基板处理装置的清洗装置和清洗方法与流程

公开的实施方式涉及一种基板处理装置的清洗装置和清洗方法。

背景技术：

以往，已知如下一种基板处理装置：在作为基板的半导体晶圆(以下称作晶圆。)等的表面形成干燥防止用的液膜，使形成有该液膜的晶圆与超临界状态的高压处理流体接触来进行干燥处理。例如，在专利文献1中公开了如下一种基板处理装置：通过将处理室的空间形成得狭小，能够灵活地利用高压处理流体对基板实施处理。

专利文献1：日本特开2013-12538号公报

技术实现要素：

发明要解决的问题

然而，在上述的基板处理装置中，由于将处理室的空间形成得狭小，因此难以通过操作者的手动操作进行清洁。

实施方式的一个方式是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种能够将狭小的处理室的内部清洁得干净的基板处理装置的清洗装置和清洗方法。

用于解决问题的方案

实施方式的一个方式所涉及的基板处理装置的清洗装置具备喷嘴和扫描机构。所述喷嘴朝向用于处理基板的处理室的内壁面喷出气体。所述扫描机构使所述喷嘴在所述处理室内沿着所述内壁面进行扫描。

发明的效果

根据实施方式的一个方式，能够将狭小的处理室的内部清洁得干净。

附图说明

图1是表示实施方式所涉及的基板处理系统的概要结构的示意图。

图2是表示实施方式所涉及的清洗处理单元的结构的截面图。

图3是表示实施方式所涉及的干燥处理单元的结构的外观立体图。

图4是表示实施方式所涉及的清洗装置的结构的外观立体图。

图5是图4的a-a线处的截面图。

图6是图4的b-b线处的截面图。

图7是图6的c-c线处的截面图。

图8是用于说明实施方式所涉及的拾取处理的图。

图9是用于说明实施方式所涉及的吸引处理的图。

图10是用于说明实施方式所涉及的排气处理和喷出气体扫描处理的图。

图11是用于说明实施方式的变形例所涉及的排气处理和喷出气体扫描处理的图。

图12是表示实施方式的变形例所涉及的清洗装置的结构的外观立体图。

图13是用于说明实施方式的变形例所涉及的喷嘴的连接部的截面图。

图14是表示清洗装置执行的清洗处理的过程的流程图。

附图标记说明

w：晶圆；1：基板处理系统；17：干燥处理单元；31：处理容器；31a：处理室；31b：搬入口；31c：内壁面；31c1、31c2：主面；33：盖体；42：开口部；50：清洗装置；60：喷嘴；61：喷嘴形成部；61b、61c、61d：喷出口；62：接合部；63：配管；70：扫描机构；80：排气机构；100：拾取治具；101：吸引治具；g：气体；f：碎片。

具体实施方式

下面，参照附图来详细地说明本申请所公开的基板处理装置的清洗装置和清洗方法的实施方式。此外，不通过以下所示的实施方式来限定本发明。另外，需要留意的是，附图是示意性的，有时各要素的尺寸的关系、各要素的比率等与现实不同。并且，有时附图间也包括相互的尺寸的关系、比率不同的部分。

<基板处理系统的概要>

首先，参照图1来说明实施方式所涉及的基板处理系统1的概要结构。图1是表示实施方式所涉及的基板处理系统1的概要结构的图。下面，为了使位置关系清楚，对彼此正交的x轴、y轴和z轴进行规定，将z轴正方向设为铅垂向上方向。

如图1所示，基板处理系统1具备搬入搬出站2和处理站3。搬入搬出站2与处理站3相邻地设置。

搬入搬出站2具备承载件载置部11和搬送部12。在承载件载置部11载置有多个承载件c，该多个承载件c用于将多张半导体晶圆w(以下称作晶圆w。)以水平状态收容。

搬送部12与承载件载置部11相邻地设置，在搬送部12的内部具备基板搬送装置13和交接部14。基板搬送装置13具备用于保持晶圆w的晶圆保持机构。另外，基板搬送装置13能够在水平方向和铅垂方向上移动并且以铅垂轴线为中心进行旋转，使用晶圆保持机构在承载件c与交接部14之间搬送晶圆w。

处理站3与搬送部12相邻地设置。处理站3具备搬送部15、多个清洗处理单元16以及多个干燥处理单元17。多个清洗处理单元16和多个干燥处理单元17以排列在搬送部15的两侧的方式设置。此外，图1所示的清洗处理单元16和干燥处理单元17的配置、个数是一例，并不限定为图示的那样。

搬送部15在内部具备基板搬送装置18。基板搬送装置18具备用于保持晶圆w的晶圆保持机构。另外，基板搬送装置18能够在水平方向和铅垂方向上移动并且以铅垂轴线为中心进行旋转，使用晶圆保持机构在交接部14、清洗处理单元16以及干燥处理单元17之间搬送晶圆w。

清洗处理单元16对由基板搬送装置18搬送的晶圆w进行规定的清洗处理。在后文中叙述清洗处理单元16的结构例。

干燥处理单元17对由清洗处理单元16进行了清洗处理的晶圆w进行规定的干燥处理。在后文中叙述干燥处理单元17的结构例。

另外，基板处理系统1具备控制装置4。控制装置4例如是计算机，具备控制部19和存储部20。

控制部19包括各种电路、具有cpu(centralprocessingunit：中央处理单元)、rom(readonlymemory：只读存储器)、ram(randomaccessmemory：随机存取存储器)、输入输出端口等的微计算机。所述微计算机的cpu读取rom中存储的程序并执行该程序，由此实现搬送部12、搬送部15、清洗处理单元16、干燥处理单元17等的控制。

此外，该程序可以是记录在可由计算机读取的记录介质中且从该记录介质中安装到控制装置4的存储部20中的程序。作为可由计算机读取的记录介质，例如有硬盘(hd)、软盘(fd)、光盘(cd)、光磁盘(mo)、存储卡等。

存储部20例如可由ram、闪存(flashmemory)等半导体存储器元件或者硬盘、光盘等存储装置来实现。

在如上述那样构成的基板处理系统1中，首先，搬入搬出站2的基板搬送装置13将晶圆w自载置于承载件载置部11的承载件c取出，并且将取出的晶圆w载置于交接部14。利用处理站3的基板搬送装置18将被载置于交接部14的晶圆w自交接部14取出并将其搬入到清洗处理单元16。

在利用清洗处理单元16对被搬入到清洗处理单元16的晶圆w实施清洗处理之后，利用基板搬送装置18将该晶圆w自清洗处理单元16搬出。利用基板搬送装置18将从清洗处理单元16搬出的晶圆w搬入到干燥处理单元17，利用干燥处理单元17对该晶圆w实施干燥处理。

利用基板搬送装置18将由干燥处理单元17进行了干燥处理的晶圆w从干燥处理单元17搬出，将该晶圆w载置于交接部14。然后，利用基板搬送装置13将被载置于交接部14的处理完成后的晶圆w送回到承载件载置部11的承载件c。

<清洗处理单元的概要>

接着，参照图2来说明清洗处理单元16的概要结构。图2是表示实施方式所涉及的清洗处理单元16的结构的截面图。清洗处理单元16例如构成为通过旋转清洗来对晶圆w逐张进行清洗的单片式的清洗处理单元。

如图2所示，清洗处理单元16利用配置在形成处理室的外腔室23内的晶圆保持机构25将晶圆w保持为大致水平，通过使该晶圆保持机构25绕铅垂轴线旋转来使晶圆w旋转。而且，清洗处理单元16使喷嘴臂26进入旋转的晶圆w的上方，按照预先确定的顺序从设置于该喷嘴臂26的前端部的药液喷嘴26a供给药液、冲洗液，由此对晶圆w的表面进行清洗处理。

另外，在清洗处理单元16中且晶圆保持机构25的内部也形成有药液供给路25a。而且，利用从该药液供给路25a供给的药液、冲洗液对晶圆w的背面进行清洗。

在上述的晶圆w的清洗处理中，例如首先利用作为碱性的药液的sc1液(氨和过氧化氢水的混合液)进行微粒、有机污染物的去除，接着利用作为冲洗液的脱离子水(deionizedwater：以下称作diw。)进行冲洗清洗。接着，利用作为酸性药液的稀释的氢氟酸水溶液(dilutedhydrofluoricacid：以下称作dhf。)进行自然氧化膜的去除，接着利用diw进行冲洗清洗。

上述各种药液被外腔室23、配置在外腔室23内的内杯24承接，并且从设置于外腔室23的底部的排液口23a、设置于内杯24的底部的排液口24a排出。并且，从设置于外腔室23的底部的排气口23b对外腔室23内的气氛进行排气。

在上述的晶圆w的冲洗处理之后，一边使晶圆保持机构25旋转一边向晶圆w的表面和背面供给液体状态的ipa(以下称作“ipa液体”。)，将残留于晶圆w的两面的diw置换。之后，使晶圆保持机构25的旋转缓慢地停止。

将像这样结束了清洗处理的晶圆w在其表面上盛满ipa液体的状态(在晶圆w表面形成有ipa液体的液膜的状态)下设置于晶圆保持机构25的未图示的交接机构且交接到基板搬送装置18，并从清洗处理单元16搬出。

在此，晶圆w的表面所盛满的ipa液体作为干燥防止用的液体发挥功能，该干燥防止用的液体防止在从清洗处理单元16向干燥处理单元17搬送晶圆w的中途、向干燥处理单元17中搬入晶圆w的搬入动作中由于晶圆w表面的液体蒸发(气化)而产生图案倒塌。

结束清洗处理单元16中的清洗处理，将表面盛满ipa液体的晶圆w搬送到干燥处理单元17。然后，在干燥处理单元17内进行如下的处理：使超临界状态的co2(以下也称作“超临界流体”。)与晶圆w表面的ipa液体接触，由此使该ipa液体溶解到超临界流体中来去除该ipa液体，从而使晶圆w干燥。

<干燥处理单元的概要>

接着，对干燥处理单元17的结构进行说明。图3是表示实施方式所涉及的干燥处理单元17的结构的外观立体图。

干燥处理单元17具有处理容器31、保持板32、盖体33以及未图示的移动机构。壳体状的处理容器31例如为在内部形成有能够收容直径300mm的晶圆w的处理室31a的容器，与处理室31a相邻地形成有用于向该处理室31a搬送晶圆w的搬入口31b。此外，处理室31a需要耐受超临界流体的高压，因此狭小(例如高度约为8mm)地形成。

保持板32在水平方向上保持作为处理对象的晶圆w。盖体33支承该保持板32，并且在将晶圆w搬入到处理室31a后封闭搬入口31b。

未图示的移动机构设置于盖体33，能够将保持有晶圆w的保持板32和盖体33从搬入口31b搬入到处理室31a内，并且从处理室31a内搬出到搬入口31b外。即，该移动机构能够使保持板32和盖体33在图3的y轴方向上往复移动。

另外，在处理容器31的壁部设置供给端口35、36和排出端口37。供给端口35、36和排出端口37分别与设置于干燥处理单元17的上游侧及下游侧的、用于使超临界流体流通的供给流路及排出流路连接。

供给端口35与壳体状的处理容器31中的同搬入口31b相反一侧的侧面连接。另外，供给端口36及排出端口37与处理容器31的底面连接。此外，在图3中图示出两个供给端口35、36和一个排出端口37，但关于供给端口35、36、排出端口37的数量并无特别限定。

另外，在处理室31a设置流体供给头38、39和流体排出头40。而且，在流体供给头38、39以沿该流体供给头38、39的长度方向排列的方式形成有多个供给口38a、39a，在流体排出头40以沿该流体排出头40的长度方向排列的方式形成有多个排出口40a。

流体供给头38与供给端口35连接，并且设置为与处理室31a中的同搬入口31b相反一侧的侧面相邻。另外，排列形成于流体供给头38的多个供给口38a朝向搬入口31b侧。

流体供给头39与供给端口36连接，设置于处理室31a的底面的中央部。另外，排列形成于流体供给头39的多个供给口39a朝向上方。

流体排出头40与排出端口37连接，设置于处理室31a的底面的搬入口31b侧。另外，排列形成于流体排出头40的多个排出口40a朝向上方。

流体供给头38、39向处理室31a供给超临界流体。另外，流体排出头40将处理室31a内的超临界流体导向处理容器31的外部并且排出。此外，经由流体排出头40排出到处理容器31的外部的超临界流体中包括从晶圆w的表面溶入到超临界流体中的ipa液体。

从如上述那样配置的流体供给头38、39的供给口38a、39a向处理室31a供给超临界流体，另外，经由流体排出头40的排出口40a从处理室31a排出超临界流体，由此在处理室31a中形成在晶圆w的周围向规定的朝向流动的超临界流体的层流。

该超临界流体的层流例如从流体供给头38沿着晶圆w的表面经过晶圆w的上方朝向搬入口31b的上部流动。并且，超临界流体的层流在搬入口31b的上方向下方侧改变朝向，通过搬入口31b的附近且朝向流体排出头40流动。

在该层流的例子中，在干燥处理单元17的内部，超临界流体的层流通过保持板32中的形成于晶圆w与盖体33之间的开孔32a。

此外，从减轻在向处理室31a供给超临界流体时和从处理室31a排出超临界流体时可能施加于晶圆w的负荷的观点出发，优选将流体供给头和流体排出头分别设置多个。

并且，在处理容器31形成在搬入口31b侧沿上下方向贯通的贯通孔41。而且，在该贯通孔41中插入贯通未图示的按压机构，该按压机构克服由于被供给到处理室31a的超临界流体带来的内压而朝向处理室31a推压盖体33，来将处理室31a密闭。

在该干燥处理单元17内，形成在晶圆w上的图案间的ipa液体与呈高压状态(例如16mpa)的超临界流体接触，由此逐渐溶解于超临界流体中，图案间逐渐被置换为超临界流体。而且，图案间最终只充满超临界流体。

然后，在从图案间去除ipa液体之后，将处理室31a的压力从高压状态减压到大气压，由此使co2从超临界状态变化为气体状态，使得图案间只被气体占据。通过这样，图案之间的ipa液体被去除，晶圆w的干燥处理完成。

在此，超临界流体的粘度比液体(例如ipa液体)的粘度小，另外，在液体中溶解的能力也高，除此以外，在超临界流体与处于平衡状态的液体、气体之间不存在界面。由此，在使用超临界流体进行的干燥处理中，能够不受表面张力的影响地使液体干燥。因而，根据实施方式，能够抑制干燥处理时的图案倒塌。

此外，在实施方式中，将ipa液体用作干燥防止用的液体，将超临界状态的co2用作处理流体，但也可以将ipa以外的液体用作干燥防止用的液体，将超临界状态的co2以外的流体用作处理流体。另外，也可以在处理容器31的表面设置绝热件、带式加热器等，以使被供给到处理室31a的超临界流体保持规定的温度。

<清洗装置的概要>

接着，参照图4来说明实施方式所涉及的清洗装置50的概要。图4是表示实施方式所涉及的清洗装置50的结构的外观立体图。

如图4所示，清洗装置50具备喷嘴60和扫描机构70。喷嘴60能够朝向处理室31a的内壁面31c(参照图10)喷出气体g(参照图5)。如图4所示，喷嘴60具有喷嘴形成部61、接合部62以及一对配管63。

喷嘴形成部61构成为能够向规定的方向喷出气体g。喷嘴形成部61为棒状，具有比处理容器31的搬入口31b的横向宽度稍短的长度。

接合部62为棒状，具有与喷嘴形成部61大致相等的长度。接合部62设置在喷嘴形成部61与一对配管63之间，覆盖在喷嘴形成部61形成的槽部61a(参照图5)，并且接合部62将喷嘴形成部61与一对配管63连接。

一对配管63的一端与接合部62连接，并且另一端经由盖体33等与未图示的气体供给机构连接。而且，经由接合部62从该气体供给机构向喷嘴形成部61供给气体g。此外，喷嘴形成部61、接合部62以及一对配管63均由相同材料(例如不锈钢)形成，通过焊接等一体化。

扫描机构70能够使喷嘴60在处理室31a中沿内壁面31c进行扫描。在实施方式中，扫描机构70由设置于盖体33的未图示的移动机构构成。即，在实施方式中，将本来安装于盖体33的保持板32卸下，作为代替将喷嘴60安装于盖体33，由此构成清洗装置50。

接着，参照图5～图7来说明喷嘴60的详细的结构。图5是图4的a-a线处的截面图，是喷嘴形成部61的中央区域的剖断图。

如图5所示，在喷嘴形成部61形成槽部61a和喷出口61b、61c。槽部61a沿喷嘴形成部61的长度方向形成于喷嘴形成部61中的与接合部62抵接的面。而且，通过利用接合部62覆盖该槽部61a，来形成使气体g从槽部61a的两端部向多个喷出口61b、61c流通的流路。

喷出口61b、61c形成为在外壁面与槽部61a的内壁面之间贯通。喷出口61b形成为朝向从扫描机构70分离的方向且朝向下方。喷出口61c形成为朝向从扫描机构70分离的方向且朝向上方。

另外，喷出口61b和喷出口61c分别形成为沿喷嘴形成部61的长度方向排列有多个，但未图示。

图6是图4的b-b线处的截面图，图7是图6的c-c线处的截面图。此外，图6和图7是喷嘴形成部61的端部区域的截面图。如图6所示，在喷嘴形成部61的端部区域也与中央区域同样地形成槽部61a和喷出口61b、61c。

另外，如图7所示，在喷嘴形成部61形成喷出口61d，所述喷出口61d形成为朝向从扫描机构70分离的方向且朝向横向。此外，在喷嘴形成部61的另一端侧也同样地形成该喷出口61d。

而且，如图6和图7所示，在接合部62形成沿y轴方向贯通的贯通孔62a，该贯通孔62a与槽部61a相连。并且，接合部62的贯通孔62a与配管63相连。

由此，在配管63中流通的气体g经由接合部62的贯通孔62a及喷嘴形成部61的槽部61a从喷出口61b、61c、61d向外部被喷出。

如至此所说明的那样，喷嘴60以分割为喷嘴形成部61、接合部62以及一对配管63的方式形成，由此能够以高精度形成具有复杂的内部形状的喷嘴60。

<清洗处理的详情>

接着，参照图8～图10来说明利用清洗装置50对处理容器31的处理室31a进行清洗的处理的详情。图8是用于说明实施方式所涉及的拾取处理的图。此外，图8～图10是从侧方(x轴方向)观察处理容器31的情况下的截面图，省略了流体供给头39和流体排出头40的图示。

如图8所示，在处理室31a内的清洗处理中，首先利用拾取治具100拾取在处理室31a内破损而散乱的晶圆w的碎片f中的比较大(例如10mm以上)的碎片f并去除该碎片f(步骤s1)。

在该拾取处理中，例如对落到处理室31a的内壁面31c中的下侧的主面31c1的碎片f在视觉上进行确认，利用拾取治具100来拾取确认到的碎片f。

作为拾取治具100，例如能够使用真空镊子。另一方面，拾取治具100不限于真空镊子，只要为能够从狭小空间的处理室31a中拾取碎片f的治具即可，可以使用任意的治具。

此外，在拾取处理之前，将设置在处理容器31中的与搬入口31b相反一侧的供给端口35、流体供给头38卸下并如图8所示那样在与搬入口31b相反一侧设置开口部42为宜。

由此，能够从处理室31a的一侧(例如开口部42)照射光，从另一方(例如搬入口31b)一边进行目视观察一边利用拾取治具100拾取碎片f。因而，根据实施方式，能够更容易地实施拾取处理。

图9是用于说明实施方式所涉及的吸引处理的图。如图9所示，继进行上述的拾取处理之后，利用吸引治具101在处理室31a内吸引破损而散乱的晶圆w的碎片f中的比较小的(例如比10mm小)碎片f并去除该碎片f(步骤s2)。

在该吸引工序中，例如利用吸引治具101对处理室31a的主面31c1整体进行扫描，吸引散乱在主面31c1的小的碎片f。

作为吸引治具101，例如能够使用吸尘器喷嘴。另一方面，吸引治具101不限于吸尘器喷嘴，只要为能够从狭小空间的处理室31a中吸引小的碎片f的治具即可，可以使用任意的治具。

图10是用于说明实施方式所涉及的排气处理和喷出气体扫描处理的图。如图10的(a)所示，在处理容器31的开口部42安装对处理室31a内进行排气的排气机构80。而且，通过该排气机构80对处理室31a内以规定的量(例如650l/min)进行排气(步骤s3)。

另外，在设置有扫描机构70的盖体33安装喷嘴60来形成清洗装置50。而且，沿搬入口31b进行配置喷嘴60，从喷嘴60朝向处理室31a的内壁面31c以规定的量(例如200l/min)喷出气体g(步骤s4)。

具体地说，从喷嘴形成部61的喷出口61b喷出的气体g被喷出到处理室31a的内壁面31c中的下侧的主面31c1，从喷嘴形成部61的喷出口61c喷出的气体g被喷出到处理室31a的内壁面31c中的上侧的主面31c2。此外，作为从喷嘴60喷出的气体g，例如能够使用空气、氮气等。

而且，如图10的(b)所示，使扫描机构70动作来使喷嘴60在处理室31a内沿内壁面31c进行扫描(步骤s5)。具体地说，使喷嘴60从处理容器31的搬入口31b朝向开口部42以规定的速度(例如3mm/s)进行扫描。

在此，在实施方式中，如上述那样，喷嘴形成部61具有比搬入口31b的横向宽度稍短的长度，并且形成为沿喷嘴形成部61的长度方向排列有多个喷出口61b、61c。因而，通过使喷嘴60从处理容器31的搬入口31b朝向开口部42进行扫描，能够从主面31c1、31c2的整体去除附着于主面31c1、31c2的细小的碎片f。

即，在实施方式中，通过进行使从喷嘴60喷出的气体g在处理室31a内进行扫描的喷出气体扫描工序，能够有效地从主面31c1、31c2去除附着于主面31c1、31c2的细小的碎片f。因而，根据实施方式，能够将狭小的处理室31a的内部清洁得干净。

此外，在实施方式中，在喷嘴形成部61形成用于使气体g朝向侧方喷出的喷出口61d，因此不仅能够去除附着于主面31c1、31c2的细小的碎片f，还能够去除附着于处理室31a的侧面31c3、31c4(参照图11)的细小的碎片f。

另外，在实施方式中，一边进行喷出气体扫描工序一边进行利用排气机构80对处理室31a内进行排气的排气工序为宜。由此，能够有效地将被气体g从主面31c1、31c2吹掉的细小的碎片f排出到处理室31a的外部。因而，根据实施方式，能够将狭小的处理室31a的内部清洁得更干净。

另外，在实施方式中，使喷嘴60沿处理室31a内的内壁面31c中的面积最大的主面31c1、31c2进行扫描为宜。由此，能够去除附着于面积最大的主面31c1、31c2的细小的碎片f，因此能够将狭小的处理室31a的内部清洁得更干净。

另外，在实施方式中，如图10所示，在喷出气体扫描工序中，使喷嘴60朝向排气机构80进行扫描为宜。由此，能够在处理室31a内形成从喷嘴60朝向排气机构80流动的气流，因此能够更有效地将细小的碎片f排出到处理室31a的外部。因而，根据实施方式，能够将狭小的处理室31a的内部清洁得更干净。

另外，在实施方式中，如图10所示，使从喷嘴60喷出的气体g的朝向为朝向内壁面31c的方向且喷嘴60的扫描方向(即朝向排气机构80的方向)为宜。由此，能够在处理室31a内更强地形成朝向排气机构80流动的气流。因而，根据实施方式，能够将狭小的处理室31a的内部清洁得更干净。

另外，在实施方式中，将喷出气体扫描工序重复进行多次(例如约15次)为宜。由此，能够可靠地从主面31c1、31c2的整体去除附着于主面31c1、31c2的细小的碎片f。因而，根据实施方式，能够将狭小的处理室31a的内部清洁得更干净。

此外，在重复进行喷出气体扫描工序的情况下，在使喷嘴60从处理室31a的开口部42侧返回搬入口31b侧时，既可以使喷嘴60一边喷出气体g一边返回，也可以使喷嘴60在停止喷出的情况下返回。另外，以比喷出气体扫描工序快的速度(例如50mm/s)进行使喷嘴60返回搬入口31b侧的操作为宜。

此外，在喷出气体扫描工序之前，在供给端口36和排出端口37安装未图示的气体喷出机构，通过使该气体喷出机构动作来从供给端口36和排出端口37向处理室31a内喷出规定的量(例如80l/min)的气体g(步骤s4a)为宜。

通过该处理，能够使在处理室31a内破损而掉落到供给端口36、排出端口37的碎片f返回处理室31a内。因而，根据实施方式，能够将包括供给端口36、排出端口37在内的处理室31a内清洁得更干净。

此外，在实施方式中示出如下例子：将设置于干燥处理单元17的盖体33的移动机构用作扫描机构70，利用该移动机构使喷嘴60从搬入口31b起沿晶圆w的搬入方向进行扫描。然而，不一定需要将设置于盖体33的移动机构用作为扫描机构70。

然而，通过如实施方式那样将设置于盖体33的移动机构用作扫描机构70，利用该移动机构使喷嘴60从搬入口31b起沿晶圆w的搬入方向进行扫描，使得不另外准备专用的扫描机构70就能够构成清洗装置50。因而，根据实施方式，能够以低成本构成清洗装置50。

<变形例>

接下来，参照图11～图13对上述的实施方式的变形例进行说明。图11是用于说明实施方式的变形例所涉及的排气处理和喷出气体扫描处理的图，是从上方观察处理容器31得到的截面图。

在上述的实施方式中，示出使喷嘴60从搬入口31b起沿晶圆w的搬入方向进行扫描的情况，但喷嘴60的扫描方向不限于该方向，例如也可以使喷嘴60沿与晶圆w的搬入方向垂直的方向进行扫描。

例如，如图11的(a)所示，沿处理室31a的内壁面31c中的一侧(在图中为x轴负方向侧)的侧面31c3配置对处理室31a内进行排气的排气机构80的排气部81。而且，从该排气部81对处理室31a内进行排气(步骤s11)。

而且，沿处理室31a的内壁面31c中的另一侧(在图中为x轴正方向侧)的侧面31c4配置变形例所涉及的清洗装置50的喷嘴60。

在此，参照图12和图13来说明变形例所涉及的清洗装置50的结构。图12是表示实施方式的变形例所涉及的清洗装置50的结构的外观立体图，图13是用于说明实施方式的变形例所涉及的喷嘴60的连接部64的截面图。

如图12所示，清洗装置50具备喷嘴60和扫描机构70。喷嘴60具有喷嘴形成部61、接合部62以及配管63，喷嘴形成部61、接合部62以及配管63通过连接部64连接。另外，扫描机构70能够使喷嘴60在与喷嘴60的长度方向垂直的方向上进行扫描。

喷嘴形成部61构成为能够向规定的方向喷出气体g。喷嘴形成部61为棒状，具有与处理室31a的深度大致相等的长度。如图13所示，在喷嘴形成部61，与实施方式同样地沿喷嘴形成部61的长度方向形成槽部61a，并且沿喷嘴形成部61的长度方向排列形成多个喷出口61b、61c(喷出口61c未图示)。

此外，在变形例的喷嘴60中，喷出口61b形成为朝向与从扫描机构70分离的方向垂直的方向且朝向下方，喷出口61c形成为朝向与从扫描机构70分离的方向垂直的方向且朝向上方。而且，从这些喷出口61b、61c喷出气体g。

如图12所示，接合部62呈大致l字状，具有比喷嘴形成部61稍长的长度。接合部62与喷嘴形成部61相邻地设置，覆盖喷嘴形成部61的槽部61a，并且将喷嘴形成部61与配管63连接。配管63与接合部62的一端连接，经由接合部62从未图示的气体供给机构向喷嘴形成部61供给气体g。

而且，如图13所示，在接合部62形成有沿y轴方向部分贯通的贯通孔62a，该贯通孔62a与形成于喷嘴形成部61的槽部61a相连。并且，接合部62的贯通孔62a与配管63相连。

由此，在配管63中流通的气体g经由接合部62的贯通孔62a及喷嘴形成部61的槽部61a从喷出口61b、61c被喷出到外部。

而且，在变形例的喷嘴60中，从喷出口61b朝向与从扫描机构70分离的方向垂直的方向且下方喷出气体g，从喷出口61c朝向与从扫描机构70分离的方向垂直的方向且上方喷出气体g。

返回图11的说明。如图11的(a)所示，从沿侧面31c4配置的喷嘴60向朝向排气机构80的排气部81的方向且朝向主面31c1、31c2(参照图10的(a))的方向喷出气体g(步骤s12)。

然后，如图11的(b)所示，使扫描机构70动作来使喷嘴60在处理室31a内沿内壁面31c进行扫描(步骤s13)。具体地说，使喷嘴60沿主面31c1、31c2从处理容器31中的一个侧面31c4朝向另一个侧面31c3进行扫描。

由此，在变形例中，能够与实施方式同样地从主面31c1、31c2的整体去除附着于主面31c1、31c2的细小的碎片f。因而，根据变形例，能够有效地从主面31c1、31c2去除附着于主面31c1、31c2的细小的碎片f，因此能够将狭小的处理室31a的内部清洁得干净。

此外，与实施方式同样地，在变形例中也是在喷出气体扫描处理之前从供给端口36和排出端口37向处理室31a内喷出气体g为宜。由此，能够使在处理室31a内破损而掉落到供给端口36、排出端口37的碎片f返回处理室31a内，因此能够将包括供给端口36、排出端口37在内的处理室31a内清洁得更干净。

<清洗处理的详情>

接下来，参照图14来说明实施方式所涉及的基板处理装置的清洗处理的详情。图14是表示清洗装置50执行的清洗处理的过程的流程图。

首先，将设置在处理容器31中的与搬入口31b相反一侧的供给端口35、流体供给头38卸下，在与搬入口31b相反一侧设置开口部42。然后，进行利用拾取治具100拾取在处理室31a内破损而散乱的晶圆w的碎片f中的比较大的碎片f并去除该碎片f的拾取处理(步骤s101)。

在该拾取处理中，例如一边从处理室31a的开口部42照射光，一边从搬入口31b在视觉上确认落到下侧的主面31c1的碎片f。而且，利用拾取治具100拾取确认到的碎片f。

接着，进行利用吸引治具101吸引在处理室31a内破损而散乱的晶圆w的碎片f中的比较小的碎片f并去除该碎片f的吸引处理(步骤s102)。在该吸引处理中，例如利用吸引治具101对处理室31a的主面31c1的整体进行扫描，来吸引散乱在主面31c1的小的碎片f。

接着，在处理容器31的开口部42安装排气机构80，使该排气机构80动作，由此进行对处理室31a内以规定的量进行排气的排气处理(步骤s103)。

接着，沿搬入口31b配置喷嘴60，从喷嘴60朝向处理室31a的内壁面31c喷出气体g。然后，使扫描机构70动作来进行使喷出气体g的喷嘴60沿内壁面31c朝向开口部42进行扫描的喷出气体扫描处理(步骤s104)。

而且，将该喷出气体扫描处理重复进行规定的次数，由此针对干燥处理单元17的一系列的清洗处理完成。

以上对本发明的实施方式进行了说明，但本发明不限定为上述实施方式，只要不脱离其主旨就能够进行各种变更。例如，在实施方式中，以去除在处理室31a内碎裂的晶圆w为目的来进行清洗处理，但也可以为了其它目的来进行处理室31a内的清洗处理。

例如，在使用co2的超临界流体进行的干燥处理中，在原料co2中保持为流体的状态的水分、油分有时由于一些理由在干燥处理单元17内雾化，以微粒的形式在处理室31a内浮动、附着。因此，通过进行实施方式所涉及的清洗处理，能够去除在处理室31a内浮动、附着的微粒，能够清洁得干净。

此外，例如在各个干燥处理单元17中利用微粒计数器随时测量进行了干燥处理的晶圆w中的微粒的数量，在测量出的微粒的数量为规定的数量以上时实施该去除该微粒的清洗处理即可。

另外，例如可以在各个干燥处理单元17中对晶圆w进行干燥处理的累计时间为规定的时间以上时进行该清洗处理，也可以在进行了干燥处理的晶圆w的累计张数为规定的张数以上时进行该清洗处理。

另外，在实施方式中，示出针对利用超临界流体进行干燥处理的干燥处理单元17的清洗处理，但实施方式所涉及的清洗处理不限于干燥处理单元17，只要是具有狭小的处理室的基板处理装置即可，可以为任意的基板处理装置。

并且，在实施方式中示出干燥处理单元17水平放置且搬入口31b形成于处理容器31的侧面的例子，但也可以将干燥处理单元17竖直放置且将搬入口31b形成于处理容器31的上表面或下表面。

在该情况下也是，喷嘴60一边朝向处理容器31的内壁面31c喷出气体g一边沿内壁面31c进行扫描，由此能够将处理室31a的内部清洁得干净。

实施方式所涉及的基板处理装置的清洗装置50具备喷嘴60和扫描机构70。喷嘴60朝向用于处理基板(晶圆w)的处理室31a的内壁面31c喷出气体g。扫描机构70使喷嘴60在处理室31a内沿内壁面31c进行扫描。由此，能够将狭小的处理室31a的内部清洁得干净。

另外，实施方式所涉及的基板处理装置的清洗装置50还具备将从喷嘴60喷出到内壁面31c的气体g向处理室31a的外部排气的排气机构80。由此，能够有效地将被气体g从主面31c1、31c2吹掉的细小的碎片f排出到处理室31a的外部，因此能够将狭小的处理室31a的内部清洁得更干净。

另外，在实施方式所涉及的基板处理装置的清洗装置50中，扫描机构70使喷嘴60朝向排气机构80进行扫描。由此，能够在处理室31a内形成从喷嘴60朝向排气机构80流动的气流，因此能够将狭小的处理室31a的内部清洁得更干净。

另外，在实施方式所涉及的基板处理装置的清洗装置50中，扫描机构70使喷嘴60从用于向处理室31a搬入基板(晶圆w)的搬入口31b起沿着向处理室31a内搬入基板(晶圆w)的朝向进行扫描。由此，不另外准备专用的扫描机构70就能够构成清洗装置50，因此能够以低成本构成清洗装置50。

另外，在实施方式所涉及的基板处理装置的清洗装置50中，形成于喷嘴60的气体g的喷出口61b、61c形成为使气体g向朝向内壁面31c的方向且喷嘴60的扫描方向喷出。由此，能够在处理室31a内更强地形成朝向排气机构80流动的气流，因此能够将狭小的处理室31a的内部清洁得更干净。

另外，在实施方式所涉及的基板处理装置的清洗装置50中，扫描机构70使喷嘴60沿内壁面31c的主面31c1、31c2进行扫描。由此，能够去除附着于面积最大的主面31c1、31c2的细小的碎片f，因此能够将狭小的处理室31a的内部清洁得更干净。

另外，在实施方式所涉及的基板处理装置的清洗装置50中，在处理室31a中实施使形成有液膜的基板(晶圆w)与超临界状态的处理流体接触来使基板(晶圆w)干燥的处理。由此，能够抑制在进行干燥处理时晶圆w的图案倒塌。

另外，实施方式所涉及的基板处理装置的清洗方法包括喷出气体扫描工序，在该喷出气体扫描工序中，使朝向用于处理基板(晶圆w)的处理室31a的内壁面31c喷出气体g的喷嘴60在处理室31a内沿内壁面31c进行扫描(步骤s104)。由此，能够将狭小的处理室31a的内部清洁得干净。

进一步的效果、变形例能够由本领域人员容易地导出。因此，本发明的更广泛的方式并不限定为如以上那样表述且记述的特定的详情和代表性性的实施方式。因而，只要不脱离由所附的权利要求书及其等同物定义的总的发明构思或范围，就能够进行各种变更。