1.基于金属掺杂ITO透明导电薄膜的紫外LED芯片，其特征在于：包括蓝宝石衬底、GaN缓冲层、n-GaN层、量子陷层、p-AIGaN层、p-GaN层、金属掺杂ITO透明导电薄层、金属电极和钝化保护层，所述蓝宝石衬底与GaN缓冲层接触连接，所述GaN缓冲层与n-GaN层接触连接，所述n-GaN层与量子陷层接触连接，所述量子陷层与p-AIGaN层接触连接，所述p-AIGaN层与p-GaN层接触连接，所述p-GaN层与金属掺杂ITO透明导电薄层接触连接，所述钝化保护层接触覆盖在金属掺杂ITO透明导电薄层和n-GaN层上，所述金属电极包括P电极和N电极，所述P电极穿过钝化保护层与金属掺杂ITO透明导电薄层接触连接，所述N电极穿过钝化保护层与n-GaN层接触连接。
2.根据权利要求1所述的基于金属掺杂ITO透明导电薄膜的紫外LED芯片，其特征在于：所述金属掺杂ITO透明导电薄层中包括ITO薄膜和金属薄膜，所述ITO薄膜和金属薄膜通过退火处理键合在一起。
3.根据权利要求1所述的基于金属掺杂ITO透明导电薄膜的紫外LED芯片，其特征在于：所述金属掺杂ITO透明导电薄层中掺杂的金属厚度小于等于5nm，所述掺杂金属的轨道能级大于In原子和Sn原子。
4.根据权利要求1所述的基于金属掺杂ITO透明导电薄膜的紫外LED芯片，其特征在于：所述ITO薄膜的厚度为80～140nm。
5.根据权利要求1所述的基于金属掺杂ITO透明导电薄膜的紫外LED芯片，其特征在于：所述基于金属掺杂ITO透明导电薄膜的紫外LED芯片为正装结构。