技术特征：
技术总结
本发明提供了一种IGBT并联单元及IGBT压接结构，其中，IGBT并联单元包括：第一铝垫块，第二铝垫块，第三铝垫块，第一压接式IGBT以及第二压接式IGBT，三个铝垫块和两个压接式IGBT压接装配成所述IGBT并联单元；两个压接式IGBT间隔设置于三个铝垫块之间，设置于中间的第二铝垫块的两个连接面分别与第一压接式IGBT、第二压接式IGBT的集电极连接，所述第一压接式IGBT的发射极与第一铝垫块相贴连接，所述第二压接式IGBT的发射极与第三铝垫块相贴连接。压装结构紧凑，设计合理，轴心位置控制简单、易于操作、便于维护，能满足长期运行稳定性和可靠性要求、且成本低廉。本发明能推广大功率IGBT的应用，提高直流断路器的实用性，为直流断路器技术领域提供一种新的技术支持。
技术研发人员：苟锐锋;李超;赵朝伟;郑全旭;封磊;孙银山;杨晓平;任军辉;王江涛
受保护的技术使用者：西安西电电力系统有限公司;中国西电电气股份有限公司
技术研发日：2018.10.30
技术公布日：2019.03.22