一种紧凑型高速光电二极管的制作方法

文档序号:17680252发布日期:2019-05-17 19:44阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种紧凑型高速光电二极管,包括衬底(1),以及形成于所述衬底(1)上的正电极环(13)、负电极环(12)、正电极(15)和负电极(14),其特征在于,所述负电极环(12)上设置有开口,所述负电极(14)与所述负电极环(12)的一端连接;所述正电极环(13)设于负电极环(12)内;所述正电极(15)通过所述开口与所述正电极环(13)连接;所述正电极(15)和负电极(14)位于所述负电极环(12)的同一侧。

2.根据权利要求1所述的一种紧凑型高速光电二极管,其特征在于,所述正电极(15)和负电极(14)均为圆形,所述正电极(15)和负电极(14)的圆心距离小于所述负电极环(12)的直径。

3.根据权利要求2所述的一种紧凑型高速光电二极管,其特征在于,所述正电极(15)和负电极(14)的直径均大于50um且小于80um。

4.根据权利要求1所述的一种紧凑型高速光电二极管,其特征在于,所述正电极环(13)与负电极环(12)同心设置,所述正电极环(13)的环宽度小于等于10um,外径小于70um;所述负电极环(12)的环宽度小于等于10um;所述正电极环(13)的外径与负电极环(12)的内径的距离大于5um且小于20um。

5.根据权利要求1所述的一种紧凑型高速光电二极管,其特征在于,还包括:形成于所述衬底(1)上的缓冲层(2),形成于所述缓冲层(2)上的吸收层(3),形成于所述吸收层(3)上的顶层(4),形成于所述顶层(4)上的接触层(5),形成于所述顶层(4)上的有源区(7),形成于所述顶层(4)上的第一复合钝化膜(6),以及形成于所述衬底(1)、缓冲层(2)、吸收层(3)、顶层(4)、第一复合钝化膜(6)和有源区(7)上的增透膜(9)。

6.根据权利要求5所述的一种紧凑型高速光电二极管,其特征在于,所述负电极环(12)形成于所述缓冲层(2)上,所述负电极(14)形成于所述增透膜(9)和负电极环(12)上,所述正电极环(13)形成于所述接触层(5)上,所述正电极(15)形成于所述增透膜(9)和正电极环(13)上。

7.根据权利要求5所述的一种紧凑型高速光电二极管,其特征在于,所述衬底(1)的厚度大于2um,所述缓冲层(2)的厚度大于2um且小于5um,所述吸收层(3)的厚度大于0.5um且小于3um,所述顶层(4)的厚度大于0.5um且小于2um,所述接触层(5)的厚度大于0.1um且小于0.5um。

8.根据权利要求5所述的一种紧凑型高速光电二极管,其特征在于,所述第一复合钝化膜(6)的厚度大于0.1um且小于1um。

9.根据权利要求5所述的一种紧凑型高速光电二极管,其特征在于,所述增透膜(9)的厚度大于0.1um且小于0.5um。

10.根据权利要求5所述的一种紧凑型高速光电二极管,其特征在于,所述有源区(7)的形状为圆形,其直径大于20um且小于40um,所述有源区(7)的厚度大于1um且小于1.5um。

11.根据权利要求1所述的一种紧凑型高速光电二极管,其特征在于,还包括:形成于所述衬底(1)底部的焊接层(11)。

12.根据权利要求5所述的一种紧凑型高速光电二极管,其特征在于,所述吸收层(3)、顶层(4)和接触层(5)形成正电极圆柱形台面结构,所述缓冲层(2)形成负电极圆柱形台面结构;

所述正电极圆柱形台面、负电极圆柱形台面和有源区(7)同心设置。

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