技术总结
本实用新型提供一种浅沟槽隔离结构，包括衬底、隔离沟槽、第一填充介质、第二填充介质、孔隙及第三填充介质，其中，隔离沟槽形成于衬底中，以在衬底中界定出多个有源区，第一填充介质形成于隔离沟槽的侧壁，第二填充介形成于隔离沟槽中部，孔隙位于第一填充介质与第二填充介质之间，第三填充介质形成于孔隙顶部，以将孔隙封口。本实用新型在浅沟槽隔离结构中引入了孔隙，该孔隙中可以包括空气，由于空气介电常数只有1.0，可以有效降低隔离沟槽中填充介质的K值，从而增强沟槽的隔离性能，降低在浅沟槽隔离处产生的寄生电容，减少器件间的相互干扰，提高器件的运行速度。
技术研发人员：陶大伟
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2018.09.18
技术公布日：2019.05.31