本实用新型涉及一种电容，特别涉及一种单值标准电容。
背景技术：
标准电容是计量工作中经常要用到的标准器具，电容量值与其电极形式和所用的介质有关。10皮法以下的小容量标准电容器常采用空气密封同轴圆柱形电极的结构，年变化小于1×10-5 ，损耗角为10-6 量级，电容量随频率的变化很小，因此这种电容器也常作为损耗角标准或高频阻抗标准，其缺点是电容量不易做大。100～1000皮法的标准电容器常采用多层平板型空气电容器，但此种结构的电容器年变化稍大,约为10-5 ～10-4 。以上两种电容对材料以及加工精度要求比较高。大于1纳法的标准电容器为了减少体积，一般常采用云母镀银电容器，年变化约为1×10-4，损耗角也为10-4 量级。10～100微法的标准电容器常采用金属化薄膜电容，以减少体积，年变化为10-4 ～10-3 ，100微法以上的标准电容器不易制作,常采用带有耦合变压器或运算放大器的等效大电容方式，等效电容量可高达1法，不确定度及不稳定度为10-3 量级。
上述几种标准电容，或多或少存在先天的问题，有的年变化大稳定性差，有的受频率影响高，有的温度系数高等等。随着科技的发展，近些年出现了一种新型的电容类型，陶瓷电容，尤其是Ⅰ类陶瓷电容，又称之为C0G或NP0，这类电容极其稳定，温度系数极低，而且不会出现老化现象，损耗因数不受电压、频率、温度和时间的影响，介电系数可以达到400，介电强度相对高。这种电容目前唯一的缺点就是单个电容容量没法做大，最大的目前是0.1uF，并且电容耐压值较低。
技术实现要素：
本实用新型的目的是提供一种单值标准电容，将Ⅰ类陶瓷电容在电路板上通过引线一和引线二并联设置，这样可以扩大Ⅰ类陶瓷电容的容量，提升了电容的耐压性能，并且结构简单，制造方便，电容的稳定性好，还能够通过控制并联电容的数量调节电容的容量。
为实现上述目的，本实用新型提供了一种单值标准电容，包括电路板，所述电路板上通过引线一和引线二并联设置有若干Ⅰ类陶瓷电容，所述引线一上连接有引线三和引线四，所述引线二上连接有引线五和引线六，所述引线三与低电流端头相连，所述引线四与低电位端头相连，所述引线五与高电位端头相连，所述引线六与高电流端头相连。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果在于，将Ⅰ类陶瓷电容在电路板上通过引线一和引线二并联设置，这样可以扩大Ⅰ类陶瓷电容的容量，提升了电容的耐压性能，并且结构简单，制造方便，电容的稳定性好，还能够通过控制并联电容的数量调节电容的容量，本实用新型可以用于电容的检定中。
作为本实用新型的进一步改进，所述低电流端头、低电位端头、高电位端头以及高电流端头贯穿设置在面板上，所述电路板经面板安装在箱体内，这样可以使得标准电容得到更好的防护，避免受到灰尘等杂物的污染而降低性能。
作为本实用新型的进一步改进，所述电路板上开设有将引线一和引线二分隔开来的分隔槽，这样可以保证电容两极之间的引线不会出现短接的现象，避免损坏电容。
作为本实用新型的进一步改进，所述箱体和面板为纯铝材质，这样可以使得电准电容的质量较轻，便于携带。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图。
图2为本实用新型接箱体结构示意图。
其中，1引线三，2引线一，3Ⅰ类陶瓷电容，4引线四，5分隔槽，6引线五，7引线二，8电路板，9引线六，10面板，11低电流端头，12低电位端头，13高电位端头，14高电流端头，15箱体。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型进一步说明：
如图1所示的一种单值标准电容，包括电路板8，所述电路板8上通过引线一2和引线二7并联设置有若干Ⅰ类陶瓷电容3，所述引线一2上连接有引线三1和引线四4，所述引线二7上连接有引线五6和引线六9，所述引线三11与低电流端头11相连，所述引线四4与低电位端头12相连，所述引线五6与高电位端头13相连，所述引线六9与高电流端头14相连；所述低电流端头11、低电位端头12、高电位端头13以及高电流端头14贯穿设置在面板10上，所述电路板8经面板10安装在箱体15内；所述电路板8上开设有将引线一2和引线二7分隔开来的分隔槽5；所述箱体15和面板10为纯铝材质。
工作时，通过低电流端头11、低电位端头12、高电位端头13、高电流端头14将标准电容接入电桥内进行待测电容的测量，可以根据实际情况，采用贴片封装的Ⅰ类陶瓷电容3，用电路板8焊接的方式进行并联，以获得实际需要的电容值，不但可以满足各种类型电容的测定，还能够提升标准电容的容量和耐压性，使得标准电容长期保持稳定，温度系数小、老化周期长，收频率影响小。
本实用新型不局限于上述实施例，在本公开的技术方案的基础上，本领域的技术人员根据所公开的技术内容，不需要创造性的劳动就可以对其中的一些技术特征作出一些替换和变形，这些替换和变形均在本实用新型的保护范围内。