736690.000691(大约最大值一半)6700.000676(大约最大值一半)其中，可以看出第一种态样的最大光谱辐照度出现在波长为614nm处，其最大光谱辐照度数值约为0.001374w/nm(即图4中曲线l2的最高点)，以此推算其最大光谱辐照度的一半约为0.000687w/nm左右，对应的波长分别是541nm以及669nm左右。换句话说，第一种态样所照射出的光线光谱，其光谱辐射强度超过0.5的最小波长在540nm以上，且光谱辐射强度超过0.5的最大波长(约670nm左右)与光谱辐射强度超过0.5的最小波长的差值仅约130nm(如图4标示w2所示)。这所代表的意义是，第一种态样所照射出的光线，其光谱辐射强度超过0.5的光线能量，被集中在较窄的波长范围内，因此可以在相同演色性条件下，有更好的出光效率。另一方面，根据实际量测的结果，第一种态样所照射出的光线光谱，从511nm至512nm处的光谱辐照度变化量仅0.000002nm，而从585nm至586nm处的光谱辐照度变化量则达到了0.000018nm，变化率达到了9倍，从曲线l2也可以明显看出在这个区间的曲线呈现凹形，靠近这个区间左侧的曲线斜率较为平缓、而靠近这个区间右侧的曲线斜率则较为陡峭。这所代表的意义是，第一种态样所照射出的光线，其不同波长的光线在此区间的左右两侧被分隔的较为明显，因此可以获得较好的演色性能。接下来，将实际检测本发明第二实施例的第一种态样出光效率所获得的部分参数摘录表列如下。第二种态样l3(下绿上红)wl(nm)spectrum(w/nm)5450.000635(大约最大值一半)6210.0012726220.001275(最大值)6230.0012736790.000643(大约最大值一半)6800.000631(大约最大值一半)其中，可以看出第二种态样的最大光谱辐照度出现在波长为622nm处，其最大光谱辐照度数值约为0.001275w/nm(即图4中曲线l3的最高点)，以此推算其最大光谱辐照度的一半约为0.000638w/nm左右，对应的波长分别是545nm以及679nm左右。换句话说，第二种态样所照射出的光线光谱，其光谱辐射强度超过0.5的最小波长在545nm以上，且光谱辐射强度超过0.5的最大波长(约680nm左右)与光谱辐射强度超过0.5的最小波长的差值仅约135nm(如图4标示w3所示)。这所代表的意义是，第二种态样所照射出的光线，其光谱辐射强度超过0.5的光线能量，也比现有技术更被集中在较窄的波长范围内，因此可以在相同演色性条件下，有更好的出光效率。发明人尝试了多种不同的荧光粉配置方式以及沉积条件，在符合本发明所请求保护的限制条件的前提下，实际量测的结果可以发现，都可以量测到类似前述出光特性的技术特征。具体地说，在本发明的优选实施例中，发光二极管封装结构z所发出的光线的相对光谱能量分布曲线，光谱辐射强度超过0.5的最小波长大于540nm，且光谱辐射强度超过0.5的最大波长与光谱辐射强度超过0.5的最小波长的差值都小于140nm。此外，在诸多实施态样中，都表现出了发光二极管封装结构z所发出的光线的相对光谱能量分布曲线，在波长510nm至波长585nm的范围内，斜率变化率大于4的技术特征。实施例的有益效果本发明的其中一有益效果在于，本发明所提供的具有分层荧光粉胶体的发光二极管封装结构z，其能通过“发光二极管封装结构z包括第一封装胶体层2以及第二封装胶体层3”及“第一类荧光粉体21及第二类荧光粉体31的至少其中之一，是以底部浓度高于顶部浓度的状态分布在对应的第一封装胶体层2或第二封装胶体层3中”的技术方案，以减少能量在反复被吸收及放出的过程所发生的耗损，进而能够提高出光效率，提高显色指数，提高亮度。更进一步来说，由于本发明的发光二极管封装结构z的出光光谱特征，符合“所发出的光线的相对光谱能量分布曲线，在波长510nm至波长585nm的范围内，斜率变化率大于4”的特征，因此其不同波长的光线在在波长510nm至波长585nm区间的左右两侧被分隔的较为明显，因此可以获得较好的演色性能。另一方面，由于本发明的发光二极管封装结构z的出光光谱特征，符合“光谱辐射强度超过0.5的最小波长大于540nm”以及“光谱辐射强度超过0.5的最大波长与光谱辐射强度超过0.5的最小波长的差值小于140nm”的特征，因此，其光谱辐射强度超过0.5的光线能量，被集中在540nm以上的较窄波长范围内，因此可以在相同演色性条件下，有更好的出光效率。还值得一提的是，本发明所提供的具有分层荧光粉胶体的发光二极管封装结构z，还能通过“沉积于第一封装胶体层2底部的第一类荧光粉体21形成覆盖导电层4的热屏蔽层”的技术方案，使导电层4的热均匀散布到第一类荧光粉体21中，且使热能更容易被传导回用以设置发光二极管芯片1以及导电层4的基板，而能够避免第一封装胶体层2的局部被过度加热，因而可以降低第一封装胶体层2因为局部被过度加热而破裂甚至燃烧的风险。以上所公开的内容仅为本发明的优选可行实施例，并非因此局限本发明的权利要求书的保护范围，所以凡是运用本发明说明书及附图内容所做的等效技术变化，均包含于本发明的权利要求书的保护范围内。当前第1页12