一种采用陶瓷介质的波导滤波器的制作方法

本发明涉及波滤波器技术领域，具体涉及一种采用陶瓷介质的波导滤波器。

背景技术：

滤波器是一种选频装置，可以使信号中特定的频率成分通过，从而极大地衰减其它频率成分。传统的金属波导的滤波器有较高的q值，但是体积及重量较大，生产成本高，同时不利于安装和运输。随着通信系统的发展，要求滤波器具有低插损，高抑制，低成本，小型化等特点。

引入交叉耦合技术可以提高滤波器的选择性,同时也可减小尺寸；目前的介质波导滤波器仍存在交叉耦合结构复杂，且不够灵活，实现困难的技术问题。

技术实现要素：

本发明提供了一种采用陶瓷介质的波导滤波器，其平面交错布腔，可调节左右对称交叉耦合的强弱，相对位置的高低。

其技术方案是这样的：一种采用陶瓷介质的波导滤波器，包括陶瓷介质块，所述陶瓷介质块的表面涂覆有导电材料，其特征在于：所述陶瓷介质块的一侧的表面的两端分别设有至少两个电容耦合孔，所述电容耦合孔的深度可调，用于调节电容耦合强弱，在所述陶瓷介质块上且位于相邻的两个电容耦合孔之间设有贯穿所述陶瓷介质块的谐振孔，所述陶瓷介质块的一侧的表面上还设置有电感耦合孔，所述谐振孔与所述电容耦合孔以及电感耦合孔配合构成谐振器，分别在陶瓷介质块的两端构成交叉耦合结构，所述陶瓷介质块的一侧的表面上还设置有频率调试孔，所述陶瓷介质块的另一侧的表面上设有输入输出孔。

进一步的，所述电容耦合孔为u形槽孔。

进一步的，所述谐振孔包括两个分别设置在所述陶瓷介质块一侧的表面的两端的边缘处的长槽孔，还包括四个设置在所述电容耦合孔之间的腰形孔，还包括设置在所述陶瓷介质块一侧的表面的中间的谐振沟槽，所述谐振沟槽包括沿所述陶瓷介质块长度方向设置的主槽体和设置在所述主槽体上的臂槽，所述臂槽分别朝向所述主槽体的两侧错开设置。

进一步的，所述臂槽包括朝上设置的第一臂槽、第三臂槽和朝下设置的第二臂槽。

进一步的，所述电感耦合孔设置有三个，所述电感耦合孔设置在所述相邻的两个所述频率调试孔之间。

进一步的，所述频率调试孔设置有十个。

进一步的，所述导电材料为金属镀层。

进一步的，所述陶瓷介质块为硬质陶瓷介质材料制成。

本发明的采用陶瓷介质的波导滤波器具有以下优点：通过控制电容耦合孔的深浅，调节电容耦合强弱，来实现通带两边的零点平衡可供调节；谐振孔与电容耦合孔以及电感耦合孔配合构成谐振器，上下交错布腔，利于实现较强的交叉耦合，利于左右零点的高低调节；设置成u形槽孔的电容耦合孔，适用于交错排腔的结构，给生产调试预留足量尺寸空间；电感耦合孔的设置可以调节耦合带宽，频率调试孔的设置可以调节频率高低。

附图说明

图1为本发明的采用陶瓷介质的波导滤波器的主视的结构示意图；

图2为本发明的采用陶瓷介质的波导滤波器的后视的结构示意图；

图3为本发明的采用陶瓷介质的波导滤波器的半剖的结构示意图；

图4为本发明的采用陶瓷介质的波导滤波器的频率响应仿真图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

见图1、图2，图3，本发明的一种采用陶瓷介质的波导滤波器，包括陶瓷介质块1，陶瓷介质块1为硬质陶瓷介质材料制成，陶瓷介质块1的表面涂覆有导电材料，导电材料为金属镀层，陶瓷介质块的一侧的表面的两端分别设有电容耦合孔21、22、23、24，电容耦合孔的深度可调，用于调节电容耦合强弱，电容耦合孔为u形槽孔，在陶瓷介质块1上且位于相邻的两个电容耦合孔之间设有贯穿陶瓷介质块的谐振孔，谐振孔均为通孔，具体在本实施例中，谐振孔包括两个分别设置在陶瓷介质块一侧的表面的两端的边缘处的长槽孔31、32，还包括四个设置在电容耦合孔之间的腰形孔41、42、43、44，还包括设置在陶瓷介质块一侧的表面的中间的谐振沟槽5，谐振沟槽包括沿陶瓷介质块1长度方向设置的主槽体51和设置在主槽体51上的臂槽，臂槽分别朝向主槽体的两侧错开设置，臂槽包括朝上设置的第一臂槽52、第三臂槽54和朝下设置的第二臂槽53；

陶瓷介质块1的一侧的表面上还设置有电感耦合孔6，谐振孔与电容耦合孔以及电感耦合孔配合构成谐振器，分别在陶瓷介质块的两端构成交叉耦合结构7，陶瓷介质块1的一侧的表面上还设置有频率调试孔8，频率调试孔8设置有十个，电感耦合孔6设置有三个，电感耦合孔6设置在相邻的两个频率调试孔8之间，陶瓷介质块的另一侧的表面上设有输入输出孔9和输入输出孔10，在本实施例中电容耦合孔、电感耦合孔、频率调节孔分别为盲孔。

图4为本实施例中的采用陶瓷介质的波导滤波器的频率响应仿真图，其在滤波通带的两侧分别取得较理想的带外抑制，实现介质波导滤波器的高抑制特性，有利于产品的电气性能展示和小型化设计。

本实施例中的陶瓷介质的波导滤波器在陶瓷介质块的两端分别设置cq耦合交叉耦合结构，可在通带两侧形成4个耦合零点，通过控制电容耦合孔的深浅，调节电容耦合强弱，来实现通带两边的零点平衡可供调节；谐振孔与电容耦合孔以及电感耦合孔配合构成谐振器，上下交错布腔，利于实现较强的交叉耦合，利于左右零点的高低调节；设置成u形槽孔的电容耦合孔，适用于交错排腔的结构，给生产调试预留足量尺寸空间，同时，陶瓷介质块的另一侧的表面上设有输入输出孔，对输入输出时延具有调节作用。

对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。

此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

技术特征：

技术总结
本发明提供了一种采用陶瓷介质的波导滤波器，其平面交错布腔，可调节左右对称交叉耦合的强弱，相对位置的高低，包括陶瓷介质块，陶瓷介质块的表面涂覆有导电材料，其特征在于：所述陶瓷介质块的一侧的表面的两端分别设有至少两个电容耦合孔，所述电容耦合孔的深度可调，用于调节电容耦合强弱，在所述陶瓷介质块上且位于相邻的两个电容耦合孔之间设有贯穿所述陶瓷介质块的谐振孔，所述陶瓷介质块的一侧的表面上还设置有电感耦合孔，所述谐振孔与所述电容耦合孔以及电感耦合孔配合构成谐振器，分别在陶瓷介质块的两端构成交叉耦合结构，所述陶瓷介质块的一侧的表面上还设置有频率调试孔，所述陶瓷介质块的另一侧的表面上设有输入输出孔。

技术研发人员：陈荣达;谢懿非
受保护的技术使用者：苏州艾福电子通讯有限公司
技术研发日：2018.12.27
技术公布日：2019.03.12