技术总结
本实用新型公开了基于金属掺杂ITO透明导电薄膜的紫外LED芯片，其特征在于：包括蓝宝石衬底、GaN缓冲层、n‑GaN层、量子陷层、p‑AIGaN层、p‑GaN层、金属掺杂ITO透明导电薄层、金属电极和钝化保护层，所述蓝宝石衬底与GaN缓冲层接触连接，所述GaN缓冲层与n‑GaN层接触连接，所述n‑GaN层与量子陷层接触连接，所述量子陷层与p‑AIGaN层接触连接，所述p‑AIGaN层与p‑GaN层接触连接，所述p‑GaN层与金属掺杂ITO透明导电薄层接触连接，所述钝化保护层接触覆盖在金属掺杂ITO透明导电薄层和n‑GaN层上，所述金属电极包括P电极和N电极，所述P电极穿过钝化保护层与金属掺杂ITO透明导电薄层接触连接，所述N电极穿过钝化保护层与n‑GaN层接触连接。
技术研发人员：王洪;文茹莲;胡晓龙
受保护的技术使用者：华南理工大学
技术研发日：2018.06.29
技术公布日：2019.04.09