技术特征：
技术总结
本发明属于薄膜太阳电池制备技术领域，具体涉及一种新型的P+/P/N硒化锑薄膜电池的制备方法。这种新型薄膜电池是通过在Sb2Se3表面沉积一层超薄的Al2O3薄膜，使Al2O3层在Sb2Se3层内部扩散，提高Sb2Se3的载流子浓度，从而提高电池效率。具体的制备方法为在FTO玻璃上先采用水浴法制备一层厚度大约为40nm的CdS薄膜，再将得到的CdS用氧等离子处理15min，采用RTE的方法在CdS表面沉积一层Sb2Se3薄膜，然后采用ALD技术在Sb2Se3表面沉积原子层的Al2O3薄膜，最后镀一层厚度为80nm的Au，即得P+/P/N硒化锑薄膜电池。
技术研发人员：丁建宁;陈志文;袁宁一;郭华飞
受保护的技术使用者：常州大学;江苏大学
技术研发日：2018.11.16
技术公布日：2019.02.05