1.一种单向TVS芯片，其特征在于：包括均匀掺杂的基片，通过所述基片的两面分别掺入与基片导电类型相反的异型杂质形成与基片导电类型相反的第一异型杂质扩散区和第二异型杂质扩散区。所述基片与第一异型杂质扩散区之间形成第一PN结，所述基片与第二异型杂质扩散区之间形成第二PN结，所述第二PN结上设有短路区和/或短路环；所述第一异型杂质扩散区表面和第二异型杂质扩散区及短路区和/或短路环的表面覆盖有金属层。
2.如权利要求1所述的一种单向TVS芯片，其特征在于：所述第二PN结上设有短路区，短路区为嵌入到第二PN结中的均匀掺杂的基片区域，短路区与短路区以外的第二PN结通过表面金属层互联。
3.如权利要求1所述的一种单向TVS芯片，其特征在于：所述第二PN结的终端设有短路环，所述短路环为与基片有相同导电类型和掺杂浓度的环状短路区。
4.如权利要求1所述的一种单向TVS芯片，其特征在于：所述短路环为与金属层连为一体的金属环。
5.如权利要求1所述的一种单向TVS芯片，其特征在于：所述第一PN结终端设有钝化层。
6.如权利要求1所述的一种单向TVS芯片，其特征在于：所述基片表面为研磨面、化学抛光面或机械抛光面。
7.如权利要求1所述的一种单向TVS芯片，其特征在于：所述基片为P型基片，所述第一异型杂质扩散区为第一N型扩散区，所述第二异型杂质扩散区为第二N型扩散区；或者，所述基片为N型基片，所述第一异型杂质扩散区为第一P型扩散区，所述第二异型杂质扩散区为第二P型扩散区。