技术特征：
技术总结
本发明公开了一种单光子雪崩二极管及制作方法、探测器阵列、图像传感器，其中，背照式单光子雪崩二极管设置有陷光结构和侧壁反射墙，入射光经过陷光结构反射、散射、折射后被分散到各个角度，加上侧壁反射墙的反射作用，可以延长光在背照式单光子雪崩二极管中的有效光程，从而提高了光在背照式单光子雪崩二极管中的吸收效率；一种背照式单光子雪崩二极管的制作方法，实现了背照式单光子雪崩二极管的制作。而包含背照式单光子雪崩二极管的光电探测器阵列和图像传感器，由于具有背照式单光子雪崩二极管，有效提高了光电探测器阵列和图像传感器的光吸收效率。
技术研发人员：臧凯;李爽;马志洁
受保护的技术使用者：深圳市灵明光子科技有限公司
技术研发日：2018.12.13
技术公布日：2019.04.19