图案化方法与流程

本发明实施例涉及图案化鳍状结构的方法以用于半导体工艺，更特别关于涉及

背景技术：

对计算力的需求持续上升，而装置与工艺的尺寸持续缩小。这需要增加半导体集成电路中的功能密度(比如每一芯片中的内连线装置数目)。随着集成电路中的个别装置变小，图案化规格也因关键尺寸变小而变得更紧。

许多电路图案的结构为具有锐利角落的矩形。然而衍射导致角落周围小幅弯曲，具有角落的图案无法适当地重制于晶圆上，这会造成图案扭曲，最终使芯片上的装置(甚至是芯片)故障。因此确保角落不圆润，而是以角落的形式重制为半导体工艺的关键需求之一。此方法可称作角落圆润化的保真度。

技术实现要素：

本发明一实施例提供的图案化方法，包括：形成第一掩模层于基板上，预定图案将提供至基板上，预定图案具有第一方向的一或多个第一边缘与第二方向的一或多个第二边缘，且第二方向与第一方向之间的角度不为零；形成第一图案于第一掩模层上；采用第一图案移除第一掩模层的一部分，以形成基板上的预定图案的第一边缘，并形成第一图案化掩模；形成第二掩模层于第一掩模层上；形成第二图案于第二掩模层上；采用第二图案移除第二掩模层的一部分，以形成基板上的预定图案的第二边缘，并形成第二图案化掩模于基板上以露出基板的部分，其中第二图案的至少一部分与第一图案重叠，因此至少一第一边缘与至少一第二边缘相交，以形成预定图案的第一角落；以及蚀刻第一图案化掩模与第二图案化掩模所露出的基板，以形成预定图案于基板中。

附图说明

图1a与1b是矩形图案的圆润的外侧角落的平面图与沿着垂直轴的剖面图。

图1c与1d是具有重叠矩形的图案的圆润的内侧角落(以卵形标示)与外侧角落的平面图与沿着垂直轴的剖面图。

图2是本发明实施例中，图案化方法的流程图。

图3a至3j是本发明一实施例中，采用图案化方法形成矩形图案的多种阶段的附图，其中图3a、3c、3e、3g、与3i是平面图，而图3b、3d、3f、3h、与3j是沿着垂直轴的剖面图。

图4是本发明实施例中，图案化方法的流程图。

图5a至5j是本发明一实施例中，采用另一图案化方法形成矩形图案的多种阶段的附图，其中图5a、5c、5e、5g、与5i是平面图，而图5b、5d、5f、5h、与5j是沿着垂直轴的剖面图。

图6是本发明实施例中，图案化方法的流程图。

图7a至7p是本发明一实施例中，采用图案化方法形成具有重叠矩形的图案的多种阶段的附图，其中图7a、7c、7e、7g、7i、7k、7m、与7o是平面图，而图7b、7d、7f、7h、7j、7l、7n、与7p是沿着垂直轴的剖面图。

图8a至8t是本发明一实施例中，采用另一图案化方法形成具有重叠矩形的图案的多种阶段的附图，其中图8a、8c、8e、8g、8i、8k、8m、8o、8q、与8s是平面图，而图8b、8d、8f、8h、8j、8l、8n、8p、8r、与8t是沿着垂直轴的剖面图。

符号说明

s201、s202、s203、s204、s205、s206、s207、s401、s402、s403、s404、s405、s406、s407、s601、s602、s603、s604步骤

x-x’剖线

101线状图案

210第二掩模层

212第二掩模图案

220第一掩模层

222第一掩模图案

230间隔物

240、260硅层

250氧化物层

270硅基板

280基板

710、810第三掩模层

712、812第三掩模图案

820掩模充填材料

701第一充填材料

具体实施方式

可以理解的是，下述内容提供的不同实施例或实例可实施本发明的不同结构。特定构件与排列的实施例是用以简化本发明而非局限本发明。举例来说，形成第一构件于第二构件上的叙述包含两者直接接触，或两者之间隔有其他额外构件而非直接接触。此外，本发明的多种例子中可重复标号，但这些重复仅用以简化与清楚说明，不代表不同实施例和/或设置之间具有相同标号的单元之间具有相同的对应关系。

此外，空间性的相对用语如“下方”、“其下”、“较下方”、“上方”、“较上方”、或类似用语可用于简化说明某一元件与另一元件在图示中的相对关系。空间性的相对用语可延伸至以其他方向使用的元件，而非局限于图示方向。元件亦可转动90°或其他角度，因此方向性用语仅用以说明图示中的方向。此外，用语“的组成为…”的意思可为“包括…”或“由…组成”。

本发明实施例一般关于图案化方法，其包含用于形成半导体结构的光刻与蚀刻步骤。本发明实施例的方法更特别关于在光刻具有角落的图案时，减少角落圆润化的现象。半导体装置中大部分的结构设计为具有锐利的角落，但这些角落在半导体工艺的多种步骤中难以重制并保持。举例来说，光刻工艺会因绕射效应而使角落圆润化。同样地，因为蚀刻材料时没有蚀刻剂为完美的非等向，因此角落将圆润化。

图1a与1b显示矩形图案的圆润外侧角落。图1a显示具有圆润角落的矩形结构的平面图，而图1b显示右侧上沿着垂直轴的剖视图。如图1a的平面图所示，图1a中的线状图案101(如鳍状结构)因外侧角落圆润化而变宽。此处所述的外侧角落指的是图案边缘形成的角落，且边缘之间的角度为约90°或更小。

图1c与1d显示圆润化的外侧角落与内侧角落，其用于具有两个重叠矩形的图案。图1c显示具有圆润角落的重叠矩形的图案的平面图，而图1d显示右侧沿着垂直轴的剖面图。如图1c所示，线状图案101因外侧角落圆润化而变宽，并因内侧角落圆润化而变窄。此处所述的内侧角落指的是图案边缘形成的角落，其角度大于或等于约180°。换言之，具有外侧角落的结构形成凸多边形，而具有单一内侧角落的结构形成非凸多边形。

由于靠近圆润角落的部分比预定尺寸更宽，圆润角落造成结构的关键尺寸变异。因此在光刻与蚀刻工艺中，需致力减少圆润角落。

图2为本发明一实施例中，光刻方法的流程图。图3a至3j是本发明一实施例中，采用光刻法形成矩形图案的多种阶段的附图。图3a、3c、3e、3g、与3i是平面图，而图3b、3d、3f、3h、与3j是沿着剖线x-x’的剖面图。图案化方法将搭配图2与3a-3j说明如下。在一实施例中，方法包括的步骤s201形成第一掩模层220于基板280上。基板280为即将提供预定图案至此的基板。在图3a与3b所示的多种实施例中，基板280包含预先图案化的线状结构如鳍状物、栅极图案、或金属线路。因此在多种实施例中，基板280包含两种或更多种的材料于预先存在的图案中。举例来说，一些实施例的基板280包含的线状图案101的组成为氮化硅或氧化硅，其由掺杂的硅组成之间隔物230分隔。在其他实施例中，线状图案101的组成为掺杂的硅，其由氮化硅或氧化硅或其他介电材料组成的间隔物230分隔。在其他实施例中，线状图案101的组成为金属化材料，其由氮化硅和/或氧化硅或其他介电材料组成的间隔物230分隔。在多种实施例中，线状图案101与间隔物形成于绝缘层上硅基板上，且基板具有掺杂或未掺杂的硅层240、氧化物(或其他绝缘物)层250、硅层260、与硅基板270。本技术领域中技术人员应理解上述层状物仅用以举例，而此处所述的方法并不限于基板280的预先存在的图案与结构。在其他实施例中，可采用基体硅基板取代绝缘层上硅基板。此外，一些实施例的硅层240、氧化物层250、与硅层260可改为一或多个多种绝缘、介电、和/或导电的层状物，且可为图案化或未图案化。

在多种实施例中，第一掩模层220包含硬掩模如氧化硅或氮化硅。本发明实施例的方法不限于沉积或形成第一掩模层220的方法。举例来说，第一掩模层220为氧化硅层，其形成方法可为湿式或干式氧化、化学气相沉积、旋转涂布氧化物、或类似方法。

接着进行方法的步骤s202，以形成第二掩模层210于第一掩模层220上。与第一掩模层220类似，一些实施例的第二掩模层210为氧化硅层或氮化硅层。然而此方法还分别移除或蚀刻第一掩模层220与第二掩模层210，第一掩模层220与第二掩模层210的材料不同且彼此之间具有蚀刻选择性。举例来说，一实施例的第一掩模层220若为氧化硅，则第二掩模层210为氮化硅。在其他实施例中，第一掩模层220为氮化硅，而第二掩模层210为氧化硅。本技术领域中技术人员应理解用于形成第二掩模层210的方法，仅受限于与第一掩模层220以及基板280上任何预先存在的结构之间的工艺相容性。因此可采用任何合适工艺形成第二掩模层210。

接着进行方法的步骤s203，以形成第二掩模图案(如开口)于第二掩模层210上。在多种实施例中，第二掩模图案为采用光刻所形成的光刻胶图案。举例来说，一实施例形成光刻胶层于第二掩模层210上，并以穿过具有合适图案的光掩模的光曝光光刻胶层。接着显影光刻胶以移除光刻胶的适当部分，可形成第二掩模图案于第二掩模层210上。如本发明其他处所述，用于第二掩模层210的蚀刻剂在蚀刻第二掩模层210之后，可确保实质上不蚀刻第一掩模层220。在多种实施例中，光刻胶为正型光刻胶或负型光刻胶，并可依光刻胶种类适当地选择光掩模图案。

在步骤s204中，移除第二掩模图案212所露出的第二掩模层210的第一部分，如图3c与图3d所示。在多种实施例中，移除第二掩模层210的第一部分的方法，为蚀刻第二掩模层210。可采用任何合适的蚀刻方法以蚀刻第二掩模层210。如本发明其他处所述，用于第二掩模层210的蚀刻剂在蚀刻第二掩模层210之后，可确保实质上未蚀刻第一掩模层220。

接着进行步骤s205以形成第一掩模图案于第二掩模层210上，且第一掩模图案的形成技术与前述形成第二掩模图案的技术类似。第一掩模图案222为光刻胶图案，因此第二掩模图案的至少一部分与第一掩模层220中后续形成的第一掩模图案222重叠，以形成预定图案的角落。换言之，第二掩模图案212沿着x轴定义预定图案的边缘，第一掩模图案222沿着y轴定义预定图案的边缘。

在多种实施例中，第二掩模图案212的侧部沿着y轴的长度，大于预定图案的侧部沿着y轴的长度，如图3e所示。因此第二掩模图案212的任何角落的圆润化，均位于预定图案的区域之外。类似地，第一掩模图案222的侧部沿着x轴的长度，大于预定图案的侧部沿着x轴的长度，如图3e所示。因此第一掩模图案222的任何角落的圆润化，均位于预定图案的区域之外。

步骤s206移除第二掩模层所露出的部分的第一掩模层220(见图3e与3f)，且移除方法可为采用合适的蚀刻剂蚀刻第一掩模层。接着进行方法的步骤s207，以合适的蚀刻剂经由第一掩模层220蚀刻线状图案101以获得预定图案，如图3e、3f、3g、与3h所示。在多种实施例中，步骤s207蚀刻基板280的方法包括多个蚀刻步骤，端视基板280上的预先存在图案中的多种材料而定。最后移除第二掩模层210与第一掩模层220以显现预定图案于基板280上，如图3i与3j所示。在多种实施例中，用以得到预定图案的方法包括在移除第二掩模层210与第一掩模层220之后，进行额外的蚀刻步骤以用于基板280上预先存在的图案的一或多种材料。

图4是本发明另一实施例中，光刻方法的流程图。图5a至5j是本发明一实施例中，采用光刻法形成矩形图案的多种阶段。图5a、5c、5e、5g、与5i为平面图，而图5b、5d、5f、5h、与5j为沿着剖线x-x'的剖视图。虽然沉积多种层状物的材料与方法可不同，但在层状物的目的类似时，图5a至5j中的结构标号可与图3a至3j中的结构标号相同以利理解。

在一实施例中，方法包含步骤s401以形成第一掩模层220于基板上，如图5a与5b所示。在多种实施例中，第一掩模层220包含硬掩模如氧化硅或氮化硅。本发明实施例的方法不限于沉积或形成第一掩模层220的方法。举例来说，第一掩模层220为氧化硅层，其形成方法可为湿式或干式氧化、化学气相沉积、旋转涂布氧化物、或类似方法。

接着进行方法的步骤s402，以形成第一掩模图案222于第一掩模层220上。举例来说，可采用任何合适的方法如光刻以形成第一掩模图案222。举例来说，一实施例形成光刻胶层于第二掩模层210上，并以穿过具有合适图案的光掩模的光曝光光刻胶层。接着显影光刻胶以移除光刻胶的合适部分，可形成第一掩模图案222于第一掩模层220上。在多种实施例中，光刻胶为正型光刻胶或负型光刻胶，且可依光刻胶种类适当地选择光掩模图案。

接着进行方法的步骤s403，采用第一掩模图案移除第一掩模层220的第一部分，以延伸第一掩模图案222至第一掩模层220中、露出基板280的一部分、并形成预定图案的第一边缘。在图5c与图5d中，第一边缘沿着y轴。在多种实施例中，移除第一掩模层220的第一部分的方法，为蚀刻第一掩模层220。可采用任何合适的蚀刻方法蚀刻第一掩模层220，端视与基板280的材料之间的相容性而定。

方法亦可包含步骤s404以形成第二掩模层210。在一些实施例中，第二掩模层210与第一掩模层220类似，且第二掩模层210为氧化硅层或氮化硅层。然而此方法亦可分别移除或蚀刻第一掩模层220与第二掩模层210，因此第一掩模层220与第二掩模层210的材料不同且彼此之间具有蚀刻选择性。举例来说，一实施例的第一掩模层220若为氧化硅，则第二掩模层210为氮化硅。在其他实施例中，第一掩模层220为氮化硅，而第二掩模层210为氧化硅。本技术领域中技术人员应理解，用于形成第二掩模层210的方法，仅受限于与第一掩模层220以及基板280上任何预先存在的结构之间的工艺相容性。因此可采用任何合适工艺形成第二掩模层210。

如图5e与图5f所示，步骤s405接着形成第二掩模图案212于第二掩模层210上，以定义基板上的预定图案的第二边缘。在一实施例中，第二掩模图案210的至少一部分与第一掩模图案220重叠，因此至少一第一边缘与至少一第二边缘相交以形成预定图案的第一角落。第一掩模图案220与第二掩模图案210的角落位于预定图案的区域之外，因此光刻或蚀刻时的任何角落圆润化均位于预定图案的区域之外。

接着进行步骤s406，采用第二掩模图案212移除第二掩模层210的一部分，以形成预定图案的第二边缘。可采用合适的蚀刻或移除层状物的工艺，端视第二掩模层210的材料而应用。在移除第二掩模层210的适当部分之后，接着进行步骤s407以蚀刻基板280的合适材料，以形成预定图案于基板280上，如图5d与5e所示。

在本发明实施例中，选择第一掩模图案与第二掩模图案所用的合适形状，以及选择形成及移除第一掩模层与第二掩模层的合适顺序，可避免基板上的预定图案中的外侧角落圆润化。同样地，改变第一掩模图案与第二掩模图案的形状与重叠，或者新增额外掩模层与图案并将图案拼接在一起以形成预定图案于基板上，则可避免内侧角落圆润化。

在一实施例中，给定的预定图案分为数个重叠图案，其各自定义预定图案的边缘。图案经选择后，重叠部分可形成预定图案的角落，且图案角落位于预定图案的区域之外。举例来说，一些实施例的预定图案包含的外侧角落，其角度为约90°或约270°。在这些实施例中，图案的第一边缘与重叠部分包含的边缘彼此正交。

图6是本发明一实施例中，在包含角落的预定图案的光刻步骤时，减少角落圆润化的方法的流程图。图7a至图7p与图8a至图8t是本发明多种实施例中，采用减少角落圆润化的方法形成具有重叠矩形的图案以形成外侧角落与内侧角落的多种阶段。

在一实施例中，方法包含的步骤s601将预定图案分为第一掩模图案与第二掩模图案。第一掩模图案定义角落的第一边缘，而第二掩模图案定义角落的第二边缘。第二掩模图案的至少一部分与第一掩模图案重叠，因此第一边缘与第二边缘相交以形成预定图案的第一角落。方法亦包含步骤s602，其形成第一掩模图案于基板上的第一掩模层中以露出基板。方法的步骤s603形成第二掩模图案于第一掩模层中以露出基板。步骤s604接着蚀刻第一掩模层所露出的基板，以获得预定图案。

在多种实施例中，用于减少角落圆润化的方法亦包含：在蚀刻基板之前，先采用第一掩模图案222并移除第一掩模层220的一部分(见图7c与7d)、形成第二掩模层210(见图7e与7f)、形成第三掩模图案712于第二掩模层210中(见图7i与7j)、以及移除第二掩模层210。在一实施例中，在移除第二掩模层210之前，采用第三掩模图案712并蚀刻第一掩模层220，如图7k与7l所示。在这些实施例中，在移除第二掩模层210之前，亦先移除线状图案101，如图7m与图7n所示。在移除第二掩模层210之后可获得一实施例的图案，如图7o与图7p所示。

在一些实施例中，方法还包括在形成第二掩模图案之前，蚀刻第一掩模图案所露出的基板的部分的一或多种材料(见图7c至7f)，并将第一充填材料701填入第一掩模图案露出的基板的蚀刻部分(见图7g与7h)，且第一充填材料701不同于基板被蚀刻的材料。在其他实施例中，方法还包括在蚀刻基板之前，采用第二掩模图案并移除第一掩模层的一部分(见图8g与图8h)、移除所有的第二掩模层(见图8g至图8j)、形成第三掩模层810并形成第三掩模图案812于第三掩模层810中(见图8k与图8l)、并移除第三掩模层810。形成第三掩模图案712或812，使第三掩模图案712或812的至少一部分与第一掩模图案重叠，因此由第一掩模图案定义的第一边缘的至少一者与第三掩模图案712或812的至少一边缘相交，以形成预定图案的第二角落(如内侧角落)。在多种实施例中，用于填入基板的蚀刻部分的材料，与氧化硅及氮化硅之间具有蚀刻选择性。举例来说，一实施例中用于填入基板的蚀刻部分的材料为氮化钛。

具体而言，第一掩模层220形成于包含线状图案101的基板上，如图7a与图7b所示。接着采用一或多道光刻与蚀刻步骤，形成第一掩模图案222(如开口)于第一掩模层220中。第一掩模图案222露出线状图案101的部分，如图7c与图7d所示。接着形成第二掩模层210于图7c与图7d所示的结构上，并采用一或多道光刻与蚀刻步骤以形成第二掩模图案212(如开口)。经由第二掩模图案212移除线状图案101，如图7e与图7f所示。此时第二掩模图案212部分地露出第一掩模层220，且在移除线状图案101时并未蚀刻露出的第一掩模层220。接着形成第一充填材料701(例如氮化钛)以填入移除线状图案101所形成的空间，如图7g与7h所示。在一些实施例中，进行化学机械研磨步骤以移除多余的充填材料与第二掩模层。此外，形成第三掩模层710，并采用一或多道光刻或蚀刻步骤形成第三掩模图案712(如开口)，以露出充填图案与第一掩模层的一部分，如图7i与图7j所示。采用第三掩模图案712作为蚀刻掩模并蚀刻第一掩模层220，如图7k与图7l所示。接着如图7m与图7n所示，移除线状图案101，接着移除第一掩模层220、第二掩模层210、第三掩模层710、与充填图案，以获得图7o与图7p所示的结构。在此处所述的其他实施例中，用于形成多种结构的特定材料与工艺，取决于与基板280上预先存在的材料之间的相容性，以及后续工艺所需的蚀刻选择性。举例来说，如图7a至图7p所示的实施例中，用于第一掩模层220与第二掩模层210的材料彼此之间可具有蚀刻选择性。因此当上述两者之一为氧化硅时，另一者为氮化硅。另一方面，在图7a至图7p所示的实施例中，第一充填材料701与间隔物230不需具有蚀刻选择性以用于预定图案。因此在一些实施例中，第一充填材料701与间隔物230相同。其他实施例若需要特定图案，则第一充填材料701与间隔物230具有不同材料，以对特定蚀刻剂具有蚀刻选择性。

在一实施例中，在形成第一掩模图案222后，采用第一掩模图案222以移除第一掩模层220，如图8c与图8d所示。接着沉积掩模充填材料820于第一掩模层220露出基板280的位置中，如图8e与图8f所示。在多种实施例中，掩模充填材料820的蚀刻选择性不同于第二掩模层210的材料的蚀刻选择性。举例来说，当一实施例中用于第二掩模层210的材料为氧化硅时，掩模充填材料820为氮化钛。在多种实施例中，第二掩模层210形成于第一掩模层220与掩模充填材料820上，如图8g与图8h所示。接着形成第二掩模图案212于第二掩模层210上。接着经由第二掩模图案212移除掩模充填材料820，如图8i与图8j所示。接着形成第三掩模层810，并形成第三掩模图案812于第三掩模层810上，如图8k与图8l所示。接着移除第三掩模图案812所露出的掩模充填材料820与第一掩模层220，如图8m与图8n所示。接着移除第三掩模层810以露出预定图案，如图8o至图8r所示。接着经由线状结构101蚀刻以形成预定图案于基板280上，如图8s与图8t所示。

具体而言，形成第一掩模层220于具有线状图案101的基板上，如图8a与图8b所示。接着采用一或多道光刻与蚀刻步骤，形成第一掩模图案222(如开口)于第一掩模层220中。第一掩模图案222露出线状图案101的部分，如图8c与图8d所示。接着将掩模充填材料820填入第一掩模图案222的开口，如图8e与8f所示。在一些实施例中，接着进行化学机械研磨。接着形成第二掩模层210于上述结构上，如图8g与图8h所示。采用一或多道光刻与蚀刻步骤，形成第二掩模图案212(如开口)，并经由第二掩模图案212移除掩模充填材料820，如图8g与图8h所示。此时第二掩模图案212部分地露出第一掩模层220。接着如图8i与图8j所示，移除第二掩模层210。接着形成第三掩模层810，并采用一或多道光刻与蚀刻步骤，可形成第三掩模图案812(如开口)以露出第一掩模层220与基板的一部分，如图8k与图8l所示。采用第三掩模图案812作为蚀刻掩模，移除掩模材料，如图8m与图8n所示。接着移除第三掩模层810，如图8o与图8p所示。接着采用第一掩模层220与掩模充填材料820作为蚀刻掩模，移除线状图案101，如图8q与8r所示。接着移除第一掩模层220与掩模充填材料820，以获得图8s与8t所示的结构。在此处所述的其他实施例中，用于形成多种结构的特定材料与工艺，取决于与基板280上预先存在的材料的相容性，以及后续工艺所需的蚀刻选择性。以图8a至8t的实施例为例，用于第一掩模层220与第二掩模层210的材料彼此之间具有蚀刻选择性。因此举例来说，当上述两者之一为氧化硅时，另一者为氮化硅。类似地，以图8a至图8t的实施例为例，对预定图案而言，掩模充填材料820的蚀刻选择性不同于第一掩模层220与第二掩模层210的蚀刻选择性。因此一些实施例中，用于掩模充填材料820的材料为氮化钛。其他实施例为符合特定图案需求，掩模充填材料820与第一掩模层220的材料可为相同材料(或者掩模充填材料820与第二掩模层210的材料可为相同材料)，且对特定蚀刻剂不具选择性。

本技术领域中技术人员应理解，采用此处所述的方法可避免多种图案的角落圆润化，以改善光刻时的图案保真度。可以理解的是，虽然本发明实施例的方法关于光刻，但其他种类的光刻技术如电子束光刻或离子束光刻亦可采用相同方法。

可以理解的是，此处不需说明所有优点，所有的实施例或例子不需具有特定优点，且其他实施例或例子可具有不同优点。

在本发明一实施例中，图案化方法包括形成第一掩模层于基板上，预定图案将提供至基板上，预定图案具有第一方向的一或多个第一边缘与第二方向的一或多个第二边缘。第二方向与第一方向之间的角度不为零。方法亦包括形成第一图案于第一掩模层上，并采用第一图案移除第一掩模层的一部分，以形成基板上的预定图案的第一边缘，并形成第一图案化掩模。方法亦包括形成第二掩模层于第一掩模层上，并形成第二图案于第二掩模层上。方法亦包括采用第二图案移除第二掩模层的一部分，以形成基板上的预定图案的第二边缘，并形成第二图案化掩模于基板上以露出基板的部分。第二图案的至少一部分与第一图案重叠，因此至少一第一边缘与至少一第二边缘相交，以形成预定图案的第一角落。方法亦包括蚀刻第一图案化掩模与第二图案化掩模所露出的基板，以形成预定图案于基板中。在一或多个前述或后述的实施例中，第一方向与第二方向正交。在一实施例中，上述方法还包括在蚀刻基板之前，采用第二图案移除第一掩模层的一部分、移除所有的第二掩模层、形成第三掩模层、形成第三图案于第三掩模层上、以及采用第三图案移除第三掩模层。第三图案的至少一部分与第一图案重叠，因此至少一第一边缘与第三图案的至少一边缘相交，以形成预定图案的第二角落。在一些实施例中，第一掩模层的材料是氮化硅或氧化硅。在一些实施例中，上述方法还包括在形成第二图案之前，将第一充填物填入第一图案，且第一充填物与第一掩模层的材料具有不同的蚀刻选择性。在一实施例中，第一充填物的材料为氮化钛。在一些实施例中，基板包括两种或更多种材料于第一图案所露出的一部分中的图案中。在一些实施例中，上述方法还包括在形成第二图案之前，蚀刻第一图案露出的基板的部分的两种或更多种材料的第一材料。在一实施例中，上述方法还包括在形成第二图案之前，将第二材料填入第一图案所露出的基板的蚀刻部分，且第二材料不同于第一材料。在一些实施例中，第一角落为外侧角落。

在本发明另一实施例中，预定图案具有第一方向中的一或多个第一边缘与第二方向中的一或多个第二边缘。第一边缘与第二边缘形成预定图案的角落。形成预定图案于基板中的图案化方法包括：将预定图案分为形成一或多个第一边缘的第一图案与形成一或多个第二边缘的第二图案。方法亦包括形成第一掩模层于基板上；形成第二掩模层于第一掩模层上；以及形成第二图案于第二掩模层上。方法亦包括采用第二图案移除第二掩模层的第一部分，并形成第一图案于第一掩模层上，第二图案的至少一部分与第一图案重叠，以形成预定图案的角落。方法亦包括移除第二掩模层所露出的第一掩模层的一部分，以露出基板的一部分；以及蚀刻第一掩模层与第二掩模层所露出的基板，以获得预定图案。在一或多个前述与后述实施例中，上述方法还包括在形成第二图案之前，蚀刻第一图案露出的基板的部分的两种或更多种材料的第一材料。在一些实施例中，上述方法还包括在形成第二图案之前，将第二材料填入第一图案所露出的基板的蚀刻部分，且第二材料不同于第一材料。在一些实施例中，第二材料与基板的材料相同。在一些实施例中，第一方向与第二方向正交。在一些实施例中，第一掩模层的材料是氮化硅或氧化硅。在一些实施例中，上述方法还包括在形成第二图案之前，将第一充填物填入第一图案，且第一充填物与第一掩模层的材料具有不同的蚀刻选择性。

在本发明又一实施例中，在图案化基板以形成包含角落的预定图案时减少角落圆润化的方法，包括：将预定图案分为第一图案与第二图案。第一图案形成角落的第一边缘，且第二图案形成角落的第二边缘。第二图案的至少一部分与第一图案重叠，因此第一边缘与第二边缘相交以形成预定图案的角落。方法亦包括形成第一图案于基板上的第一掩模层中以露出基板，形成第二图案于第一掩模层中以露出基板；以及蚀刻第一掩模层所露出的基板以获得预定图案。在一或多个前述或后述的实施例中，基板包含两种或更多种材料于预先存在的图案中，且上述材料位于第一图案露出的部分中，且方法还包括在形成第二图案之前，蚀刻第一图案露出的基板的部分的材料之一。在一实施例中，上述方法还包括在蚀刻基板之前，采用第二图案移除第一掩模层的一部分、形成第二掩模层、形成第三图案于第二掩模层中、以及采用第三图案移除第二掩模层。第三图案的至少一部分与第一图案重叠，因此第一图案的至少一边缘与第三图案的至少一边缘相交，以形成预定图案的第二角落。

上述实施例的特征有利于本技术领域中技术人员理解本发明。本技术领域中技术人员应理解可采用本发明实施例作基础，设计并变化其他工艺与结构以完成上述实施例的相同目的和/或相同优点。本技术领域中技术人员亦应理解，这些等效置换并未脱离本发明构思与范围，并可在未脱离本发明的构思与范围的前提下进行改变、替换、或变动。