技术总结
一种用于紫外红外双色探测的紫外光电探测器，涉及紫外光电探测器。探测器为p‑i‑n外延结构，在衬底的Si面上外延生长N型SiC缓冲层并作为p‑i‑n的N型欧姆接触层，在N型SiC缓冲层上外延生长i型层并作为光子吸收层，在i型层上外延一层P+型层并构成紫外探测芯片的p‑i‑n结构；在P+型层的钝化层上刻蚀P型电极窗口并设有P型电极和焊盘；在N型SiC缓冲层的钝化层上刻蚀N型电极窗口并设有N型电极与焊盘。对外延片清洗；先后制备隔离保护倾斜台面，红外信号的透过窗口，SiO2钝化层，P型电极、N型电极、P型焊盘和N型焊盘，红外抗反射层，得用于紫外红外双色探测的紫外光电探测器。
技术研发人员：吴正云
受保护的技术使用者：厦门芯荣光电科技有限公司
技术研发日：2018.03.26
技术公布日：2018.10.16