1.一种8×8二维面阵SiC紫外光电探测器，其特征在于为金属-半导体-金属结构，设有在双抛的偏轴4°的4H-SiC导电衬底，在4H-SiC导电衬底上的Si面上外延生长N型SiC缓冲层，在N型SiC缓冲层上外延生长SiC非刻意掺杂i型层，采用ICP干法刻蚀在i型层上形成斜面，用于各个金属-半导体-金属结构的SiC探测器像元的隔离和器件的边缘保护，在器件的表面热生长二氧化硅层作为器件的钝化层；通过刻蚀钝化层形成叉指状电极窗口，在叉指状电极窗口中制备Au或Pt高功函数金属电极，再通过光刻、刻蚀和溅射工艺形成面阵紫外探测器的64条金属-半导体-金属结构的SiC探测器像元独立电极焊盘和一条共用电极焊盘，最后在面阵器件上旋涂聚酰亚胺保护隔离层。
2.如权利要求1所述一种8×8二维面阵SiC紫外光电探测器，其特征在于所述4H-SiC导电衬底为在双抛的偏轴4°的4H-SiC导电衬底。
3.如权利要求1所述一种8×8二维面阵SiC紫外光电探测器，其特征在于所述N型SiC缓冲层的厚度为0.5μm。
4.如权利要求1所述一种8×8二维面阵SiC紫外光电探测器，其特征在于所述i型层的厚度为4～10μm。
5.如权利要求1所述一种8×8二维面阵SiC紫外光电探测器，其特征在于所述8×8二维面阵SiC紫外光电探测器包括64个金属-半导体-金属结构的SiC探测器像元，面积为200μm×200μm，每个金属-半导体-金属结构的SiC探测器像元是通过叉指状金属电极与SiC表面形成的背靠背的肖特基接触，电极叉指间距为2～8μm。
6.如权利要求1所述一种8×8二维面阵SiC紫外光电探测器，其特征在于通过8×8的排列方式，分别引出64个金属-半导体-金属结构的SiC探测器像元的信号输出端至各自金属-半导体-金属结构的SiC探测器像元的信号接触焊盘，并将64个金属-半导体-金属结构的SiC探测器像元器件的接地端引出到共用电极焊盘，布线方案中总共65条金属布线，互不交叉影响。