基底贴膜方法及封装方法与流程

本发明涉及封装技术领域，特别涉及一种基底贴膜方法及封装方法。

背景技术：

随着电子产品多功能化和小型化的潮流，高密度微电子组装技术在新一代电子产品上逐渐成为主流。为了配合新一代电子产品的发展，尤其是智能手机、掌上电脑、超级本等产品的发展，芯片的尺寸向密度更高、速度更快、尺寸更小、成本更低等方向发展。随之，芯片的封装技术也经历了快速的发展。芯片的封装不但为芯片提供隔离周围环境的保护，更进一步为芯片提供一个连接界面。其中，扇出型晶圆级封装技术(fan-outwaferlevelpackage,fowlp)是将性能完好的芯片嵌入至塑封材料或基体中，通过金属再分布线层(rdl)等金属连接方式实现芯片与其他器件的连接。扇出型晶圆级封装技术有效缩小了封装体的厚度和大小，能够兼容多种芯片的封装，成本更低，器件性能更高，成为现阶段封装工艺的热点。

最常见的也是最早出现的扇出型晶圆级封装技术是嵌入式晶圆级球栅阵列(embeddedwaferlevelballgridarray，ewlb)方案，此方案将性能完好的芯片(gooddie)重组且正面朝下(facedown)贴装在载体上(carrier)上，整体进行塑封，重构晶圆，载体拆除后进行表面布线以及植球，最后切割成单个封装体，从而实现i/o(输入/输出)管脚扇出。在上述封装方案中，性能完好的芯片(gooddie)重组之前需要在晶圆进行贴膜(mounting)和切割(sawing)工艺，其中，晶圆贴膜工艺是将在晶圆形成有焊盘的表面贴上一黏贴膜(通常称之为daf或粘片膜)，该daf作为晶圆切割的支撑结构和后续芯片切割(dieattach，简称da)工艺的连接膜。

常用的晶圆贴膜方法为：通过对载有晶圆的吸附平台进行加热，进而对晶圆进行加热以使其达到预定的工艺温度，然后将黏贴膜贴合至加热后的晶圆表面。然而，这种晶圆贴膜方法，晶圆表面容易形成气泡，给产品的可靠性性造成极大的风险。

技术实现要素：

为解决上述问题，本发明提供一种基底贴膜方法，可减少甚至避免在晶圆表面形成气泡，提高产品的可靠性。

本发明提供一种基底贴膜方法，包括：

提供一基底，且所述基底表面形成有焊盘；

提供一黏贴膜，加热所述黏贴膜至预定温度；以及

将所述黏贴膜贴覆至所述基底形成有焊盘的表面，使所述黏贴膜与所述焊盘贴合。

可选的，所述黏贴膜的加热温度为20℃-60℃。

可选的，所述黏贴膜为daf；

可选的，所述daf包括：基底层、粘附层和释放层，所述粘附层设置在所述基底层和所述释放层之间。

可选的，从所述daf中将所述释放层分离后，将所述基底层和粘附层贴覆至所述晶圆形成有焊盘的表面，所述粘附层与所述焊盘完全贴合。

可选的，对所述黏贴膜的加热方法包括：

引入气体并对气体加热；

将所述释放层从所述daf中剥离；以及

利用加热后的气体对所述粘附层进行吹扫加热。

可选的，通过对引入气体的管路加热实现所述气体的加热。

可选的，所述气体的加热温度为30℃-70℃。

可选的，对所述粘附层进行加热以使所述粘附层软化且能够维持未固化状态。

可选的，所述粘附层的加热温度为20℃-60℃。

可选的，所述基底为晶圆，所述基底形成有焊盘的表面还形成有钝化层，所述钝化层覆盖所述基底形成有焊盘的表面并在所述焊盘上方形成有暴露所述焊盘的开口。

可选的，所述黏贴膜填充所述开口。

可选的，所述基底贴膜方法还包括，对所述基底进行加热。

可选的，对所述基底进行加热之前，对所述基底异于形成有焊盘的表面的一面进行减薄。

可选的，通过研磨、化学机械抛光、湿法刻蚀或干法刻蚀的方式对所述基底进行减薄。

可选的，所述基底减薄后的厚度为150μm-200μm。

可选的，将所述黏贴膜贴覆至所述基底形成有焊盘的表面后，通过紫外光照射对所述黏贴膜进行预固化。

相应的，本发明提供一种封装方法，包括：

采用上述的基底贴膜方法，将黏贴膜贴覆至基底形成有焊盘的表面；

将所述贴覆有黏贴膜的基底切割成若干独立芯片；

将所述芯片贴合至载体。

可选的，所述载体为印刷电路板、引线框或芯片。

可选的，所述封装方法为扇出型晶圆级封装方法。

综上所述，本发明提供一种基底贴膜方法，先提供一黏贴膜，然后加热所述黏贴膜至预定温度，再将所述黏贴膜贴覆至晶圆形成有焊盘的表面，使所述黏贴膜与所述焊盘尽可能的完全贴合。本发明在黏贴膜贴覆至晶圆之前，对所述黏贴膜进行加热处理，使所述黏贴膜受热均匀，减少甚至避免黏贴膜贴覆过程中在晶圆表面产生气泡，进而防止对后续的制程造成干扰，保证产品的可靠性。进一步的，与现有基底贴膜工艺相比，本发明中黏贴膜由间接加热变为直接加热，所述黏贴膜更易获得最佳的工艺温度，降低工艺控制难度。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种基底贴膜方法的流程图；

图2为本发明实施例中晶圆的示意图；

图3为本发明实施例中daf的结构示意图；

图4a-图4d为本发明实施例提供的一种基底贴膜方法相应步骤的结构示意图；

图5a-图5e为本发明实施例中提供的一种封装方法中相应步骤的结构示意图。

附图标记：

10-陶瓷真空吸附平台；100-晶圆；110-芯片；101-焊盘；102-钝化层；103-开口；104-塑封材料；105-金属再分布层；106-介电层；107-凸点下金属层；108-焊球；120-黏贴膜；121-基底层；122-粘附层；123-释放层；124-卷筒；200-载体。

具体实施方式

由背景技术可知，在现有晶圆贴膜工艺中，通过对载有晶圆的吸附平台进行加热，进而对晶圆进行加热直至晶圆达到预定的工艺温度，然后将黏贴膜贴合至晶圆形成有焊盘的表面。发明人发现，这种晶圆贴膜方法，黏贴膜间接受热，温度很难达到其最佳的工艺温度，黏贴膜与晶圆表面的焊盘无法完全贴合，容易在晶圆表面形成气泡，特别是与焊盘贴合处，给后续的制程造成干扰，如在后续再分布金属层(rdl)制作工艺中晶圆表面处的气泡会导致再分布金属层中线路开路，给产品的可靠性性造成极大的风险。

发明人曾试图采用如下两种方法解决上述气泡问题：一种方法是，利用真空贴膜机进行晶圆贴膜，但这种贴膜方法需要更换现有贴膜设备，且使用真空贴膜机生产成本较高；另一种方法是，在进行晶圆贴膜工艺前采用pecvd工艺在所述晶圆表面焊盘区域沉积氧化物，并利用化学机械研磨(cmp)技术对焊盘区域沉积的氧化物进行平坦化，以使晶圆表面平整进而减少贴膜过程中形成气泡，但这种方法需要在后续工艺中(制作再分布金属层之前)将焊盘区域填充的氧化物去除以暴露焊盘，氧化物的去除会影响后续黏贴膜的刻蚀形貌，工艺复杂且存在风险。

基于上述研究，本发明实施例提供一种基底贴膜方法及封装方法，先加热黏贴膜至预定温度，然后将所述黏贴膜贴覆至基底形成有焊盘的表面，使所述黏贴膜与所述焊盘尽可能的完全贴合。本发明实施例在黏贴膜贴覆至基底之前，对所述黏贴膜进行加热处理，使所述黏贴膜受热均匀，避免贴覆过程中在晶圆表面产生气泡，进而防止对后续的制程造成干扰，保证产品的可靠性。进一步的，与现有基底贴膜工艺相比，本发明中黏贴膜由间接加热变为直接加热，所述黏贴膜更易获得最佳的工艺温度，使得工艺控制更直观。

为使本发明的内容更加清楚易懂，以下结合说明书附图，对本发明的内容做进一步说明。当然本发明并不局限于该具体实施例，本领域的技术人员所熟知的一般替换也涵盖在本发明的保护范围内。

其次，本发明利用示意图进行了详细的表述，在详述本发明实例时，为了便于说明，示意图不依照一般比例局部放大，不应对此作为本发明的限定。

需要说明的是，本发明提供的基底贴膜方法及封装方法适用于任何包含有基底贴膜(mounting)工艺的半导体封装方法，例如可以是晶圆的贴膜的工艺中。本实施例仅以扇出型晶圆级封装为例进行详细介绍，本领域技术人员根据本发明实施例的介绍应知晓如何将该贴膜方法应用至扇出型晶圆级封装之外的封装技术中。

图1为本实施例提供的一种基底贴膜方法的流程图，如图1所示，本实施例提供的一种基底贴膜方法，包括以下步骤：

s01：提供一基底，所述基底表面形成有若干个焊盘；

s02：提供一黏贴膜，并加热所述黏贴膜至预定温度；以及

s03：将所述黏贴膜贴覆至所述基底形成有焊盘的表面，使黏贴膜与所述焊盘贴合。

图4a～图4d为本实施例提供的一种基底贴膜方法相应步骤对应的结构示意图，以下将参考图2并结合图4a～图4d详细说明本实施例提供的基底贴膜方法。本实施中所述基底为晶圆100，采用贴膜机对晶圆100进行贴膜工艺，除改变黏贴膜120与晶圆100贴合过程的加热方式外，本实施例中其他贴膜的相应工艺与现有工艺相同，其中，贴膜机为现有工艺中常用的贴膜机，包括承载晶圆100并可以对其进行加热的工件台(如陶瓷真空吸附平台10)，daf卷筒的固定机构(如滚轮)，daf的剥离机构(如剥离板)，传送daf的传送机构及daf的压合机构(如压辊)等，具体结构设置为本领域技术人员所熟知，在此不再赘述。

首先，执行步骤s01，如图2所示，提供一基底，所述基底表面形成有若干个焊盘101(图2中未示)。

所述基底为一晶圆100，所述晶圆100可以为完成器件制作并形成有多个独立的芯片110的器件晶圆。所述晶圆100可以采用集成电路制作技术根据相应的布图设计进行制作，例如在晶圆100上通过沉积、光刻、刻蚀、离子注入等工作形成诸如nmos晶体管和/或pmos晶体管等器件，并形成介质层和金属层构成的互连层和位于互连层之上的焊盘101等结构，从而在晶圆100中制作呈阵列排布的多个独立的芯片110。

所述芯片110可以为各种类型的芯片，例如，存储芯片、通讯芯片、处理器芯片、mems芯片等。同一个晶圆100上所形成的这些独立的芯片110可以是相同功能或不同功能的芯片，并且，它们的制作工艺可以相同、相似或者完全不同。当然，通常来说在一个晶圆100上形成的多个独立芯片110是功能相同的芯片，以该独立芯片110为mems芯片为例，可以利用本领域公开的mems芯片的制造工艺在半导体衬底(例如硅晶圆)上制作诸如陀螺仪、加速度计、惯性传感器、压力传感器、流量传感器、位移传感器、电场传感器、电场强度传感器、电流传感器、磁通传感器和磁场强度传感器、温度传感器、热流传感器、热导率传感器、光调制器、声音传感器、气体传感器、湿度传感器、离子传感器、生物传感器等mems器件，完成封装后可以分割出独立的芯片晶粒作为单个的mems芯片。

示例性地，晶圆100所选用的衬底材料可以是以下所提到的材料中的至少一种：si、ge、sige、sic、sigec、inas、gaas、inp或者其它iii/v化合物，所述半导体衬底还可以包括这些材料构成的多层结构，或者为绝缘体上硅(soi)、绝缘体上层叠硅(ssoi)、绝缘体上层叠锗化硅(s-sigeoi)、绝缘体上锗化硅(sigeoi)以及绝缘体上锗(geo)等。

图4a为晶圆100中一芯片110的部分结构示意图，如图4a所示，在芯片110表面形成有钝化层102，以保护形成在芯片110中的集成电路(晶体管、互连层等)以及焊盘101。钝化层102的一部分覆盖焊盘101的边缘部分，并且通过钝化层102中的开口103来暴露焊盘101的中心部分，以通过暴露的焊盘101实现芯片110与外部电路之间的电性连接。其中，所述钝化层101可以是由氮化物、氧化物、氮氧化物、聚合物或其他介电材料形成。所述钝化层102可以通过化学气相沉积(cvd)、旋涂等方法形成，例如，所述钝化层102是由氮化物、氧化物或氮氧化物制成，则优选通过cvd诸如等离子体增强化学气相沉积(pecvd)工艺形成，所述钝化层102是由聚合物制成，则优选通过旋涂工艺形成。所述焊盘101的材质可以包括铝、铜、银、金、镍、钨等金属中的一种或多种，优选为铝焊盘。

由于芯片110表面焊盘101上方形成有暴露所述焊盘的开口103，导致后续晶圆贴膜(mounting)工艺中，膜层难以完全填充焊盘上方的开口103，如图4b和图4c所示，即膜层难以与所述焊盘101完全贴合，容易在所述晶圆的表面形成气泡，尤其是在形成有所述焊盘101的区域，对后续的制程造成干扰，对产品的可靠性性造成极大的风险。

接着，执行步骤s02，提供一黏贴膜120，并加热所述黏贴膜120至预订温度。所述黏贴膜200可以为任意一种具有黏性的薄膜，所述黏贴膜200的材质例如为环氧树脂、碳酸丙二醇酯、聚碳酸酯或聚合物基材料等。本实施例中所述黏贴膜120优选为芯片连接薄膜(dieattachfilm，daf)，所述芯片连接薄膜可以为根据需要采用各种合适的型号，在此不做具体限定。

示例性地，如图3所示，芯片连接薄膜(dieattachfilm，daf)包括基底层121、粘附层122和释放层123，所述粘附层122作为核心膜层设置在所述基底层121和所述释放层123之间。所述基底层121作为所述粘附层122的支撑层，所述释放层123作为粘附层122的覆盖层。其中，所述基底层121包括聚烯烃(polyolefin)材料，所述释放层123包括聚酯材料，所述粘附层122包括环氧有机材料。芯片连接薄膜(daf)的整体厚度在10μm-30μm之间。所述粘附层122通常不具有导电性，在常温状态下为双面带有粘附性的高分子胶质体材料，固化后能够保证粘附层122两面贴合的稳定性。

所述芯片连接薄膜(daf)未使用前卷在固定卷筒124上，黏贴在所述粘附层122两面的所述释放层123和所述基底层121不带有黏性，故所述释放层123和所述基底层121能够起到保护膜的作用，使daf整体一圈圈卷在固定卷筒124上，并保护所述粘附层122不受外界应力及水汽等环境侵蚀。后续对所述daf进行加热主要针对的是所述粘附层122，故可以整体对所述daf进行加热，但也可以进行适当剥离后单独针对所述粘附层122加热。

作为优选，本实施例中对所述daf加热是指剥离所述释放层123后对所述粘附层122的加热，具体加热过程包括：

首先，通过气体管引入气体并对气体加热。所述气体管与气体供应装置连接，所述气体供应装置可以是封装车间中的相应的气体输送管道，也可以是储气钢瓶等储气装置。可以通过对引入气体的气体管进行加热，来获得具有一定的温度的气体。所述气体只是对所述daf加热的温度载体，引入的气体在不破坏所述daf的相关物理及化学性质的前提下进行加热，具体是何种类型的气体在此不做限定。本实施中优选为氮气或惰性气体(诸如氩气)。

然后，将固定有daf的卷筒安置在贴膜机的固定机构上(滚轮)，daf经传送机构传送到剥离板(peelplate)，将所述释放层123从daf中剥离。剥离后的所述释放层123经传送机构传送至回收所述释放层123的箱体内，剥离后的daf(所述粘附层122和所述基底层121)沿着异于所述释放层123的传送方向，向承载所述晶圆100的陶瓷真空吸附平台10传送，传送过程中，所述粘附层122的一面粘附有所述基底层121，另一面暴露于空气中，如图3所示。

接着，用加热后的气体对传送过程中暴露的所述粘附层122进行吹扫加热，使所述粘附层122具有一定的温度。例如可以在离所述粘附层122表面一定距离处沿着一定方向均匀移动气体管，对所述粘附层122进行均匀吹扫，使所述粘附层122受热均匀。所述气体加热后的的温度范围为30℃-70℃，加热后的所述粘附层122的表面温度为20℃-60℃，例如可以为30℃、40℃或50℃等。可以通过测温装置诸如红外线测温枪或温度传感器测试所述气体的温度及所述气体吹扫后的所述粘附层122表面的温度，以确保粘附层122达到预定的温度。

具体的，可以在所述粘附层122传送至的某一位置处时，在平行于所述粘附层122的一平面上移动气体管，气体管的移动方向可以垂直于所述粘附层122传送的方向，也可以平行于所述粘附层122传送的方向。具体的，所述气体管可以呈直线移动，也可以是呈“z”字型的波动移动，气体管的移动速率及气体管波动移动的幅度，可以根据粘附层122的传送速率，气体管的管径，气体管与粘附层122的距离及气体管气体管中气体流速等实际情况确定。当然也可以采用上述设置，增加气体管的数量(例如两个)，气体管相互配合移动对所述粘附层122进行均匀吹扫。本实施例中，对所述气体管的加热并不影响气体管的移动，如对所述气体管的异与出气口的某一段加热，移动气体管的出气口近端管体对所述粘附层122扫射加热，也可以对气体集中加热，获得具有一定温度的气体后再通过气体管道输送并对。所述粘附层122扫射加热。

本实施例另一实施例中，提供一气体管组，例如可以是平行排列的若干气体管或者一特定的气体管，所述气体管组的宽度大于等于daf(所述粘附层122)的宽度，将所述气体管组固定设置在与所述粘附层122表面(暴露于空气的一面)平行的一平面上，对传送过程中的所述粘附层122的进行吹扫加热，即通过不移动气体管组对所述粘附层122的进行加热。当然也可以采用循环加热的方式，在所述粘附层122的传送路径上设置若干加热点(气体管组)，控制所述粘附层122的传送速度，使所述粘附层122多次加热以达到所需的加热温度，进而传送至所述晶圆100处与所述晶圆100进行贴合。当然，本实施例中气体管组也可以用其他加热装置代替，例如红外线加热管。

本发明另一实施例中，也可以在一定密闭空间内对晶圆100进行贴膜，在密闭空间内引入气体并通过一定方式加热，使所述daf处于具有一定温度的气体氛围内，进而起到对所述daf加热的目的。例如可以将贴膜机中陶瓷真空吸附平台10、daf卷筒的固定机构，daf的剥离机构(剥离板)，传送daf的传送机构及daf的压合机构(压辊)通过玻璃窗密封在一空间内，在密闭的玻璃窗内引入具有一定温度的气体，或者通过其他方式使玻璃窗内具有贴膜的所需的温度。

需要说明的是，本实施例中步骤s01与步骤s02并不存在先后顺序，即，提供晶圆100(包括后续提到的晶圆背面减薄工艺)和对所述黏贴膜(粘附层122)的加热可以同时进行，也可以分先后进行，具体先后顺序不作限定。

接下来，执行步骤s03，将所述黏贴膜120贴覆至所述基底形成有焊盘101的表面，使所述黏贴膜120与所述焊盘101贴合。

较佳地，在所述晶圆100进行贴膜工艺之前对其进行减薄工艺，减薄晶圆100有利于减小要形成的芯片的整体厚度。具体的，可对晶圆100的背面(异于形成有焊盘101的一面)进行减薄工艺，例如可以通过化学机械研磨(cmp)、湿法刻蚀或干法刻蚀方式中的一种或多种对所述晶圆100的背面进行减薄，减薄后的晶圆100的厚度例如为150μm-200μm。

然后，如图2所示，将减薄后的所述晶圆100置于贴膜机的陶瓷真空吸附平台10上，晶圆100的背面(异于形成有焊盘101的一面)靠近所述陶瓷真空吸附平台10，晶圆100的正面(形成有焊盘101的一面)远离所述陶瓷真空吸附平台10。

接着，将加热后的daf(此时仅包含粘附层122和基底层121)贴合在所述晶圆100的正面(形成有焊盘101的一面)，其中所述粘附层122(剥离所述释放层123后暴露在空气中的一面)所述晶圆100形成有焊盘101的一面直接接触。可以通过压膜机中压辊对贴合在所述晶圆100正面的黏贴膜施加一压合力，有利于所述粘附层122与所述晶圆100有效压合，又避免所述晶圆被压裂，所述压合力为0.1mpa至1mpa。可知，热压后的daf(此时仅包含所述粘附层122和所述基底层121)完全贴覆在所述晶圆100形成有焊盘101的表面。有效的加热使所述粘附层122适度软化且能够维持未固化状态，适度软化的所述粘附层122具有一定的流动性，在一定压合力的作用下能够完全填充焊盘101上的开口103，使所述粘附层122与所述焊盘101尽可能完全贴合，如图4d所示，避免贴覆过程中所述晶圆100表面产生气泡，进而避免给后续的制程造成干扰，保证了产品的可靠性。另外，晶圆贴膜工艺结束后，黏贴在所述粘附层122另一面的基底层121可以根据后续具体工艺的实际需要选择剥离或保留。

在本发明的另一实施例中，在所述粘附层122贴覆至所述晶圆100形成有焊盘的表面之前，对daf进行加热的同时，对所述晶圆100进行加热，两者相配合有利于使粘附层122和所述晶圆100的贴合更加均匀致密。具体实施时，可以利用电磁感应原理对所述陶瓷真空吸附平台10加热，进而对陶瓷真空吸附平台10上的所述晶圆100进行加热，也可以利用上述气体加热方式对所述晶圆100加热，如可以通过加热后的气体对所述晶圆100进行均匀吹扫，或者将所述晶圆100置于具有一定温度的气体氛围内。然后将加热后的daf贴覆至加热后的晶圆100上。当然，在daf贴覆至加所述晶圆100过程(如压辊对贴合在所述晶圆100正面的黏贴膜施加压合力)中，可以保持对陶瓷真空吸附平台10进行加热，进而使daf与所述晶圆100贴合均匀，具体对陶瓷真空吸附平台10的加热温度和加热时间可以依据daf(所述粘附层122)的组成成分，所述陶瓷真空吸附平台10的导热情况等实际情况具体设定，可选的，所述对陶瓷真空吸附平台10的加热范围为20℃-70℃。

另外，本发明实施例所述提供的基底贴膜方法还包括：将所述黏贴膜贴覆至所述晶圆形成有焊盘的表面后，对所述黏贴膜进行预固化。优选为采用紫外光照射方式对所述黏贴膜进行预固化。本实施例中，采用紫外光(uv)照射的方式固化daf，在daf贴装完成后其状态仍为带有很高粘性的胶质体，通过uv照射工艺设备的紫外光照射后daf会产生交联反应，起到预固化作用，为后续切割划片做好准备，并且在切割划片后一段时间内(例如30天)内不会因daf胶质外溢，使切割道相邻两颗芯片表面的daf黏连导致封装装片分拾困难等。需要注意的是，本实施例中完成紫外光照射后所述daf仍为胶质体，非玻璃态。

相应的，本发明还提供一种封装方法，包括如下步骤：

首先，采用上述的基底贴膜方法，将黏贴膜(daf)120贴覆至晶圆100形成有焊盘101的一面。

然后，将贴覆有所述黏贴膜120的晶圆100切割成若干独立的芯片110。切割方法例如是采取标准的晶圆切割方法，如机械切割、激光切割等方式，切割后黏贴膜120仍然黏贴在所述芯片110的正面，即切割后形成的独立芯片110表面黏贴有daf(所述粘附层122和所述基底层121)。

接着，拾取上述独立的芯片110，此时所述粘附层122和所述基底层121分离，所述粘附层122贴合在所述芯片110的正面(形成有焊盘101的一面)，与所述芯片110一起拾取脱离所述基底层121，并粘贴至相应载体上，所述载体可以为印刷电路板、引线框或芯片等，针对不同的封装方式选择合适的载体，进行后续塑封(molding)等工艺，完成半导体的封装。

下面以扇出型晶圆级封装(fan-outwaferlevelpackage，fowlp)为例更详细的介绍本发明实施例提供的封装方法。

首先，取一载体200进行清洗，通过清洗有利于去除载体200上的杂质和污染物。所述载体200可为金属基板、硅基板、玻璃基板、有机材料制成的基板等。所述载体200的几何形状可为规则形状(如圆形、方形)或不规则形状。

然后，采用一吸取/放置贴片设备，将分割后的芯片110，以其正面(黏贴有粘附层122的一面)朝下的方式，贴到载体200上，实现芯片110在载体200上的重置，如图5a所示。可以理解的是，图5a中仅示出两个芯片110，但实际应用时载体200上布置的芯片110数量可以更多。

接着，可将贴完芯片110的载体200置于一个具有一定压力的烘箱中，通过加压烘烤的方式增加所述粘附层122与所述载体200的粘结力，同时对daf(所述粘附层122)进行再一次预固化处理，烘烤过程中压力为2mpa～10mpa，温度为60℃-150℃，烘烤的时间为10min～120min。

接着，可以通过注塑工艺在载体200上覆盖塑封材料104，以通过塑封材料104将载有芯片110的载体200进行塑封(molding)，如图5b所示，塑封过程中温度大于粘附层122的固化温度，所述粘附层122完全固化。作为示例，所述注塑材料104包括热固性树脂，其在成型过程中能软化或流动，具有可塑性，可制成一定形状，同时又发生化学反应而交联固化。所述注塑材料104可以包括酚醛树脂、脲醛树脂、三聚氰胺－甲醛树脂、环氧树脂、不饱和树脂、聚氨酯、聚酰亚胺等热固性树脂中的至少一种。所述注塑材料104能够将芯片110完全包覆，并优选具有平坦的上表面，以提供后续工艺所需的平坦的工艺表面。所述注塑材料104还覆盖所述载体200未被芯片110覆盖的表面并填充相邻芯片之间的空隙。

接着，通过研磨减薄所述载体200，并在所述载体200上形成图案化的掩膜层，通过光刻刻蚀工艺去除部分载体200和部分粘附层122，裸露出芯片110的表面的焊盘101，并将塑封后的芯片反转180度，使芯片110的正面(形成有焊盘101的一面)向上。本实施例中，在晶圆100贴膜过程中，通过直接对黏贴膜(daf中的粘附层122)进行加热，减少甚至避免晶圆100与黏贴膜(daf中的粘附层122)之间的气泡，尤其是焊盘101处的气泡现象，因此在上述刻蚀去除部分粘附层122以暴露出焊盘101的过程中，不会因为气泡问题对刻蚀造成影响(如气泡破裂，气泡中气体破坏刻蚀腔体环境)。

接着，通过电镀、化学镀或溅射的方式在减薄后的载体200及焊盘101上的开口形成金属层，在所述金属层上形成光刻胶层，经过曝光显影工艺，形成再分布金属线图形，以再分布金属线图形为掩膜形成再分布金属层(rdl)105，如图5c所示，所述再分布金属层105的材料为铜，铜铬合金或铜钛合金，所述再分布金属层(rdl)105与所述芯片110表面的焊盘101连接并延伸至后续形成有焊球凸块的位置。同上所述，由于本实施例在晶圆100贴膜过程中，减少甚至避免晶圆100表面(尤其是焊盘101处)的气泡问题，在形成再分布金属层105的过程中，可以有效避免由于焊盘101处气泡导致的再分布金属层105中电路开路现象。

然后，在再分布金属层105上形成(例如是通过涂覆工艺形成)介电层106，并通过光刻刻蚀等方法在所述介电层106中形成开口以暴露出再分布金属层105，并在所述开口制作凸点下金属层(ubm)107，接着，在所述凸点下金属层107上植球回流，形成焊球凸块108，如图5d所示，所述焊球凸块108为金属材料，包括锡、铅、铜、银、金等金属或其合金。

最后，对上述结构采用半导体封装后道的标准工艺，进行分离切割(singulation)，以得到单颗芯片，如图5e所示。

综上所述，在本发明实施例提供的基底贴膜方法及封装方法中，提供一黏贴膜，加热所述黏贴膜至预定温度后再将所述黏贴膜贴覆至基底形成有焊盘的表面，使所述黏贴膜与所述焊盘尽可能贴合。本发明在黏贴膜贴覆至晶圆之前，对所述黏贴膜进行加热处理，使所述黏贴膜受热均匀，避免贴覆过程中在晶圆表面产生气泡，进而防止对后续的制程造成干扰，保证产品的可靠性。进一步的，与现有基底贴膜工艺相比，本发明中黏贴膜由间接加热变为直接加热，所述黏贴膜更易获得最佳的工艺温度，使得工艺控制更直观。

上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。