技术特征：
技术总结
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种改善闪存器件数据保存能力的方法，包括：步骤S1，提供已完成前段工艺的晶圆；步骤S2，于晶圆的表面生长可透射紫外光的保护层；步骤S3，对晶圆进行紫外光照射；步骤S4，进行第一层金属互连层工艺，并以保护层作为第一层金属互连层工艺的刻蚀停止层；步骤S5，对晶圆进行后续工艺。本发明技术方案的有益效果在于：通过对晶圆进行紫外光照射，有效地降低存储单元内部及周围的移动电荷密度，使闪存器件的初始阈值电压保持较好的均匀性，改善存储单元的数据保存能力，尤其对于金属层次较多或者存储容量较大的闪存器件效果明显。
技术研发人员：蔡彬;陈昊瑜;王奇伟
受保护的技术使用者：上海华力微电子有限公司
技术研发日：2019.03.01
技术公布日：2019.06.14