技术特征：
技术总结
本公开描述示例性的在反应器中的蚀刻工艺，即描述了一种以反应器进行蚀刻的方法以及一种蚀刻系统，此反应器包括喷淋头及静电吸座，此静电吸座配置以接收射频功率。喷淋头包括顶板及底板，顶板及底板具有接收进气的一或多个气体通道。此方法可包括(1)旋转喷淋头的顶板或底板至第一位置，以容许气体流动通过喷淋头；(2)实施表面改质周期，包括：施加负直流偏压至喷淋头、施加射频功率信号至晶圆吸座；及(3)实施蚀刻周期，包括：从静电吸座去除负直流偏压，且降低施加至晶圆吸座的射频功率信号。
技术研发人员：林育奇;林进兴;张宏睿;邱意为;柯宇伦
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2018.11.15
技术公布日：2019.05.21