一种半导体堆叠封装焊线键合压焊结构的制作方法

本发明属于半导体技术领域领域，尤其涉及一种半导体堆叠封装焊线键合压焊结构。

背景技术：

半导体芯片封装是指利用膜技术及细微加工技术，将芯片及其他要素在框架或基板上布局、粘贴固定及连接，引出接线端子并通过可塑，绝缘介质灌封固定，构成整体立体结构的工艺。此概念为狭义的封装定义。更广义的封装是指装工程，将封装体与基板连接固定，装配成完的系统或电子设备，并确保整个系统综合性能的工程。将前面的两个定义结合起来构成广义的封装概念。

在申请号为：cn201510210887.1，申请日为:20150429，名称为：一种半导体封装工艺的专利中，公开了一种半导体封装工艺，包括前段工艺、后段工艺，所述前段工艺包括：晶片背面研磨、晶片切割、紫外线刻蚀、晶片等离子体清洗、硅印刷、晶圆固化、芯片粘接、引线键合、检查；所述后段工艺包括塑封、激光打标、后固化、焊锡球、切割分离、检查、输送，本封装工艺针对轻薄便携的电子产品，实用性强，封装流程中进行多次检查，降低了不良产品，提高了生产效率。

技术实现要素：

本发明所解决的技术问题在于提供一种半导体堆叠封装焊线键合压焊结构。

本发明的的目的可以通过以下技术方案来实现：

一种半导体堆叠封装焊线键合压焊结构，包括第一层芯片6、第二层芯片8，第二层芯片8设置在第一层芯片6上，所述第一层芯片6和第二层芯片8之间设有底胶层7，底胶层7分隔第一层芯片6和第二层芯片8，第一层芯片6设在基板4上，基板4下表面涂有防焊漆层3，防焊漆层3上植入铜柱2，铜柱2设置多个均匀分布在防焊漆层3底面，每个铜柱2前端植入锡球1，所述第一层芯片6和第二层芯片8的两端分别通过金线9把芯片的接口和基板的接口键合，所述结构还包括封封装外壳10，所述封装外壳10设有引线接口与外界电路连通，金线9将引线与芯片电路连通。

优选的，第一层芯片6通过环氧树脂层5粘贴在基板4上。

优选的，所述环氧树脂层5的厚度为50微米。

优选的，所述第一层芯片6和第二层芯片8的厚度相同。

优选的，所述第一层芯片6和第二层芯片8的厚度为125微米。

优选的，所述基板4的厚度为200微米。

优选的，所述底胶层7的厚度为63微米。

本发明的有益效果：

此结构的堆叠方式操作简单，粘合方便，牢固，结构稳定。

附图说明

图1为一种半导体堆叠封装焊线键合压焊结构的结构示意图。

具体实施方式

结合附图所示，本发明的技术方案作进一步的描述：

一种半导体堆叠封装焊线键合压焊结构，包括第一层芯片6、第二层芯片8，第二层芯片8设置在第一层芯片6上，所述第一层芯片6和第二层芯片8之间设有底胶层7，底胶层7分隔第一层芯片6和第二层芯片8，第一层芯片6设在基板4上，基板4下表面涂有防焊漆层3，防焊漆层3上植入铜柱2，铜柱2设置多个均匀分布在防焊漆层3底面，每个铜柱2前端植入锡球1，所述第一层芯片6和第二层芯片8的两端分别通过金线9把芯片的接口和基板的接口键合，所述结构还包括封封装外壳10，所述封装外壳10设有引线接口与外界电路连通，金线9将引线与芯片电路连通。

本实施例中，优选的，第一层芯片6通过环氧树脂层5粘贴在基板4上。

本实施例中，优选的，所述环氧树脂层5的厚度为50微米。

本实施例中，优选的，所述第一层芯片6和第二层芯片8的厚度相同。

本实施例中，优选的，所述第一层芯片6和第二层芯片8的厚度为125微米。

本实施例中，优选的，所述基板4的厚度为200微米。

本实施例中，优选的，所述底胶层7的厚度为63微米。

在对芯片和基板间的胶粘剂处理以使其有更好的粘结性能后,用高纯金线把芯片的接口和基板的接口键合，芯片的电极与外界的电路连通，引线用于与外界的电路连通，金线将引线与芯片的电路连接起来，基板用于承载芯片，环氧树脂层用于将芯片粘贴在基板上，塑封外壳则可以起到固定和保护作用。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明而非限制本发明的技术方案，尽管参照上述实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解：依然可以对本发明进行修改或者等同替换，而不脱离本发明的精神和范围，而所附权利要求意在涵盖落入本发明精神和范围中的这些修改或者等同替换。

技术特征：

1.一种半导体堆叠封装焊线键合压焊结构，包括第一层芯片(6)、第二层芯片(8)，其特征在于：

第二层芯片(8)设置在第一层芯片(6)上，所述第一层芯片(6)和第二层芯片(8)之间设有底胶层(7)，底胶层(7)分隔第一层芯片(6)和第二层芯片(8)，第一层芯片(6)设在基板(4)上，基板(4)下表面涂有防焊漆层(3)，防焊漆层(3)上植入铜柱(2)，铜柱(2)设置多个均匀分布在防焊漆层(3)底面，每个铜柱(2)前端植入锡球1，所述第一层芯片(6)和第二层芯片(8)的两端分别通过金线(9)把芯片的接口和基板的接口键合，所述结构还包括封封装外壳(10)，所述封装外壳(10)设有引线接口与外界电路连通，金线(9)将引线与芯片电路连通。

2.如权利要求1所述的半导体堆叠封装焊线键合压焊结构，其特征在于：第一层芯片(6)通过环氧树脂层(5)粘贴在基板(4)上。

3.如权利要求2所述的半导体堆叠封装焊线键合压焊结构，其特征在于：所述环氧树脂层(5)的厚度为50微米。

4.如权利要求3所述的半导体堆叠封装焊线键合压焊结构，其特征在于：所述第一层芯片(6)和第二层芯片(8)的厚度相同。

5.如权利要求4所述的半导体堆叠封装焊线键合压焊结构，其特征在于：所述第一层芯片(6)和第二层芯片(8)的厚度为125微米。

6.如权利要求5所述的半导体堆叠封装焊线键合压焊结构，其特征在于：所述基板(4)的厚度为200微米。

7.如权利要求6所述的半导体堆叠封装焊线键合压焊结构，其特征在于：所述底胶层(7)的厚度为63微米。

技术总结
本发明公开了一种半导体堆叠封装焊线键合压焊结构，包括第一层芯片、第二层芯片，第二层芯片设置在第一层芯片上，所述第一层芯片和第二层芯片之间设有底胶层，底胶层分隔第一层芯片和第二层芯片，第一层芯片设在基板上，基板下表面涂有防焊漆层，防焊漆层上植入铜柱，铜柱设置多个均匀分布在防焊漆层底面，每个铜柱前端植入锡球，所述第一层芯片和第二层芯片的两端分别通过金线把芯片的接口和基板的接口键合，所述结构还包括封封装外壳，所述封装外壳设有引线接口与外界电路连通，金线将引线与芯片电路连通，此结构的堆叠方式操作简单，粘合方便，牢固，结构稳定。

技术研发人员：杨林峰
受保护的技术使用者：海太半导体(无锡)有限公司
技术研发日：2018.12.28
技术公布日：2020.07.07