厚膜混合集成无刷直流电机驱动电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及无刷直流电机驱动电路，特别是一种厚膜混合集成无刷直流电机驱动电路。
【背景技术】
[0002]无刷直流电机驱动电路具有5A电流的驱动能力、7.5A极限电流保护和为无刷直流电机间接提供12V电源等功能。现有的无刷直流电机驱动电路是由印刷电路板(即PCB板)，设置在印刷电路板上的集成塑料封装芯片和大量阻容件构成，由于在使用过程中考虑到散热及抗干扰等问题，要在整机中占用大量组装空间，极易受到环境变化的影响，例如超高温、超低温、高湿度、强振动等条件下，会导致PCB板发生形变、塑封器件无法正常工作或失效等故障发生，从而致使整块无刷直流电机驱动电路失效，甚至烧毁昂贵的电机。
【发明内容】
[0003]本实用新型是为了解决上述技术问题，提供一种可减小占用组装空间、在超高温、超低温、高湿度、强振动等条件下不易形变、结构稳固、降低故障发生率的厚膜混合集成无刷直流电机驱动电路。
[0004]—种厚膜混合集成无刷直流电机驱动电路，包括金属管壳、位于金属管壳前后两侧且分别穿出金属管壳的管壳引脚，在所述金属管壳内设置由金导带1、贴片电阻1、数字门电路芯片、半桥驱动器芯片、电压比较器芯片和电压调节器芯片构成的控制部分电路，由金导带II，表贴电容、表贴电阻I1、M0SFET构成的功率部分电路，其特殊之处在于:在金属管壳内底面上烧结有前后布置的厚膜陶瓷基片和覆铜陶瓷基板，所述金导带I和贴片电阻I焊接在厚膜陶瓷基片上，所述数字门电路芯片、半桥驱动器芯片、电压比较器芯片、电压调节器芯片通过环氧树脂胶粘结在厚膜陶瓷基片上；所述金导带I1、表贴电容、表贴电阻II焊接在覆铜陶瓷基板上，所述M0SFET通过环氧树脂胶粘接在覆铜陶瓷基板上；所述数字门电路芯片、半桥驱动器芯片、电压比较器芯片、电压调节器芯片分别与金导带I之间，所述M0SFET8与金导带II之间，所述金导带1、金导带II与对应的管壳引脚之间分别连接有导线。
[0005]所述数字门电路芯片、半桥驱动器芯片、电压比较器芯片、电压调节器芯片分别与金导带I之间，金导带I与对应的管壳引脚之间，M0SFET与金导带II之间连接的导线为金丝。
[0006]所述金导带II与对应的管壳引脚之间连接的导线为硅铝丝。
[0007]本实用新型的有益效果是:控制部分电路和功率部分电路上的各元器件集中设置在对应的厚膜陶瓷基片和覆铜陶瓷基板上，使控制部分电路和功率部分电路拥有较小组装体积的同时，还兼具良好的散热能力和较宽工作温度范围，适应_55°C?+85°C，将控制部分电路和功率部分电路分别集成在两个基片上，避免两部分电路发生互扰，也使功率驱动电路在工作时产生的热噪声对控制电路的干扰降到最低，降低了故障的发生率。
【附图说明】
[0008]图1是本实用新型结构示意图；
[0009]图2是本实用新型的电路方框图；
[0010]图中:1-金属管壳，2-厚膜陶瓷基片，3-金导带1，4_表贴电阻1，5_覆铜陶瓷基板，6-数字门电路芯片，7-半桥驱动器芯片，8-M0SFET，9-电压比较器芯片，10-电压调节器芯片，11-金丝I，12-硅铝丝，13-金导带II，14-管壳引脚，15-表贴电容，16-表贴电阻II，17-金丝 II。
【具体实施方式】
[0011]如图所示，一种厚膜混合集成无刷直流电机驱动电路，包括金属管壳1、位于金属管壳1前后两侧且分别穿出金属管壳1的管壳引脚14，在金属管壳1内底面上烧结有前后布置的厚膜陶瓷基片2和覆铜陶瓷基板5，在厚膜陶瓷基片2上焊接有金导带13和表贴电阻14，在厚膜陶瓷基片2上采用环氧树脂胶粘接有数字门电路芯片6、半桥驱动器芯片7、电压比较器芯片9和电压调节器芯片10，所述数字门电路芯片6、半桥驱动器芯片7、电压比较器芯片9、电压调节器芯片10分别与金导带13之间，所述金导带13与对应的管壳引脚14之间分别连接有金丝111，以上构成控制部分电路；在覆铜陶瓷基板5上焊接有金导带II13，表贴电容15、表贴电阻II16，在覆铜陶瓷基板5上采用环氧树脂胶粘接有M0SFET8，所述M0SFET8与金导带II之间连接有金丝1117，所述金导带II13与对应的管壳引脚14之间连接有硅铝丝12，以上构成功率部分电路。
[0012]以上仅为本实用新型的具体实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种厚膜混合集成无刷直流电机驱动电路，包括金属管壳、位于金属管壳前后两侧且分别穿出金属管壳的管壳引脚，在所述金属管壳内设置由金导带1、贴片电阻1、数字门电路芯片、半桥驱动器芯片、电压比较器芯片和电压调节器芯片构成的控制部分电路，由金导带II，表贴电容、表贴电阻I1、MOSFET构成的功率部分电路，其特征在于:在金属管壳内底面上烧结有前后布置的厚膜陶瓷基片和覆铜陶瓷基板，所述金导带I和贴片电阻I焊接在厚膜陶瓷基片上，所述数字门电路芯片、半桥驱动器芯片、电压比较器芯片、电压调节器芯片通过环氧树脂胶粘结在厚膜陶瓷基片上；所述金导带I1、表贴电容、表贴电阻II焊接在覆铜陶瓷基板上，所述MOSFET通过环氧树脂胶粘接在覆铜陶瓷基板上；所述数字门电路芯片、半桥驱动器芯片、电压比较器芯片、电压调节器芯片分别与金导带I之间，所述M0SFET8与金导带II之间，所述金导带1、金导带II与对应的管壳引脚之间分别连接有导线。2.根据权利要求1所述的厚膜混合集成无刷直流电机驱动电路，其特征在于:所述数字门电路芯片、半桥驱动器芯片、电压比较器芯片、电压调节器芯片分别与金导带I之间，金导带I与对应的管壳引脚之间，MOSFET与金导带II之间连接的导线为金丝。3.根据权利要求1所述的厚膜混合集成无刷直流电机驱动电路，其特征在于:所述金导带II与对应的管壳引脚之间连接的导线为硅铝丝。
【专利摘要】一种可减小占用组装空间、在超高温、超低温、高湿度、强振动等条件下不易形变、结构稳固、降低故障发生率的厚膜混合集成无刷直流电机驱动电路，包括金属管壳、位于金属管壳前后两侧且分别穿出金属管壳的管壳引脚，在金属管壳内的厚膜陶瓷基片上设置由金导带I、贴片电阻I、数字门电路芯片、半桥驱动器芯片、电压比较器芯片和电压调节器芯片构成的控制部分电路，在金属管壳内的覆铜陶瓷基板上设置由金导带II，表贴电容、表贴电阻II、MOSFET构成的功率部分电路，数字门电路芯片、半桥驱动器芯片、电压比较器芯片、电压调节器芯片分别与金导带I之间，MOSFET8与金导带II之间，金导带I、金导带II与对应的管壳引脚之间分别连接有导线。
【IPC分类】H02P7/298
【公开号】CN205081714
【申请号】CN201520910290
【发明人】田 健, 孟德佳, 尹雪, 葛秀伟, 李庆奎, 刘立
【申请人】锦州七七七微电子有限责任公司
【公开日】2016年3月9日
【申请日】2015年11月14日