一种晶圆传输平台及高压剥离机的制作方法

文档序号:18611518发布日期:2019-09-06 20:23阅读:281来源:国知局
一种晶圆传输平台及高压剥离机的制作方法

本实用新型涉及一种半导体自动化设备,特别涉及一种晶圆传输平台及高压剥离机。



背景技术:

如图1所示,高压剥离机用在半导体行业,主要用于剥离去胶工艺,属于设备湿法工艺设备,高压剥离机设备具有三个工艺腔,可处理六英寸和八英寸的晶圆。如图2所示,晶圆在高压剥离机上流片子需依次经过设备左侧晶圆片架、第一工艺腔、第二工艺腔、第三工艺腔以及设备右侧片架,需通过五个站点,包含四段行程,对应着设备传输平台上四个陶瓷手臂。在高压剥离机上流六英寸或者八英寸的晶圆,需要将四组六英寸的陶瓷手臂与四组八英寸的陶瓷手臂互相切换,同时将设备左右两侧片架换成对应尺寸的六英寸片架或八英寸片架,然后对更换好的陶瓷手臂逐个进行位置校准以及设备平台的传输验证。高压剥离机六英寸、八英寸传输平台互相切换过程耗时较长,而且过程繁琐易出错,并且每次更换手臂后,需要重新对手臂进行校准。因此,急需一种实现高压剥离机六英寸、八英寸晶圆传输平台兼容的技术,减少工艺的等待时间,提高生产效率。



技术实现要素:

实用新型目的:本实用新型提供一种实现不同尺寸晶圆传输的晶圆传输平台。本实用新型的另一目的提供了包含有晶圆传输平台的高压剥离机。

技术方案:本实用新型所述的一种晶圆传输平台,包括有至少一个用于取放晶圆进行表面处理的处理手臂、至少一个用于取放处理完毕晶圆的传送手臂以及至少一个用于盛放晶圆的片架。

为了实现对不同晶圆进行表面处理,本实用新型所述的晶圆传输平台中的处理手臂包括用于取放第一晶圆的第一处理手臂和用于取放第二晶圆的第二处理手臂;所述传送手臂包括用于取放第一晶圆的第一传送手臂和用于取放第二晶圆的第二传送手臂;所述片架包括用于盛放第一晶圆的第一片架和用于盛放第二晶圆的第二片架。

本实用新型的一种优选方式为所述处理手臂位于所述传送手臂下层,可避免处理手臂在取放晶圆时,处理液污染处理工艺最后使用的传送手臂。

优选地,所述第一晶圆的尺寸为六英寸;所述第二晶圆的尺寸为八英寸。

本实用新型中所述的一种晶圆传输平台的另一种结构可对不同尺寸的晶圆进行表面处理,该晶圆传输平台包括有处理手臂、传送手臂和片架;所述处理手臂包含有用于取放第一晶圆进行表面处理的第一处理手臂以及用于取放第二晶圆进行表面处理的第二处理手臂;所述传送手臂包括用于取放第一晶圆的第一传送手臂和用于取放第二晶圆的第二传送手臂;所述片架包括用于盛放第一晶圆的第一片架和用于盛放第二晶圆的第二片架。

本实用新型所述的一种高压剥离机,包含有上述的晶圆传输平台,实现晶圆表面处理工艺。

上述高压剥离机的工作方法为:处理手臂从片架中取出晶圆,对处理手臂进行校准,校准完毕后,将晶圆放入工艺腔中,在工艺腔中对晶圆进行表面处理,处理完毕后,利用传送手臂将晶圆从工艺腔中取出,校准传送手臂,随后将表面处理完毕的晶圆放入片架中,完成晶圆表面处理工艺。

上述高压剥离机对不同尺寸的晶圆进行表面处理,所述处理手臂包括用于取放第一晶圆的第一处理手臂和用于取放第二晶圆的第二处理手臂;所述传送手臂包括用于取放第一晶圆的第一传送手臂和用于取放第二晶圆的第二传送手臂;所述片架包括用于盛放第一晶圆的第一片架和用于盛放第二晶圆的第二片架;

所述第一处理手臂从第一片架中取出第一晶圆,对第一处理手臂进行校准,校准完毕后,将第一晶圆放入工艺腔中,在工艺腔中对第一晶圆进行表面处理,处理完毕后,利用第一传送手臂将第一晶圆从工艺腔中取出,校准第一传送手臂,随后将表面处理完毕的第一晶圆放入第一片架中,完成第一晶圆表面处理工艺;

所述第二处理手臂从第二片架中取出第二晶圆,对第二处理手臂进行校准,校准完毕后,将第二晶圆放入工艺腔中,在工艺腔中对第二晶圆进行表面处理,处理完毕后,利用第二传送手臂将第二晶圆从工艺腔中取出,校准第二传送手臂,随后将表面处理完毕的第二晶圆放入第二片架中,完成第二晶圆表面处理工艺。

进一步地,当晶圆需在不同的工艺腔中进行表面处理,具体的步骤如下:

第一处理手臂从第一片架中取出第一晶圆,对第一处理手臂进行校准,校准完毕后,将第一晶圆放入第一工艺腔中,在第一工艺腔中对第一晶圆进行表面处理,利用第一处理手臂将在第一工艺腔中处理完毕的第一晶圆取出,校准第一处理手臂后,将第一晶圆放入第二工艺腔中,随后将在第二工艺腔中处理完毕的晶圆取出,重复上述工艺步骤,当第一晶圆表面处理完毕后,利用第一传送手臂将经过最后一道处理工艺的第一晶圆从工艺腔中取出,校准第一传送手臂,将第一晶圆放入第一片架中,完成第一晶圆表面处理工艺;

所述第二处理手臂从第二片架中取出第二晶圆,对第二处理手臂进行校准,校准完毕后,将第二晶圆放入第一工艺腔中,利用第二处理手臂将在第一工艺腔中处理完毕的第二晶圆取出,校准第二处理手臂后,将第二晶圆放入第二工艺腔中,在第二工艺腔中对第二晶圆进行表面处理,随后将在第二工艺腔中处理完毕的晶圆取出,重复上述工艺步骤,处理完毕后,利用第二传送手臂将经过最后一道处理工艺的第二晶圆从工艺腔中取出,完成第二晶圆表面处理工艺。

有益效果:(1)本实用新型高压剥离机中晶圆传输平台实现了不同尺寸晶圆的流转;(2)(2)本实用新型利用同一手臂实现晶圆在不同工艺腔中的处理,减少了取放表面工艺处理晶圆的手臂;(3)本实用新型不需要将四组六英寸的手臂与四组八英寸的手臂互相切换,也不需要将设备两侧片架换成对应尺寸的片架,使得这个工艺中无需对更换好的手臂逐个进行位置校准以及设备平台的传输验证,保证了生产效率;(4)本实用新型降低了机台使用和维护的成本。

附图说明

图1为高压剥离机主要部件的位置关系结构示意图;

图2为现有高压剥离机对晶圆处理的工艺流程;

图3为本实用新型晶圆传输平台中不同手臂位置关系结构示意图;

图4为本实用新型晶圆传输平台中片架结构示意图;

图5为本实用新型晶圆传输平台手臂与片架结构示意图;

图6为本实用新型高压剥离机对六英寸晶圆处理的工艺流程;

图7为本实用新型高压剥离机对八英寸晶圆处理的工艺流程。

具体实施方式

下面结合实施例对本实用新型的技术方案作出进一步说明。

实施例1:本实用新型所述的一种晶圆传输平台,包括第一处理手臂11、第一传送手臂21和第一片架31,第一处理手臂11置于第一传送手臂21的下层,可避免处理手臂在取放晶圆时,处理液污染传送手臂,第一处理手臂、第一传送手臂和第一片架处理晶圆的尺寸相配套,采用的手臂为陶瓷手臂,利用该晶圆传输平台可对六英寸或者八英寸的晶圆进行处理。

利用实施例1的晶圆传输平台的高压剥离机的工作方法为:

(1)第一处理手臂11从第一片架31中取出晶圆,对承载晶圆的第一处理手臂11到传输平台进行校准,校准完毕后,将晶圆放入第一工艺腔中,在第一工艺腔中对晶圆进行表面处理;

(2)待第一工艺腔的工艺结束后,用第一处理手臂11在第一工艺腔中的取出晶圆,对承载晶圆的第一处理手臂11到传输平台校准,随后将晶圆放入第二工艺腔中,在第二工艺腔中对晶圆进行表面处理;

(3)待第二工艺腔的工艺结束后,用第一处理手臂11在第二工艺腔中的取出晶圆,对承载晶圆的第一处理手臂11到传输平台校准,随后将晶圆放入第三工艺腔中,在第三工艺腔中对晶圆进行表面处理;

(4)待第三工艺腔的工艺结束后,用第一传送手臂21将经过表面处理的晶圆取出,对承载晶圆的第一传送手臂21到传输平台校准,校准完毕后,将晶圆放入第一片架31中,完成晶圆表面处理工艺。

对经过该工艺处理的晶圆与经过现有技术的高压剥离机处理的晶圆质量相等同,但是只使用两个手臂,可显著降低设备成本,对不同尺寸的晶圆处理,也仅需要更换两个手臂即可,对两个手臂重新校准的时间也同时降低,表明本实用新型在减少手臂同时,也减少了工艺周期。

实施例2:本实用新型所述的一种晶圆传输平台,可对不同尺寸的晶圆进行处理,该晶圆传输平台包括处理手臂1、位于处理手臂1上层的传送手臂2和片架3,片架结构如图4所示。

如图3所示,处理手臂1置于传送手臂2下层,处理手臂1由取放第一晶圆的第一处理手臂11和用于取放第二晶圆的第二处理手臂12组成,第一处理手臂11可置于第二处理手臂12的上层或下层;传送手臂2由用于取放第一晶圆的第一传送手臂和用于取放第二晶圆的第二传送手臂组成,第一传送手臂21可位于第二传送手臂22的上层或下层;片架3由用于盛放第一晶圆的第一片架31和用于盛放第二晶圆的第二片架32组成,第一晶圆尺寸为六英寸,第二晶圆尺寸为八英寸,该晶圆传输平台的结构如图5所示。

将本实施例中的晶圆传输平台用于高压剥离机中,可同时对不同尺寸的晶圆进行表面处理,无需更换手臂和片架,该高压剥离机的工作方法如下:

(1)如图6所示,第一晶圆为六英寸晶圆,选择对应的传输程序,具体步骤为:

(1a)第一处理手臂11从第一片架31中取出第一晶圆,对承载第一晶圆的第一处理手臂11到传输平台进行校准,校准完毕后,将第一晶圆放入第一工艺腔中,在第一工艺腔中对第一晶圆进行表面处理;

(1b)待第一工艺腔的工艺结束后,用第一处理手臂11在第一工艺腔中的取出第一晶圆,对承载第一晶圆的第一处理手臂11到传输平台校准,随后将第一晶圆放入第二工艺腔中,在第二工艺腔中对第一晶圆进行表面处理;

(1c)待第二工艺腔的工艺结束后,用第一处理手臂11在第二工艺腔中的取出第一晶圆,对承载第一晶圆的第一处理手臂11到传输平台校准,随后将第一晶圆放入第三工艺腔中,在第三工艺腔中对第一晶圆进行表面处理;

(1d)待第三工艺腔的工艺结束后,用第一传送手臂21将经过表面处理的第一晶圆取出,对承载第一晶圆的第一传送手臂21到传输平台校准,校准完毕后,将第一晶圆放入第一片架31中,完成第一晶圆表面处理工艺。

(2)如图7所示,第二晶圆为八英寸晶圆,选择对应的传输程序,具体步骤为:

(2a)第二处理手臂12从第二片架32中取出第二晶圆,对承载第二晶圆的第二处理手臂12到传输平台进行校准,校准完毕后,将第二晶圆放入第一工艺腔中,在第一工艺腔中对第二晶圆进行表面处理;

(2b)待第一工艺腔的工艺结束后,用第二处理手臂12在第一工艺腔中的取出第二晶圆,对承载第二晶圆的第二处理手臂12到传输平台校准,随后将第二晶圆放入第二工艺腔中,在第二工艺腔中对第二晶圆进行表面处理;

(2c)待第二工艺腔的工艺结束后,用第二处理手臂12在第二工艺腔中的取出第二晶圆,对承载第二晶圆的第二处理手臂12到传输平台校准,随后将第二晶圆放入第三工艺腔中,在第三工艺腔中对第二晶圆进行表面处理;

(2d)待第三工艺腔的工艺结束后,用第二传送手臂22将经过表面处理的第二晶圆取出,对承载第二晶圆的第二传送手臂22到传输平台校准,校准完毕后,将第二晶圆放入第二片架32中,完成第二晶圆表面处理工艺。

经过以上步骤可以实现高压剥离机六英寸、八英寸晶圆传输平台兼容,该技术方案具有以下优点:

(1)减少了工艺等待时间;(2)降低了机台使用和维护的成本,该技术方案减少了设备平台上陶瓷手臂的使用数量,传统的传输架构需要4个陶瓷手臂,本实用新型只需要2个陶瓷手臂,就可以完成整个晶圆传输过程。

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