技术总结
一种8×8二维面阵SiC紫外光电探测器，探测器为金属‑半导体‑金属结构，在衬底上的Si面上外延生长N型SiC缓冲层并外延生长SiC非刻意掺杂i型层，刻蚀在i型层上形成斜面，在器件表面热生长二氧化硅层作为器件的钝化层；通过刻蚀钝化层形成叉指状电极窗口并制备Au或Pt高功函数金属电极，光刻、刻蚀和溅射形成面阵紫外探测器的64条金属‑半导体‑金属结构的SiC探测器像元独立电极焊盘和一条共用电极焊盘，在面阵器件上旋涂聚酰亚胺保护隔离层。对生长好的外延片进行RCA标准清洗，先后制备倾斜台面、钝化层、电极与焊盘，在面阵上旋涂聚酰亚胺，显影后去除光敏面与面阵焊盘的聚酰亚胺，烘烤。
技术研发人员：吴正云
受保护的技术使用者：厦门芯荣光电科技有限公司
技术研发日：2018.03.26
技术公布日：2018.10.16