电镀洗边结构的制作方法

本实用新型涉及半导体集成电路制造技术，具体属于一种电镀洗边结构。

背景技术：

目前，在半导体制造过程中，对晶圆进行电镀铜工艺之后，需要将硅晶圆边缘的铜薄膜进行去除处理(edge bevel remove，简称EBR)，如图1所示，从而避免硅晶圆边缘的这部分铜在后续工艺中产生脱落，导致产品的不良率提升。

然而，随着半导体产品的尺寸越来越小，芯片连线所需的铜线线宽也越来越窄，沉积在晶圆边缘的铜薄膜厚度也越来越薄，电镀工艺所用的时间越来越短，在节点为28nm及以下的电镀设备中，洗边工艺所花费的时间无法随着电镀工艺相应地成比例减少，这就限制了电镀工艺的生产效率，成为整个电镀设备产能提高的瓶颈。

技术实现要素：

本实用新型要解决的技术问题是提供一种电镀洗边结构，可以解决洗边工艺效率低耗时多的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型提供的电镀洗边结构，包括至少两条洗边管路，每一条洗边管路的前端装有喷嘴，后端连接化学药液补给管路，所述喷嘴呈360°圆周均匀分布在晶圆的边缘。

在上述结构中，所述喷嘴到晶圆中心的距离相等。

较佳的，所述洗边管路的数量为2-10条。

在上述结构中，所述洗边管路共同连接一条化学药液补给管路。

或者在上述结构中，每条洗边管路连接一条独立的化学药液补给管路。

在上述结构中，每条洗边管路上均设有开关，可以分别控制每条洗边管路的打开和关闭。

其中，所述化学药液补给管路输送的是硫酸和双氧水的混合液。

本实用新型在洗边工艺中采用多条洗边管路清洗晶圆的边缘，且可以根据实际需要控制参与清洗的洗边管路的数量，从而加快洗边进程，减少洗边工艺所耗费的时间，提高电镀机台的单位产出。

附图说明

图1为现有的电镀洗边结构的示意图；

图2为本实用新型的电镀洗边结构的第一实施例示意图；

图3位本实用新型的电镀洗边结构的第二实施例示意图。

其中附图标记说明如下：

1为晶圆；2为洗边管路；3为喷嘴。

具体实施方式

下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。

本实用新型的电镀洗边结构，包括至少两条洗边管路2，每一条洗边管路2的前端装有喷嘴3，后端连接化学药液补给管路，所述喷嘴3呈360°圆周均匀分布在晶圆1的边缘。

第一实施例

如图2所示，在本实施例中，电镀洗边结构包括两条洗边管路2，这两条洗边管路2关于晶圆1的中心均匀分布在晶圆1的边缘，即两喷嘴3之间的夹角为180°且两个喷嘴3到晶圆中心的距离相等。

第二实施例

如图3所示，在本实施例中，电镀洗边结构包括四条洗边管路2，这四条洗边管路2呈360°圆周均匀分布在晶圆1的边缘，即两喷嘴3之间的夹角为90°且两个喷嘴3到晶圆中心的距离相等。

虽然上述实施例中，以两条洗边管路和四条洗边管路为例，但是本实用新型并不局限于此，本领域技术人员可以根据上述实施例举一反三，视具体的洗边工艺和对象设置洗边管路的数量，通常所述洗边管路的数量为2-10条。

在上述结构中，所有的洗边管路2可以共同连接一条化学药液补给管路，当然也可以每条洗边管路连接一条独立的化学药液补给管路，这对于本领域技术人员来说是可以轻而易举地实现的。

为了适用于不同晶圆的洗边工艺，每条洗边管路2上均设有开关(图中未示出)，可以通过开关分别控制每条洗边管路的打开和关闭，从而控制洗边工艺的效率。

其中，所述化学药液补给管路输送的是硫酸和双氧水的混合液。

除了上述结构，所述喷嘴3到晶圆中心的距离也可以设置为不等模式，这样可以保证晶圆边缘的所有位置都被彻底清洗。

本实用新型在洗边工艺中采用多条洗边管路清洗晶圆的边缘，且可以根据实际需要控制参与清洗的洗边管路的数量，从而加快洗边进程，减少洗边工艺所耗费的时间，提高电镀机台的单位产出。

以上通过具体实施例对本实用新型进行了详细的说明，该实施例仅仅是本实用新型的较佳实施例，本实用新型并不局限于上述实施方式。在不脱离本实用新型原理的情况下，本领域的技术人员对洗边管路的数量、分布形式及连接关系做出的等效置换和改进，均应视为在本实用新型所保护的技术范畴内。