1.一种天线封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：
重新布线层，所述重新布线层包括第一面以及相对的第二面；
第一金属连接柱，形成于所述重新布线层的第二面上与所述重新布线层电连接；
第一封装层，覆盖所述第一金属连接柱及所述重新布线层的第二面，且所述第一封装层的顶面显露所述第一金属连接柱；
第一天线金属层，形成于所述第一封装层上，所述第一天线金属层与所述第一金属连接柱电连接，所述第一天线金属层包括天线金属互联层及天线金属主体层；
第二金属连接柱，形成于所述天线金属互联层上；
第二封装层，覆盖所述第二金属连接柱且所述第二封装层的顶面显露所述第二金属连接柱；所述第二封装层覆盖所述天线金属互联层并显露所述天线金属主体层，以在所述天线金属主体层上方形成空腔；
第二天线金属层，形成于所述第一封装层表面，所述第二天线金属层与所述第二金属连接柱电连接，且所述第二天线金属层在所述第一封装层上的投影显露所述天线金属主体层；
金属凸块，形成于所述重新布线层的第一面上；以及
半导体芯片，接合于所述重新布线层的第一面上。
2.根据权利要求1所述的天线封装结构，其特征在于：所述重新布线层的第二面上包括N层天线结构，其中N≥3。
3.根据权利要求1所述的天线封装结构，其特征在于：所述半导体芯片与所述重新布线层的第一面之间还包括底部填充层，所述底部填充层包括环氧树脂层。
4.根据权利要求1所述的天线封装结构，其特征在于：所述重新布线层包括介质层及金属布线层，所述介质层包括环氧树脂层、硅胶层、PI层、PBO层、BCB层、氧化硅层、磷硅玻璃层及含氟玻璃层中的一种或两种以上组合；所述金属布线层包括铜层、铝层、镍层、金层、银层及钛层中的一种或两种以上组合。
5.根据权利要求1所述的天线封装结构，其特征在于：所述第一金属连接柱及第二金属连接柱包括金线、银线、铜线及铝线中的一种或组合；所述第一金属连接柱及第二金属连接柱还包括金柱、银柱、铜柱及铝柱中的一种或组合。
6.根据权利要求1所述的天线封装结构，其特征在于：所述第一金属连接柱及第二金属连接柱的底部还连接有横截面积分别大于所述第一金属连接柱及第二金属连接柱的金属连接块。
7.根据权利要求1所述的天线封装结构，其特征在于：所述第一封装层包括聚酰亚胺层、硅胶层及环氧树脂层中的一种或组合；所述第二封装层包括聚酰亚胺层、硅胶层及环氧树脂层中的一种或组合。
8.根据权利要求1所述的天线封装结构，其特征在于：所述金属凸块包括锡金属凸块、银金属凸块及金锡合金金属凸块中的一种。