1.一种用于紫外红外双色探测的紫外光电探测器，其特征在于为p-i-n外延结构，衬底采用双抛4H-SiC衬底，在双抛4H-SiC衬底的Si面上外延生长N型SiC缓冲层，所述N型SiC缓冲层作为p-i-n的N型欧姆接触层，在N型SiC缓冲层上外延生长i型层，所述i型层作为器件的光子吸收层，在i型层上外延一层P+型层并构成紫外探测芯片的p-i-n结构；在P+型层的钝化层上刻蚀P型电极窗口，所述P型电极窗口上设有P型电极和P型焊盘；在N型SiC缓冲层的钝化层上刻蚀N型电极窗口，在N型电极窗口上设有N型电极与N型焊盘。
2.如权利要求1所述一种用于紫外红外双色探测的紫外光电探测器，其特征在于所述双抛4H-SiC衬底采用高纯偏轴4°的双抛4H-SiC衬底。
3.如权利要求1所述一种用于紫外红外双色探测的紫外光电探测器，其特征在于所述N型SiC缓冲层的厚度为0.5μm。
4.如权利要求1所述一种用于紫外红外双色探测的紫外光电探测器，其特征在于所述i型层的SiC非刻意掺杂厚度为0.8μm。
5.如权利要求1所述一种用于紫外红外双色探测的紫外光电探测器，其特征在于所述P+型层的厚度为0.2μm。
6.如权利要求1所述一种用于紫外红外双色探测的紫外光电探测器，其特征在于所述P型电极窗口为P型环状电极窗口。