功率器件的背面金属加厚的方法和功率器件的制备方法与流程

本发明涉及一种功率器件，尤其涉及功率器件的制备方法。

背景技术：

现有技术在制备功率器件时，一般包括以下步骤：1)pecvd生长钝化介质；2)前烘、涂胶、软烘、曝光、显影、坚膜、刻蚀；3)正面涂胶保护；4)电子束蒸发或溅镀形成背面金属ti；5)去除正面保护胶；6)pecvd生长聚酰亚胺保护介质；7)前烘、涂胶、软烘、曝光、显影、坚膜、刻蚀；8)正面涂胶保护；9)电子束蒸发或溅镀形成背面金属tiniag；10)去除正面保护胶；

这种制备方法存在的问题是：1)工艺步骤多，工艺复杂；2)背面金属在制备过程中容易脱落；2)背面金属中ag在制备过程中容易发生氧化。

技术实现要素：

本发明所要解决的主要技术问题是提供一种功率器件的背面金属加厚的方法和一种功率器件的制备方法，解决了背面金属易脱落和易氧化的问题，并且简化了制备工艺。

为了解决上述的技术问题，本发明提供了一种功率器件的背面金属加厚的方法：在背面金属的下表面通过电子束蒸发或溅镀形成第二背面金属，两个背面金属的材质不相同。

在一较佳实施例中：所述背面金属为tiniag。

在一较佳实施例中：所述第二背面金属为ti或au。

本发明还提供了一种功率器件的制备方法，所述功率器件包括基底、设置于基底上表面的阳极金属，以及设置于基底下表面的金属；所述金属与基底下表面之间为欧姆接触或肖特基接触；包括如下步骤：

1)在功率器件的上表面涂抹保护胶；

2)通过电子束蒸发或溅镀在金属的下表面形成背面金属；

3)通过电子束蒸发或溅镀在背面金属的下表面形成第二背面金属；

4)去除保护胶；

5)在功率器件的上表面通过pecvd生长钝化介质；

6)在钝化介质上通过pecvd生长聚酰亚胺保护介质；

7)在聚酰亚胺保护介质和钝化介质上开孔暴露所述阳极金属。

在一较佳实施例中：所述背面金属为tiniag。

在一较佳实施例中：所述第二背面金属为ti或者au。

在一较佳实施例中：所述阳极金属为al，金属为ni，钝化介质为sio2和si3n4。

相较于现有技术，本发明的技术方案具备以下有益效果：

本发明提供了一种功率器件的背面金属加厚的方法，在制备过程中背面金属一直被第二背面金属所覆盖，因此，就可以克服背面金属在制备过程与空气接触氧化或者脱落的问题。此外由于背面金属一直被第二背面金属所保护，因此生长钝化介质和聚酰亚胺保护介质都可以在沉积背面金属之后进行，这样只需要涂抹一次正面保护胶，大大简化了工艺流程。

附图说明

图1-图6为本发明优选实施例1中功率器件的制备方法的实施步骤图。

具体实施方式

下文结合附图和具体实施方式对本发明的技术方案做进一步说明：

参考图1-6，本实施例提供了一种功率器件的制备方法，所述功率器件包括基底1、设置于基底1上表面的阳极金属2，以及设置于基底1下表面的金属5；所述金属5与基底1下表面之间为欧姆接触或肖特基接触，本实施例中以欧姆接触进行举例；包括如下步骤：

1)在功率器件的上表面涂抹保护胶；

2)通过电子束蒸发或溅镀在金属5的下表面形成背面金属6；

3)通过电子束蒸发或溅镀在背面金属6的下表面形成第二背面金属7；

4)去除保护胶；

5)在功率器件的上表面通过pecvd生长钝化介质3；

6)在钝化介质3上通过pecvd生长聚酰亚胺保护介质4；

7)在聚酰亚胺保护介质4和钝化介质3上开孔暴露所述阳极金属2。

本实施例中，所述背面金属6为tiniag。所述第二背面金属7为ti或者au，所述阳极金属2为al，金属5为ni，钝化介质3为sio2和si3n4。

从上述过程可知，由于在制备过程中背面金属6一直被第二背面金属7所覆盖，因此，就可以克服背面金属6在制备过程与空气接触氧化或者脱落的问题。此外由于背面金属6一直被第二背面金属7所保护，因此生长钝化介质3和聚酰亚胺保护介质4都可以在沉积背面金属6之后进行，这样只需要涂抹一次正面保护胶，大大简化了工艺流程。以上仅为本发明的优选实施例，但本发明的范围不限于此，本领域的技术人员可以容易地想到本发明所公开的变化或技术范围。替代方案旨在涵盖在本发明的范围内。因此，本发明的保护范围应由权利要求的范围确定。

技术特征：

技术总结
本发明提供了一种功率器件的背面金属加厚的方法，在背面金属的下表面通过电子束蒸发或溅镀形成第二背面金属，两个背面金属的材质不相同。本发明还提供了一种功率器件的制备方法，包括如下步骤：1)在功率器件的上表面涂抹保护胶；2)在金属的下表面形成背面金属；3)在背面金属的下表面形成第二背面金属；4)去除保护胶；5)在功率器件的上表面生长钝化介质；6)在钝化介质上生长聚酰亚胺保护介质；7)在聚酰亚胺保护介质和钝化介质上开孔暴露所述阳极金属。

技术研发人员：陶永洪;高秀秀;蔡文必
受保护的技术使用者：厦门市三安集成电路有限公司
技术研发日：2018.12.25
技术公布日：2019.05.31