一种塑封SiC肖特基二极管器件的制作方法

本实用新型涉及功率半导体器件领域，特别涉及一种塑封SiC肖特基二极管器件。

背景技术：

目前市场上的塑封SiC肖特基二极管，都是阴极区焊接在散热底板上，阳极区通过铝线键合工艺与外引脚连接。而SiC肖特基二极管芯片相比于硅肖特基二极管芯片有很多优点，如临界击穿场强很高、热导率很大，SiC肖特基二极管芯片能通过更大的电流，具有更优的导热性能。但由于铝线的熔断电流值低，抗浪涌能力差，同时因塑封器件尺寸的限制，导致铝线键合的数量有限，从而造成塑封SiC肖特基二极管的通流能力受到限制；SiC肖特基二极管为肖特基结构，产品应用时产生的热量主要来肖特基结，而肖特基结与芯片的阳极区电极只有100nm左右，与阴极区电极有近400um，当阴极区焊接在散热底板上，肖特基结远离散热底板，热量传递慢、散热效果差、热阻大。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种塑封SiC肖特基二极管器件。

本实用新型采用的技术方案是：

一种塑封SiC肖特基二极管器件，其特征在于：包括金属散热底板、外引脚、SiC肖特基二极管芯片、连接桥片，所述金属散热底板顶部中心区域设有凸台，所述外引脚包括外引脚焊接区、外引脚引出端，所述SiC肖特基二极管芯片包括朝下的阳极区和朝上的阴极区，所述连接桥片包括连接桥片焊接A区、连接桥片焊接B区，所述SiC肖特基二极管芯片朝下的阳极区通过焊锡料焊接在凸台上方，所述SiC肖特基二极管芯片朝上的阴极区通过焊锡料与连接桥片焊接A区接连，所述连接桥片焊接B区与外引脚焊接区通过焊锡料连接。

所述凸台为长方形或正方形。

所述SiC肖特基二极管芯片完全覆盖于凸台上表面，并延伸出凸台四周边沿，与金属散热底板顶面非凸台区形成空隙区。

所述连接桥片焊接A区为长方形或正方形。

本实用新型的优点：在本实用新型中，将SiC肖特基二极管芯片阳极面朝下倒置焊接在金属散热底板的凸台上，芯片阴极区采用连接桥片与外引脚连接，热传导距离减小，热阻小，产品性能提升，极大的提高了芯片散热效果，省去了铝线键合工艺，缩短工艺流程，提高生产效率，极大的提高了器件的通流能力，充分发挥出SiC肖特基二极管芯片高通流能力优势。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细叙述。

图1为本实用新型的侧视图；

图2为本实用新型金属散热底板及外引脚的俯视图；

图3为本实用新型连接桥片的俯视图；

图4为本实用新型SiC肖特基二极管芯片的侧视图；

图5为本实用新型SiC肖特基二极管芯片的仰视图；

图6为本实用新型SiC肖特基二极管芯片的俯视图。

其中：1、金属散热底板；2、凸台；3、外引脚；4、SiC肖特基二极管芯片；5、阳极区；6、阴极区；7、连接桥片；8、连接桥片焊接A区；9、连接桥片焊接B区；10、外引脚焊接区；11、外引脚引出端。

具体实施方式

如图1-6所示，一种塑封SiC肖特基二极管器件，包括金属散热底板1、外引脚3、SiC肖特基二极管芯片4、连接桥片7，金属散热底板1顶部中心区域设有凸台2，外引脚3包括外引脚焊接区10、外引脚引出端11，SiC肖特基二极管芯片4包括朝下的阳极区5和朝上的阴极区6，连接桥片7包括连接桥片焊接A区8、连接桥片焊接B区9，SiC肖特基二极管芯片4朝下的阳极区5通过焊锡料焊接在凸台2上方，SiC肖特基二极管芯片4朝上的阴极区6通过焊锡料与连接桥片焊接A区8接连，连接桥片焊接B区9与外引脚焊接区10通过焊锡料连接。

凸台2为长方形或正方形。

SiC肖特基二极管芯片4完全覆盖于凸台2上表面，并延伸出凸台2四周边沿，与金属散热底板1顶面非凸台区形成空隙区。

连接桥片焊接A区8为长方形或正方形。

本实用新型在本实用新型中，将SiC肖特基二极管芯片阳极面朝下倒置焊接在金属散热底板的凸台上，芯片阴极区采用连接桥片与外引脚连接，热传导距离减小，热阻小，产品性能提升，极大的提高了芯片散热效果，省去了铝线键合工艺，缩短工艺流程，提高生产效率，极大的提高了器件的通流能力，充分发挥出SiC肖特基二极管芯片高通流能力优势。