一种双母头同轴衰减器的制作方法

文档序号:17864696发布日期:2019-06-11 23:07阅读:326来源:国知局
一种双母头同轴衰减器的制作方法

本实用新型属于衰减器技术领域,具体涉及一种双母头同轴衰减器。



背景技术:

同轴衰减器是一种能量损耗性射频/微波元件,元件内部含有电阻性材料。是为使输出端口提供的功率小于输入端口的入射功率而设计的双端口器件,被广泛地应用于射频/微波领域,如对射频信号进行衰减,以防止信号失真。但现在市面上的同轴衰减器普遍存在加工工艺复杂、性能不够优化以及体积太大的问题。



技术实现要素:

本实用新型所要解决的技术问题是,提供一种双母头同轴衰减器,解决了现有技术中同轴衰减器在同样性能的前提下体积太大的技术问题。

为解决上述技术问题,本实用新型采用的技术方案:一种双母头同轴衰减器,其特征在于:包括SMA中桥、衰减单元、插孔、插孔外壳、绝缘子、接触弹簧片、弹簧、外壳以及内六角紧定螺钉,所述SMA中桥包括6个,所述衰减单元包括7个,衰减单元与SMA中桥间隔设置于衰减器中心轴的中部,衰减单元包括金属外壳以及插在金属外壳内部的衰减片,两端的衰减单元的另一端分别都设置有一个绝缘子,在所述绝缘子内设置有插孔,插孔向内的一侧设有接触弹簧片以及弹簧,其中两个所述接触弹簧片与衰减片一侧相接触,弹簧位于接触弹簧片的另一侧,在绝缘子外侧套装有插孔外壳,最外侧套装有截面为矩形的外壳,内六角紧定螺钉用于使所述外壳的两端固定在插孔外壳上,所述双母头同轴衰减器的总长度为99mm,所述衰减单元的长度为5.4mm,N型中桥的长度为6.2mm,外径都为14mm,所述外壳的长为83mm,宽为25mm,高为12.5mm。

其中一个实施例中,所述双母头同轴衰减器的频率范围为0-6GHz,衰减量为30dB,驻波比小于或等于1.2,平均承受功率为100W,阻抗为50hms,接口为双母头接口。

其中一个实施例中,所述衰减单元为535衰减单元,每个衰减单元可承受12-15W的功率。

本实用新型的有益效果:本实用新型公开的一种双母头同轴衰减器,频率范围为0-6GHz,衰减量为30dB,驻波比小于或等于1.2,平均承受功率为100W,阻抗为50hms,接口为双母头接口。相比市面上流通的同轴衰减器,该双母头同轴衰减器不仅加工方便而且在保证上述技术指标的同时,体积更小巧,驻波曲线和频响特性曲线也更趋于优化。

附图说明

图1为本实施例中一种双母头同轴衰减器的半截面结构示意图。

图中附图标记,1-插孔外壳;2-绝缘子;3-接触弹簧片;4-弹簧;5-插孔;6-衰减单元;7-SMA中桥;8-外壳;9-内六角紧定螺钉。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。

一种双母头同轴衰减器,如图1所示,包括SMA中桥7、衰减单元6、插孔5、插孔外壳1、绝缘子2、接触弹簧片3、弹簧4、外壳8以及内六角紧定螺钉9。所述SMA中桥7共包括6个,所述衰减单元6共包括7个,衰减单元6与SMA中桥7间隔设置于衰减器中心轴的中部,衰减单元6包括金属外壳以及插在金属外壳内部的衰减片,两端的衰减单元6的另一端分别都设置有一个绝缘子2,在所述绝缘子2内设置有插孔5,插孔5向内的一侧设有接触弹簧片3以及弹簧4,其中两个所述接触弹簧片3与衰减片一侧相接触,弹簧4位于接触弹簧片3的另一侧,在绝缘子2外侧套装有插孔外壳1,最外侧套装有截面为矩形的外壳8,内六角紧定螺钉9用于使所述外壳8的两端固定在插孔外壳1上,在所述外壳8上还设置有多个均匀排布的沉孔,沉孔内通过十字螺钉固定,沉孔的直径为6mm。所述双母头同轴衰减器的总长度为99mm,所述衰减单元的长度为5.4mm,N型中桥的长度为6.2mm,外径都为14mm,所述外壳的长为83mm,宽为25mm,高为12.5mm。进一步的,所述双母头同轴衰减器的频率范围为0-6GHz,衰减量为30dB,驻波比小于或等于1.2,衰减单元6为535衰减单元,每个衰减单元可承受12-15W的功率,因此同轴衰减器的平均承受功率为100W,阻抗为50hms,接口为双母头接口。

本实用新型的有益效果:本实用新型公开的一种双母头同轴衰减器,频率范围为0-6GHz,衰减量为30dB,驻波比小于或等于1.2,平均承受功率为100W,阻抗为50hms,接口为双母头接口。相比市面上流通的同轴衰减器,该双母头同轴衰减器不仅加工方便而且在保证上述技术指标的同时,体积更小巧,驻波曲线和频响特性曲线也更趋于优化。

以上所述,仅为本实用新型的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此,本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

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