显示基板的制备方法、显示面板及显示装置与流程

本发明涉及显示器制作技术领域，尤其是指一种显示基板的制备方法、显示面板及显示装置。

背景技术：

目前在显示面板的制备过程中，通常在一个透明基体上制备多个显示面板，在制成多个显示面板的基板的上表面和下表面分别贴附保护膜，之后通过切割工艺将整个制备有多个显示面板的透明基体进行切割，制成多个独立的显示面板。

对于柔性有机发光二极管(organiclight-emittingdiode，oled)显示器件的制备来说，由于制作oled和薄膜晶体管阵列的透明基体为柔性基板，通常为塑料材质，而且保护膜通常也为塑料材质，在切割形成多个独立的显示面板时，传统玻璃切割工艺无法实现，通常是通过激光切割工艺执行。

激光切割是通过特定波长的激光源对切割膜层进行烧蚀，以达到切割的目的。柔性oled显示器件制作过程中的切割工艺包括全切割工艺和半切割工艺，全切割为将切割部位的膜层全部切割掉，达到分离的目的；半切割为将切割部位的膜层或者膜材切割掉一部分，去掉被切割的膜材，以便后续测试。半切割工艺需要调整激光能量以获得合适的切割深度，并且不影响相邻的扇出fanout区域和引线金属。然而实际工艺操作中，半切割的接触膜层非常薄，导致半切割工艺窗口非常小，容易损坏下面金属电极，因此增加了激光调试的难度和成本，产品的良率也会受到影响。

技术实现要素：

本发明技术方案的目的是提供一种显示基板的制备方法、显示面板及显示装置，用于解决现有技术显示器件制作过程中采用半切割工艺，切割显示面板上所覆盖膜材的一部分，半切割的接触膜层非常薄，容易损坏下面金属电极，造成激光调试的难度和成本较高，产品的良率也会受到影响的问题。

本发明实施例提供一种显示基板的制备方法，其中，包括：

提供透明基体；

在所述透明基体上制作至少一个显示结构和覆盖所述显示结构的保护膜层；其中所述显示结构的制作包括：在所述透明基体上形成像素单元阵列和引线金属层，以及在所述引线金属层远离所述透明基体的一侧形成激光阻挡层，所述激光阻挡层在所述透明基体上的正投影部分覆盖所述引线金属层。

可选地，所述的显示基板的制备方法，其中，所述方法还包括：

在所述保护膜层上的目标位置对所述保护膜层进行激光切割，使在所述目标位置处，所述保护膜层形成切口；其中所述目标位置在所述激光阻挡层所在平面上的正投影，位于所述激光阻挡层上；

通过所述切口使部分所述保护膜层与所述显示结构相分离，所述引线金属层的至少部分区域露出。

可选地，所述的显示基板的制备方法，其中，通过所述切口使部分所述保护膜层与所述显示结构相分离之后，所述方法还包括：

使全部的所述保护膜层与所述显示结构相分离。

可选地，所述的显示基板的制备方法，其中，在所述透明基体上制作多个显示结构，所述方法还包括：

沿每一所述显示结构的边缘进行激光切割，获得多个所述显示基板。

可选地，所述的显示基板的制备方法，其中，所述在所述保护膜层上的目标位置对所述保护膜层进行激光切割，包括：

输出激光束至所述保护膜层的上表面；

使所述激光束在所述保护膜层的上表面沿目标轨迹移动，所述目标位置为所述激光束在所述保护膜层上沿目标轨迹移动所经过的位置。

可选地，所述的显示基板的制备方法，其中，沿所述引线金属层的第一边缘的方向，所述激光阻挡层的尺寸小于或者等于所述第一边缘的尺寸；沿所述引线金属层的第二边缘的方向，所述激光阻挡层的尺寸为50～200um。

可选地，所述的显示基板的制备方法，其中，所述显示结构的制作还包括：在所述像素单元阵列远离所述透明基体的一侧形成封装层。

可选地，所述的显示基板的制备方法，其中，所述封装层的制备材料与所述激光阻挡层的制备材料相同。

可选地，所述的显示基板的制备方法，其中，在所述引线金属层远离所述透明基体的一侧形成激光阻挡层，包括采用能够吸收激光能量的激光吸收材料制备所述激光阻挡层，或者采用能够反射激光光束的激光反射材料制备所述激光阻挡层。

可选地，所述的显示基板的制备方法，其中，在所述引线金属层远离所述透明基体的一侧形成激光阻挡层的步骤中，采用如下材料中的至少一个制备所述激光阻挡层：

非晶硅a-si、氮化硅sinx、氧化硅siox、氮氧化硅sioxny、三氧化铝al2o3、氧化镁mgo、二氧化钛tio2和氧化锌zno。

可选地，所述的显示基板的制备方法，其中，所述在所述透明基体上制作至少一个显示结构的步骤中，通过同一次构图工艺形成所述封装层与所述激光阻挡层。

本发明实施例还提供一种显示面板，包括透明基体和位于所述透明基体上的显示结构，所述显示结构包括像素单元阵列和引线金属层，其中，在所述引线金属层上方设置有激光阻挡层，所述激光阻挡层在所述透明基体上的正投影部分覆盖所述引线金属层。

可选地，所述的显示面板，其中，沿所述引线金属层的第一边缘的方向，所述激光阻挡层的尺寸小于或者等于所述第一边缘的尺寸；沿所述引线金属层的第二边缘的方向，所述激光阻挡层的尺寸为50～200um。

可选地，所述的显示面板，其中，所述显示结构还包括位于所述像素单元上方的封装层，其中所述封装层的制备材料与所述激光阻挡层的制备材料相同。

可选地，所述的显示面板，其中，所述激光阻挡层采用能够吸收激光能量的激光吸收材料制备形成，或者采用能够反射激光光束的激光反射材料制备形成。

可选地，所述的显示面板，其中，所述激光阻挡层的制备材料包括如下材料中的至少一个：

非晶硅a-si、氮化硅sinx、氧化硅siox、氮氧化硅sioxny、三氧化铝al2o3、氧化镁mgo、二氧化钛tio2和氧化锌zno。

可选地，所述的显示面板，其中，所述透明基体为柔性材料制成。

本发明实施例还提供一种显示装置，其中，包括如上任一项所述的显示面板。本发明具体实施例上述技术方案中的至少一个具有以下有益效果：

本发明实施例所述显示基板的制备方法，通过在引线金属层与保护膜层之间制作激光阻挡层，激光阻挡层起到对引线金属层进行表面保护的效果，以使得在对引线金属层上方的保护膜层进行激光半切割时，防止激光切割损坏下面的金属电极，降低激光工艺调试的难度和成本，节省工艺时间。

附图说明

图1为本发明实施例所述显示基板的制备方法中，激光半切割的原理示意图；

图2为本发明实施例所述显示基板的平面结构示意图；

图3为本发明实施例所述显示基板的制备方法的流程示意图；

图4为采用本发明实施例所述制备方法制作显示面板过程中的剖面示意图；

图5为采用本发明实施例所述制备方法的部分流程示意图；

图6为采用本发明实施例所述制备方法，用于制作激光阻挡层的掩膜板的其中一实施结构示意图；

图7为采用本发明实施例所述制备方法，用于制作激光阻挡层的掩膜板的另一实施结构示意图；

图8为采用本发明实施例所述制备方法进行半切割时的平面结构示意图。

具体实施方式

为使本发明要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。

本发明实施例所述显示基板的制备方法，如图1所示，在显示面板的制备过程中，当在透明基体10上制作显示结构20之后，为了保护所制作的显示结构20，需要在显示结构20上制作封装层40，并贴附保护膜，包括在封装层40上覆盖贴附保护膜层30和在透明基体10远离显示结构20的表面贴附下保护层(图1中未显示)。具体地，结合图1和图2所示，在显示面板的制备过程中，所制备的显示结构20包括像素单元阵列21和引线金属层22，其中像素单元阵列21的布置区域对应为所制作显示面板的显示区，引线金属层22对应布置在显示区外围的扇出区1，使像素单元阵列21与扇出区1边缘的绑定pad3电连接。其中，在显示结构20上贴附保护膜层30之后，为方便后续测试，需要通过激光半切割工艺断开保护膜层30，去掉被切割的部分膜材。如图1所示，且需要保证切断保护膜层30的过程中不能破坏保护膜层20下方的引线金属层22，以避免损坏金属电极。

因此，上述显示面板的制备过程中的激光半切割工艺，需要调整激光能量以获得合适的切割深度，并且不影响相邻的扇出区域和引线金属层，为了避免半切割过程中由于半切割的接触膜层非常薄，造成激光调试的难度和成本较高，且容易损坏下面金属电极的问题，本发明实施例提供一种显示基板的制备方法。

如图3所示，并结合图4，本发明实施例所述显示基板的制备方法，包括：

s300，提供透明基体；

s310，在一透明基体10上制作至少一个显示结构20和覆盖显示结构20的保护膜层30；其中显示结构20的制作包括：在透明基体10上形成像素单元阵列21和引线金属层22，以及在引线金属层22远离透明基体10的一侧形成激光阻挡层50，其中激光阻挡层50在透明基体10上的正投影部分覆盖引线金属层22。也即，具体地，在引线金属层22与保护膜层30之间，引线金属层22上方的部分区域制作激光阻挡层50。

本发明实施例所述显示基板的制备方法，通过在引线金属层22与保护膜层30之间制作激光阻挡层50，激光阻挡层50起到对引线金属层22进行表面保护的效果，以使得在对引线金属层22上方的保护膜层30进行激光半切割时，防止激光切割损坏下面的金属电极，降低激光工艺调试的难度和成本，节省工艺时间。

本发明实施例中，透明基体10上制作的显示结构20可以为一个，也可以为多个，其中每一显示结构20用于形成一显示基板，多个显示结构20经过切割分离后形成多个显示基板。可选地，透明基体10上所制作的显示结构20为具有图像显示功能的结构单元，包括像素单元阵列和与像素单元阵列连接的引线金属层。可选地，如图4所示，本发明实施例中，像素单元阵列21包括薄膜晶体管阵列结构和发光层，用于形成oled显示基板的显示区。

进一步地，本发明实施例所述显示基板的制备方法，如图5，并结合图4和图8所示，还包括：s320，在保护膜层30上的目标位置(a处)对保护膜层30进行激光切割，使在目标位置处，保护膜层30形成切口52；其中目标位置在激光阻挡层50所在平面上的正投影，位于激光阻挡层50上；

s330，通过切口52使部分保护膜层30与显示结构20相分离，引线金属层22的至少部分区域露出。

上述的过程中，显示基板的制备方法在对引线金属层22上方的保护膜层30进行激光半切割时，激光阻挡层50起到对引线金属层22进行表面保护的效果，以防止激光切割损坏下面的金属电极，降低激光工艺调试的难度和成本，节省工艺时间。

具体地，在步骤s310，在引线金属层22与保护膜层30之间，引线金属层22上方的部分区域制作激光阻挡层50的过程中，采用能够吸收激光能量的激光吸收材料制备激光阻挡层50，或者采用能够反射激光束的激光反射材料制备激光阻挡层50。

参阅图4所示，当设置于引线金属层22与保护膜层30之间的激光阻挡层50采用激光吸收材料制备时，激光束4从激光阻挡层50上方的保护膜层30入射时，激光吸收材料能够吸收入射至激光阻挡层50的激光能量，使激光能量弱化，避免穿过激光阻挡层50入射至引线金属层22，造成引线金属层22产生损伤，同时达到了半切割的效果；当设置于引线金属层22与保护膜层30之间的激光阻挡层50采用激光反射材料制备时，激光束4从激光阻挡层50上方的保护膜层30入射到达激光阻挡层50时，激光反射材料能够反射激光光束，避免穿过激光阻挡层50入射至引线金属层22，造成引线金属层22产生损伤；同时被反射的激光光束被反射回保护膜层30，能够进一步辅助保护膜层30的切断，达到进一步半切割的效果。

可选地，本发明实施例中，所述激光吸收材料包括如下材料中的至少一个：

非晶硅a-si，氮化硅sinx，氧化硅siox和氮氧化硅sioxny；

所述激光反射材料包括如下材料中的至少一个：

三氧化铝al2o3，氧化镁mgo，二氧化钛tio2和氧化锌zno。

可选地，本发明实施例中，在显示面板的制备过程中，在引线金属层22制备完成后，利用图6所示的掩膜板5通过以下其中之一的方式可以制成激光阻挡层50：

等离子体增强化学的气相沉积法pecvd、原子层沉积ald和物理气相沉积pvd。

其中，结合图4和图6所示，掩膜板5上的开孔51为用于沉积形成激光阻挡层50，在材料沉积过程中，该开孔51沿相对应引线金属层22的其中一边缘(第一边缘)设置，而该开孔51的尺寸小于或者等于第一边缘的尺寸；沿引线金属层22的第二边缘的方向，开孔51的尺寸d为50～200um；相对应的，通过开孔51所形成的激光阻挡层50，沿引线金属层22的第一边缘的方向，激光阻挡层50的尺寸小于或者等于所述第一边缘的尺寸；沿引线金属层22的第二边缘的方向，激光阻挡层50的尺寸为50～200um。可选地，如图4所示，本发明实施例中，其中第二边缘的延伸方向平行于从像素单元阵列21到引线金属层22的方向，所述第一边缘垂直于第二边缘。

可选地，激光阻挡层50制成的另一方式中，本发明实施例中，参阅图4和图7所示，激光阻挡层50与封装层40通过一个掩膜板6，在同一构图工艺中同时制成。

可选地，封装层40与激光阻挡层50通过以下其中之一的方式制成：

等离子体增强化学的气相沉积法pecvd、原子层沉积ald和物理气相沉积pvd。

具体地，掩膜板6上的开孔61为用于沉积形成激光阻挡层50，掩膜板6上的开孔62为用于沉积形成封装层40。其中，开孔61的尺寸与图6实施方式中开孔51的尺寸相同，在此不再详细说明。

本发明实施例中，可选地，透明基体10采用柔性材料制成，所述显示面板为柔性oled显示面板，透明基体10上所制作的像素单元阵列21包括薄膜晶体管阵列结构和发光层。

具体地，结合图3至图8，本发明实施例所述显示基板的制备方法，具体包括：

1)在透明的刚性载板上面涂布聚酰亚胺材料，固化成膜后形成柔性的透明基体10；

2)在透明基体10上制备无机层70；

3)在无机层70上制备薄膜晶体管阵列结构、蒸镀发光层和引线金属层22，也即制备形成显示结构20；

4)在薄膜晶体管阵列结构以及蒸镀发光层的上方制备封装层40，其中在制备封装层40的同时，通过图7所示的掩膜板6在同一构图工艺中同时在引线金属层22的部分区域上制成激光阻挡层50；

可选地，封装层40与激光阻挡层50也可以分两次工艺分别单独制作，例如在单独制备封装层40之后，可以再通过图5所示的掩膜板5在引线金属层22的部分区域上制成激光阻挡层50；

可以理解的是，为了简化制备工艺，在制备显示面板时，通常多个显示面板在一个透明基体10上制作完成，之后再进行切割形成多个独立的显示面板。

5)在封装层40上贴附保护膜，以防止显示结构20上的封装受到外界的损伤；具体地，该保护膜包括贴附在薄膜晶体管阵列结构以及蒸镀发光层上方的保护膜层30，还包括贴附在透明基体10远离显示结构20的表面的下保护层80；

6)在保护膜层30上的目标位置(a处)对保护膜层30进行激光切割，使在目标位置处，保护膜层30形成切口52；其中目标位置在激光阻挡层50所在平面上的正投影，位于激光阻挡层50上；

其中，在保护膜层30上的目标位置对保护膜层30进行激光切割，包括：

输出激光束4至保护膜层30的上表面；

使激光束4在保护膜层30的上表面沿目标轨迹移动，所述目标位置为激光束4在所述保护膜层30上沿目标轨迹移动所经过的位置。

7)从切口处使预设区域的保护膜层30与显示结构相分离，引线金属层22的至少部分区域露出；

本发明实施例中，激光束4在保护膜层30的上表面所移动的轨迹可以为一封闭图形，用于使从切口处分离保护膜层30时，使部分的引线金属层22露出，以用于测试。

8)使预设区域之外的保护膜层30与显示结构相分离；

沿每一显示结构的边缘进行激光切割，获得多个显示基板。

基于上述的步骤，在分离保护膜层30之后，对显示面板与显示面板之间进行切割，分离出多个独立的显示基板。

本发明实施例中，封装层40与激光阻挡层50通过pecvd、ald和pvd的其中一种方式制成。本领域技术人员应该能够了解采用上述工艺制成封装层40与激光阻挡层50的具体过程，在此不详细说明。

另外，可以理解的是，本领域技术人员应该能够了解上述薄膜晶体管阵列结构、蒸镀发光层和引线金属层22的具体制备方式和方法，该制备过程并非为本发明的研究重点，在此不详细说明。

采用本发明实施例所述显示基板的制备方法，在引线金属层22与保护膜层30之间制作的激光阻挡层50，起到对引线金属层22进行表面保护的效果，以防止激光切割损坏下面的金属电极，降低激光工艺调试的难度和成本，节省工艺时间。

本发明实施例还提供一种显示面板，如图4所示，包括透明基体10和位于透明基体10上的像素单元阵列和引线金属层22，其中，在引线金属层22上方设置有激光阻挡层50，该激光阻挡层50在透明基体10上的正投影部分覆盖引线金属层22。

可选地，所述激光阻挡层50采用能够吸收激光能量的激光吸收材料制备形成，或者采用能够反射激光光束的激光反射材料制备形成。

本发明实施例中，可选地，所述激光吸收材料包括如下材料中的至少一个：

非晶硅a-si，氮化硅sinx，氧化硅siox和氮氧化硅sioxny；

所述激光反射材料包括如下材料中的至少一个：

三氧化铝al2o3，氧化镁mgo，二氧化钛tio2和氧化锌zno。

可选地，沿引线金属层22的第一边缘的方向，激光阻挡层50的尺寸小于或者等于第一边缘的尺寸；沿引线金属层22的第二边缘的方向，激光阻挡层50的尺寸为50～200um。

可选地，所述显示面板还包括位于像素单元上方的封装层40，其中封装层40的制备材料与激光阻挡层50的制备材料相同。

本发明实施例中，可选地，所述透明基体为柔性材料制成。

本发明实施例还提供一种显示装置，其中，该显示装置包括如上任一项所述的显示面板。

本发明实施例所述的显示面板和显示装置，在引线金属层22与保护膜层30之间设置的激光阻挡层50，起到对引线金属层22进行表面保护的效果，以防止激光切割损坏下面的金属电极，降低激光工艺调试的难度和成本，节省工艺时间。

以上所述的是本发明的优选实施方式，应当指出对于本技术领域的普通人员来说，在不脱离本发明所述原理前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。